模擬電子電路2章1(xxxx02)西北工業(yè)大學(xué)-免費(fèi)閱讀
【正文】 PN結(jié)的溫度特性溫度對(duì) PN結(jié)的性能有較大的影響 。 (2) 擴(kuò)散電容 CD 反之，由 P區(qū)擴(kuò)散到 N區(qū)的空穴，在 N區(qū)內(nèi)也形成類(lèi)似的濃度梯度分布曲線。? 處于第一象限的是正向伏安特性曲線，? 處于第三象限的是反向伏安特性曲線。于是，內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多數(shù)載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻礙減弱， 擴(kuò)散電流加大 。對(duì)于圖示的實(shí)驗(yàn)電路，（表示二極管負(fù)極的黑色圓環(huán)在右側(cè)。在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也稱(chēng) 耗盡層 。2 1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)18 PN結(jié) PN結(jié)的形成 PN結(jié)的單向?qū)щ娦? PN結(jié)的擊穿特性 PN結(jié)的電容效應(yīng)19 PN結(jié)的形成 N型半導(dǎo)體和 P型半導(dǎo)體緊密結(jié)合在一起。14(2) P型半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)雜質(zhì)元素（如硼、鎵、銦等）形成了 P型半導(dǎo)體 ， 也稱(chēng)為 空穴型半導(dǎo)體 。熱力學(xué) 300K室溫，產(chǎn)生自由電子空穴： 價(jià)電子離開(kāi)共價(jià)鍵后留下的空位稱(chēng)為空穴。第二章 常用半導(dǎo)體器件原理基本電路 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) PN結(jié) 晶體二極管 雙極性晶體管 場(chǎng)效應(yīng)晶體管1 本征半導(dǎo)體 根據(jù)物體導(dǎo)電能力 (電阻率 )的不同，來(lái)劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體 。 這一現(xiàn)象稱(chēng)為 本征激發(fā) ， 也稱(chēng) 熱激發(fā) 。 空穴15(2) P型半導(dǎo)體 空穴很容易俘獲電子，使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子 。在N型半導(dǎo)體和 P型半導(dǎo)體的結(jié)合面上形成 PN結(jié) 。23在 N型和 P型半導(dǎo)體的結(jié)合面上發(fā)生物理過(guò)程 總結(jié) : 因濃度差空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場(chǎng) ? 內(nèi)電場(chǎng)促使少子漂移 ?內(nèi)電場(chǎng)阻止多子擴(kuò)散 最后 ,多子的 擴(kuò)散 和少子的 漂移 達(dá)到 動(dòng)態(tài)平衡 。此時(shí)發(fā)光二極管導(dǎo)通而發(fā)光。擴(kuò)散電流遠(yuǎn)大于漂移電流，可忽略漂移電流的影響， PN結(jié)呈現(xiàn)低阻性 。? 正向偏置 ： v? 反向偏置 ： |V|33 PN結(jié)的反向擊穿 當(dāng) PN結(jié)的反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí)，反向電流突然快速增加，熱擊穿 —— 不可逆 雪崩擊穿 齊納擊穿 電擊穿 —— 可逆此現(xiàn)象稱(chēng)為 PN結(jié)的 反向擊穿。 PN結(jié)正偏時(shí) ，由 N區(qū)擴(kuò)散到 P區(qū)的電子，與外電源提供的空穴相復(fù)合，形成正向電流。44 溫度對(duì) PN結(jié)性能的影響圖示? 溫度每升高 1℃ ,結(jié)電壓減小 2~。? 溫度升高時(shí)， PN結(jié)的正
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