模擬電子技術(shù)(華中理工版)第二章學(xué)習(xí)課件(完整版)
【正文】 箝制電位作用應(yīng)用二、隔離作用二極管的特性： 單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦哉驅(qū)?，反向截止正向?qū)ǎ聪蚪刂?。起隔離作用。 在這里，二極管起箝位作用。 PN 結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。 (2) PN結(jié)加反向電壓時 ? 高電阻? 很小的反向漂移電流 在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關(guān)，這個電流也稱為 反向飽和電流 。? 本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體 本節(jié)中的有關(guān)概念? 自由電子、空穴? N型半導(dǎo)體、 P型半導(dǎo)體? 多數(shù)載流子、少數(shù)載流子? 施主雜質(zhì)、受主雜質(zhì) PN 結(jié)的形成及特性 PN結(jié)的形成 PN結(jié)的單向?qū)щ娦? PN結(jié)的反向擊穿 PN結(jié)的形成圖 PN結(jié)的形成PN結(jié)的形成結(jié)的形成P區(qū) N區(qū) 擴(kuò)散運(yùn)動載流子 從 濃度 大 向濃度 小的區(qū)域 擴(kuò)散 ,稱 擴(kuò)散運(yùn)動形成的電流成為 擴(kuò)散電流內(nèi)電場內(nèi)電場 阻礙多子 向?qū)Ψ降?擴(kuò)散即 阻礙擴(kuò)散運(yùn)動同時 促進(jìn)少子 向?qū)Ψ?漂移即 促進(jìn)了漂移運(yùn)動擴(kuò)散運(yùn)動 =漂移運(yùn)動時達(dá)到 動態(tài)平衡3 在一塊本征半導(dǎo)體在兩側(cè)通過擴(kuò)散不同的雜質(zhì) ,分別形成 N型半導(dǎo)體和 P型半導(dǎo)體。 P型半導(dǎo)體 —— 摻入三價雜質(zhì)元素（如硼）的半導(dǎo)體。因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng)，溫度是影響半導(dǎo)體性能的一個重要的外部因素，這是半導(dǎo)體的一大特點(diǎn)。 、自由電子和空穴+4 +4+4 +4自由電子空穴束縛電子+4 +4+4 +4在其它力的作用下，空穴吸引附近的電子來填補(bǔ)，這樣的結(jié)果相當(dāng)于空穴的遷移，而空穴的遷移相當(dāng)于正電荷的移動，因此可以認(rèn)為空穴是載流子。本征半導(dǎo)體： 完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。半導(dǎo)體：介于導(dǎo)體與絕緣體之間，如：典型的半導(dǎo)體有 硅 Si和 鍺 Ge以及 砷化鎵 GaAs等。+4 +4+4 +4二、本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理在絕對 0度 （ T=0K） 和沒有外界激發(fā)時 ,價電子完全被共價鍵束縛著，本征半導(dǎo)體中沒有可以運(yùn)動的帶電粒子（即 載流子 ），它的導(dǎo)電能力為 0，相當(dāng)于絕緣體。電子空穴對 —— 由熱激發(fā)而產(chǎn)生的自由電子和空穴對 。摻入的雜質(zhì)主要是三價或五價元素。 在 P型半導(dǎo)體中 空穴是多數(shù)載流子， 它主要由摻雜形成 ； 自由 電子是少數(shù)載流子， 由熱激發(fā)形成。I擴(kuò)散運(yùn)動〉漂移運(yùn)動（ 2） PN 結(jié)反向偏置－－－－++++內(nèi)電場外電場變厚NP+_內(nèi)電場被被加強(qiáng)，多子的擴(kuò)散受抑制。二極管按結(jié)構(gòu)分有 點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型 三大類。例例 1：： 已知： DA和 DB為硅二極管，求下列情況下輸出端電位 VF的值。V1陽陽 =－－ 6 V， V2陽陽 =0 V， V1陰陰 = V2陰陰 = －－ 12 VUD1 = 6V， UD2 =12V ∵∵ UD2 UD1 ∴∴ D2 優(yōu)先導(dǎo)通，優(yōu)先導(dǎo)通， D1截止。限制在某一數(shù)值。這一穩(wěn)壓過程可概括如下： 這里 VO減小應(yīng)理解為，由于輸入電壓 VI的增加，在穩(wěn)壓二極管的調(diào)節(jié)下，使 VO的增加沒有那么大而已。? PN結(jié)是構(gòu)成半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)，具有單向?qū)щ娦?、非線性電阻特性、電容效應(yīng)、擊穿穩(wěn)壓特性。光電二極管應(yīng)在反壓下工作，而發(fā)光二極管應(yīng)在正偏電壓下工作。當(dāng) PN結(jié)加反向電壓時， PN結(jié)截止，呈現(xiàn)
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