【正文】 60。Note:???Wele: Chap? N溝道 耗盡型 MOS場(chǎng)效應(yīng)管工作原理當(dāng) UGS=0時(shí)， UDS加正向電壓，產(chǎn)生漏極電流 ID,此時(shí)的漏極電流稱為 漏極飽和電流 ，用 IDSS表示當(dāng) UGS＞ 0時(shí)，將使 ID進(jìn)一步增加 。當(dāng) UGS＜ 0時(shí)，隨著 UGS的減小漏極電流逐漸 減小 。直至ID=0。對(duì)應(yīng) ID=0的 UGS稱為夾斷電壓，用符號(hào) UP表示。 UGS(V)ID(mA)? N溝道 耗盡型 MOS場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線在恒流區(qū)， ID與 UGS的關(guān)系為 ID≈K(UGSUP)2溝道較短時(shí)， ID≈K(UGSUT)2（ 1+?UDS)UPID≈IDSS(1UGS/UP)2常用關(guān)系式：Ch1Semiconductor…\FET\… 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:?\?\… Note:???Wele: Chap? N溝道 耗盡型 MOS場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線輸出特性曲線UGS=6VUGS=4VUGS=1VUGS=0VUGS=1VUGS(V)ID(mA)N溝道 耗盡型 MOS管可工作在 UGS?0或 UGS0 N溝道 增強(qiáng)型 MOS管只能工作在 UGS0Ch1Semiconductor…\FET\… 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:?\?\… Note:???Wele: Chap各類絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)三極管的特性曲線絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管N溝道增強(qiáng)型P溝道增強(qiáng)型Ch1Semiconductor…\FET\… 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:?\?\… Note:???Wele: Chap絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道耗盡型P 溝道耗盡型Ch1Semiconductor…\FET\… 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:?\?\… Note:???Wele: Chap場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)直流參數(shù)交流參數(shù)極限參數(shù)Ch1Semiconductor…\FET\… 應(yīng)用基礎(chǔ)應(yīng)用基礎(chǔ)SectHere:?\?\… Note:???Wele: Chap2.夾斷電壓 UP夾斷電壓是耗盡型 FET的參數(shù)，當(dāng) UGS=UP時(shí) ,漏極電流為零。3.飽和漏極電流 IDSS耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管當(dāng) UGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。1.開啟電壓 UT開啟電壓是 MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對(duì)值 ,場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。Ch1Semiconductor…\FET\… 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:?\?\… Note:???Wele: Chap4.直流輸入電阻 RGS柵源間所加的恒定電壓 UGS與流過柵極電流 IGS之比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管，反偏時(shí) RGS約大于 107Ω，絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)三極管 RGS約是 109～ 1015Ω。5.漏源擊穿電壓 BUDS使 ID開始劇增時(shí)的 UDS。 BUGSJFET：反向飽和電流劇增時(shí)的柵源電壓MOS：使 SiO2絕緣層擊穿的電壓Ch1Semiconductor…\FET\… 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:?\?\… Note:???Wele: Chap 1.低頻跨導(dǎo) gm低頻跨導(dǎo)反映了柵壓對(duì)漏極電流的控制作用gm的求法 :① 圖解法 —g m實(shí)際就是轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率② 解析法：如增強(qiáng)型 MOS管存在 ID=K(UGSUT)2Ch1Semiconductor…\FET\… 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:?\?\… Note:???Wele: Chap 2.襯底跨導(dǎo) gmb反映了襯底偏置電壓對(duì)漏極電流 ID的控制作用—— 跨導(dǎo)比Ch1Semiconductor…\FET\… 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:?\?\… Note:???Wele: Chap3.漏極電阻 rds反映了 UDS對(duì) ID的影響，實(shí)際上是輸出特性曲線上工作點(diǎn)切線上的斜率 Ron在恒阻區(qū)內(nèi)Ch1Semiconductor…\FET\… 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:?\?\… Note:???Wele: Chap5.極間電容Cgs— 柵極與源極間電容Cgd— 柵極與漏極間電容Cgb— 柵極與襯底間電容Csd— 源極與漏極間電容Csb— 源極與襯底間電容Cdb— 漏極與襯底間電容主要的極間電容有：Ch1Semiconductor…\FET\… 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)Sect 運(yùn)放模型Here:?\?\… Note:???Wele: ChapCh1Semiconductor…\1.6OP\… 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectN+PVo+AV (VP－ VN)運(yùn)算放大器Here:?\?\… Note:???Wele: ChapCh1Semiconductor…\1.6OP\… 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectN+PVo運(yùn)算放大器Here:?\?\… Note:???Wele: ChapCh1Semiconductor…\1.6OP\… 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)Sect ∞運(yùn)算放大器 ∞Here:?\?\… Note:???Wele: ChapCh1Semiconductor…\1.6OP\… 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)Sect理想運(yùn)放1.開環(huán)電壓增益 AV=∞2.輸入電阻 Ri=∞3.輸出電阻 Ro=0 B=∞ CMRR=∞、漂移和內(nèi)部噪聲為零主要條件條件較難滿足，可采用專用運(yùn)放來近似滿足。Here:?\?\… Note:???Wele: ChapCh1Semiconductor…\1.6OP\… 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)Sect理想運(yùn)放應(yīng)用舉例∞∞∞∞u1u2u3 由 4個(gè)理想運(yùn)放組成的電路如圖，求 uo Here:?\?\… Note:???Wele: ChapCh1Semiconductor…\1.6OP\… 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)Sect理想運(yùn)放的工作狀態(tài)1.理想運(yùn)放的同相和反相輸入端電流近似為零2.理想運(yùn)放的同相和反相輸入端電位近似相等虛斷虛短 在運(yùn)算放大器處于線性狀態(tài)時(shí)，可以把 兩輸入端視為假想短路 —— 簡(jiǎn)稱 虛短 。虛地 如將運(yùn)放的同相端接地，即 VP =0，則 VN =0,即反相端是一個(gè)不接 “地 ”的 “地 ”，稱為 虛地。由于理想運(yùn)放的輸入電阻非常高，可以把 兩輸入端視為等效開路 —— 簡(jiǎn)稱 虛斷 。Here:?\?\… Note:???Wele: Chap半導(dǎo)體器件的命名Ch1Semiconductor…\… 應(yīng)用基礎(chǔ)中國(guó)國(guó)標(biāo)命名 ：Ch2基本小信號(hào)放大器 共 e放大器和圖解法 微變等效電路分析法 工作點(diǎn)的穩(wěn)定 BJT放大器其他組態(tài) FET放大器 OP、 BJT與 FET的比較 多級(jí)放大器 共 e放大器和圖解法 共共 e放大器放大器 放大器的圖解分析法放大器的圖解分析法Here:?\?\… Note:???Wele: ChapCh2BasicAmplifier…\CEAmp…\…基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)Sect 共 e放大器放大的概念放大器的工作原理放大器的靜態(tài)分析放大器的動(dòng)態(tài)分析Here:?\?\… Note:???Wele: Chap基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)放大的概念SectCh2BasicAmplifier…\CEAmp…\…基本放大電路一般是指由一個(gè)三極管組成的三種基本組態(tài)放大電路。，輸出電壓或電流在幅度上得到了放大，輸出信號(hào)的能量得到了加強(qiáng)。 ，只是經(jīng)過三極管的控制，使之轉(zhuǎn)換成信號(hào)能量，提供給負(fù)載。Here:?\?\… Note:???Wele: Chap基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)基本 放大電路的組成SectCh2BasicAmplifier…\CEAmp…\…ECRcUi+Uo+RbEb簡(jiǎn)化： 1.兩個(gè)電源用一個(gè) Ec,去掉 Eb,Rb改接由 Ec供電2.公共端接地，設(shè)其電位為 0，其他各點(diǎn)電位以它做參考點(diǎn)。因此可不畫 Ec,只標(biāo)出極性和大小。UoUiEC放大電路的靜態(tài)分析靜態(tài) Ui=0時(shí)，放大電路的工作狀態(tài)，也稱 直流工作狀態(tài) 。靜態(tài)分析 確定放大電路的靜態(tài)值 IB、 IC、 UCE,即靜態(tài)工作點(diǎn) Q。靜態(tài)工作點(diǎn)的位置直接影響放大電路的質(zhì)量靜態(tài)分析方法 計(jì)算法 圖解分析法1.計(jì)算法借助于放大電路的 直流通路 來求直流通路 是能通過直流的通道。 將電路中的耦合電容和旁路電容開路，即可得到。UoUiEC放大電路的靜態(tài)分析1.計(jì)算法ECIBICUBEUCESi管： UBE=~Ge管 :UBE=~（ 2）求靜態(tài)值（ 1） 首先畫出直流通路求解順序是先求 IB→I C→U CEUCE=ECICRC2.圖解法放大電路的輸入和輸出直流負(fù)載線三極管的輸入和輸出特性曲線 確定靜態(tài)工作點(diǎn)（ 1）由輸入特性曲線和輸入直流負(fù)載線求 IBQ、 UBEQECIB ICUBEUCEUBE=ECIBRb → 直流負(fù)載線iBuBEEc/RbEcIBUBEQ1/Rb作出直流負(fù)載線，直流負(fù)載線和輸入特性曲線的交點(diǎn)即是靜態(tài)工作點(diǎn) Q，由 Q可確定 IB、 UBE放大電路的靜態(tài)分析UCE=ECICRc → 直流負(fù)載線（ 1）由輸入特性曲線和輸入直流負(fù)載線求 IB、 UBE工作原理工作原理2.圖解法（ 2）由輸出