模擬電子電路2章1(xxxx02)西北工業(yè)大學-免費閱讀
【正文】 PN結的溫度特性溫度對 PN結的性能有較大的影響 。 (2) 擴散電容 CD 反之，由 P區(qū)擴散到 N區(qū)的空穴，在 N區(qū)內(nèi)也形成類似的濃度梯度分布曲線。? 處于第一象限的是正向伏安特性曲線，? 處于第三象限的是反向伏安特性曲線。于是，內(nèi)電場對多數(shù)載流子擴散運動的阻礙減弱， 擴散電流加大 。對于圖示的實驗電路，（表示二極管負極的黑色圓環(huán)在右側。在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也稱 耗盡層 。2 1 半導體基礎知識18 PN結 PN結的形成 PN結的單向?qū)щ娦? PN結的擊穿特性 PN結的電容效應19 PN結的形成 N型半導體和 P型半導體緊密結合在一起。14(2) P型半導體 在本征半導體中摻入三價雜質(zhì)元素（如硼、鎵、銦等）形成了 P型半導體 ， 也稱為 空穴型半導體 。熱力學 300K室溫，產(chǎn)生自由電子空穴： 價電子離開共價鍵后留下的空位稱為空穴。第二章 常用半導體器件原理基本電路 半導體基礎知識 PN結 晶體二極管 雙極性晶體管 場效應晶體管1 本征半導體 根據(jù)物體導電能力 (電阻率 )的不同，來劃分導體、絕緣體和半導體 。 這一現(xiàn)象稱為 本征激發(fā) ， 也稱 熱激發(fā) 。 空穴15(2) P型半導體 空穴很容易俘獲電子，使雜質(zhì)原子成為負離子 。在N型半導體和 P型半導體的結合面上形成 PN結 。23在 N型和 P型半導體的結合面上發(fā)生物理過程 總結 : 因濃度差空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場 ? 內(nèi)電場促使少子漂移 ?內(nèi)電場阻止多子擴散 最后 ,多子的 擴散 和少子的 漂移 達到 動態(tài)平衡 。此時發(fā)光二極管導通而發(fā)光。擴散電流遠大于漂移電流，可忽略漂移電流的影響， PN結呈現(xiàn)低阻性 。? 正向偏置 ： v? 反向偏置 ： |V|33 PN結的反向擊穿 當 PN結的反向電壓增加到一定數(shù)值時，反向電流突然快速增加，熱擊穿 —— 不可逆 雪崩擊穿 齊納擊穿 電擊穿 —— 可逆此現(xiàn)象稱為 PN結的 反向擊穿。 PN結正偏時 ，由 N區(qū)擴散到 P區(qū)的電子，與外電源提供的空穴相復合，形成正向電流。44 溫度對 PN結性能的影響圖示? 溫度每升高 1℃ ,結電壓減小 2~。? 溫度升高時， PN結的正
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