【正文】 60。Note:???Wele: Chap? N溝道 耗盡型 MOS場效應(yīng)管工作原理當 UGS=0時， UDS加正向電壓，產(chǎn)生漏極電流 ID,此時的漏極電流稱為 漏極飽和電流 ，用 IDSS表示當 UGS＞ 0時，將使 ID進一步增加 。當 UGS＜ 0時，隨著 UGS的減小漏極電流逐漸 減小 。直至ID=0。對應(yīng) ID=0的 UGS稱為夾斷電壓，用符號 UP表示。 UGS(V)ID(mA)? N溝道 耗盡型 MOS場效應(yīng)管特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線在恒流區(qū)， ID與 UGS的關(guān)系為 ID≈K(UGSUP)2溝道較短時， ID≈K(UGSUT)2（ 1+?UDS)UPID≈IDSS(1UGS/UP)2常用關(guān)系式：Ch1Semiconductor…\FET\… 基礎(chǔ)知識基礎(chǔ)知識SectHere:?\?\… Note:???Wele: Chap? N溝道 耗盡型 MOS場效應(yīng)管特性曲線輸出特性曲線UGS=6VUGS=4VUGS=1VUGS=0VUGS=1VUGS(V)ID(mA)N溝道 耗盡型 MOS管可工作在 UGS?0或 UGS0 N溝道 增強型 MOS管只能工作在 UGS0Ch1Semiconductor…\FET\… 基礎(chǔ)知識基礎(chǔ)知識SectHere:?\?\… Note:???Wele: Chap各類絕緣柵場效應(yīng)三極管的特性曲線絕緣柵場效應(yīng)管N溝道增強型P溝道增強型Ch1Semiconductor…\FET\… 基礎(chǔ)知識基礎(chǔ)知識SectHere:?\?\… Note:???Wele: Chap絕緣柵場效應(yīng)管 N溝道耗盡型P 溝道耗盡型Ch1Semiconductor…\FET\… 基礎(chǔ)知識基礎(chǔ)知識SectHere:?\?\… Note:???Wele: Chap場效應(yīng)管的主要參數(shù)直流參數(shù)交流參數(shù)極限參數(shù)Ch1Semiconductor…\FET\… 應(yīng)用基礎(chǔ)應(yīng)用基礎(chǔ)SectHere:?\?\… Note:???Wele: Chap2.夾斷電壓 UP夾斷電壓是耗盡型 FET的參數(shù)，當 UGS=UP時 ,漏極電流為零。3.飽和漏極電流 IDSS耗盡型場效應(yīng)三極管當 UGS=0時所對應(yīng)的漏極電流。1.開啟電壓 UT開啟電壓是 MOS增強型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對值 ,場效應(yīng)管不能導通。Ch1Semiconductor…\FET\… 基礎(chǔ)知識基礎(chǔ)知識SectHere:?\?\… Note:???Wele: Chap4.直流輸入電阻 RGS柵源間所加的恒定電壓 UGS與流過柵極電流 IGS之比結(jié)型場效應(yīng)三極管，反偏時 RGS約大于 107Ω，絕緣柵場效應(yīng)三極管 RGS約是 109～ 1015Ω。5.漏源擊穿電壓 BUDS使 ID開始劇增時的 UDS。 BUGSJFET：反向飽和電流劇增時的柵源電壓MOS：使 SiO2絕緣層擊穿的電壓Ch1Semiconductor…\FET\… 基礎(chǔ)知識基礎(chǔ)知識SectHere:?\?\… Note:???Wele: Chap 1.低頻跨導 gm低頻跨導反映了柵壓對漏極電流的控制作用gm的求法 :① 圖解法 —g m實際就是轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率② 解析法：如增強型 MOS管存在 ID=K(UGSUT)2Ch1Semiconductor…\FET\… 基礎(chǔ)知識基礎(chǔ)知識SectHere:?\?\… Note:???Wele: Chap 2.襯底跨導 gmb反映了襯底偏置電壓對漏極電流 ID的控制作用—— 跨導比Ch1Semiconductor…\FET\… 基礎(chǔ)知識基礎(chǔ)知識SectHere:?\?\… Note:???Wele: Chap3.漏極電阻 rds反映了 UDS對 ID的影響，實際上是輸出特性曲線上工作點切線上的斜率 Ron在恒阻區(qū)內(nèi)Ch1Semiconductor…\FET\… 基礎(chǔ)知識基礎(chǔ)知識SectHere:?\?\… Note:???Wele: Chap5.極間電容Cgs— 柵極與源極間電容Cgd— 柵極與漏極間電容Cgb— 柵極與襯底間電容Csd— 源極與漏極間電容Csb— 源極與襯底間電容Cdb— 漏極與襯底間電容主要的極間電容有：Ch1Semiconductor…\FET\… 基礎(chǔ)知識基礎(chǔ)知識Sect 運放模型Here:?\?\… Note:???Wele: ChapCh1Semiconductor…\1.6OP\… 基礎(chǔ)知識基礎(chǔ)知識SectN+PVo+AV (VP－ VN)運算放大器Here:?\?\… Note:???Wele: ChapCh1Semiconductor…\1.6OP\… 基礎(chǔ)知識基礎(chǔ)知識SectN+PVo運算放大器Here:?\?\… Note:???Wele: ChapCh1Semiconductor…\1.6OP\… 基礎(chǔ)知識基礎(chǔ)知識Sect ∞運算放大器 ∞Here:?\?\… Note:???Wele: ChapCh1Semiconductor…\1.6OP\… 基礎(chǔ)知識基礎(chǔ)知識Sect理想運放1.開環(huán)電壓增益 AV=∞2.輸入電阻 Ri=∞3.輸出電阻 Ro=0 B=∞ CMRR=∞、漂移和內(nèi)部噪聲為零主要條件條件較難滿足，可采用專用運放來近似滿足。Here:?\?\… Note:???Wele: ChapCh1Semiconductor…\1.6OP\… 基礎(chǔ)知識基礎(chǔ)知識Sect理想運放應(yīng)用舉例∞∞∞∞u1u2u3 由 4個理想運放組成的電路如圖，求 uo Here:?\?\… Note:???Wele: ChapCh1Semiconductor…\1.6OP\… 基礎(chǔ)知識基礎(chǔ)知識Sect理想運放的工作狀態(tài)1.理想運放的同相和反相輸入端電流近似為零2.理想運放的同相和反相輸入端電位近似相等虛斷虛短 在運算放大器處于線性狀態(tài)時，可以把 兩輸入端視為假想短路 —— 簡稱 虛短 。虛地 如將運放的同相端接地，即 VP =0，則 VN =0,即反相端是一個不接 “地 ”的 “地 ”，稱為 虛地。由于理想運放的輸入電阻非常高，可以把 兩輸入端視為等效開路 —— 簡稱 虛斷 。Here:?\?\… Note:???Wele: Chap半導體器件的命名Ch1Semiconductor…\… 應(yīng)用基礎(chǔ)中國國標命名 ：Ch2基本小信號放大器 共 e放大器和圖解法 微變等效電路分析法 工作點的穩(wěn)定 BJT放大器其他組態(tài) FET放大器 OP、 BJT與 FET的比較 多級放大器 共 e放大器和圖解法 共共 e放大器放大器 放大器的圖解分析法放大器的圖解分析法Here:?\?\… Note:???Wele: ChapCh2BasicAmplifier…\CEAmp…\…基礎(chǔ)知識基礎(chǔ)知識Sect 共 e放大器放大的概念放大器的工作原理放大器的靜態(tài)分析放大器的動態(tài)分析Here:?\?\… Note:???Wele: Chap基礎(chǔ)知識基礎(chǔ)知識放大的概念SectCh2BasicAmplifier…\CEAmp…\…基本放大電路一般是指由一個三極管組成的三種基本組態(tài)放大電路。，輸出電壓或電流在幅度上得到了放大，輸出信號的能量得到了加強。 ，只是經(jīng)過三極管的控制，使之轉(zhuǎn)換成信號能量，提供給負載。Here:?\?\… Note:???Wele: Chap基礎(chǔ)知識基礎(chǔ)知識基本 放大電路的組成SectCh2BasicAmplifier…\CEAmp…\…ECRcUi+Uo+RbEb簡化： 1.兩個電源用一個 Ec,去掉 Eb,Rb改接由 Ec供電2.公共端接地，設(shè)其電位為 0，其他各點電位以它做參考點。因此可不畫 Ec,只標出極性和大小。UoUiEC放大電路的靜態(tài)分析靜態(tài) Ui=0時，放大電路的工作狀態(tài)，也稱 直流工作狀態(tài) 。靜態(tài)分析 確定放大電路的靜態(tài)值 IB、 IC、 UCE,即靜態(tài)工作點 Q。靜態(tài)工作點的位置直接影響放大電路的質(zhì)量靜態(tài)分析方法 計算法 圖解分析法1.計算法借助于放大電路的 直流通路 來求直流通路 是能通過直流的通道。 將電路中的耦合電容和旁路電容開路，即可得到。UoUiEC放大電路的靜態(tài)分析1.計算法ECIBICUBEUCESi管： UBE=~Ge管 :UBE=~（ 2）求靜態(tài)值（ 1） 首先畫出直流通路求解順序是先求 IB→I C→U CEUCE=ECICRC2.圖解法放大電路的輸入和輸出直流負載線三極管的輸入和輸出特性曲線 確定靜態(tài)工作點（ 1）由輸入特性曲線和輸入直流負載線求 IBQ、 UBEQECIB ICUBEUCEUBE=ECIBRb → 直流負載線iBuBEEc/RbEcIBUBEQ1/Rb作出直流負載線，直流負載線和輸入特性曲線的交點即是靜態(tài)工作點 Q，由 Q可確定 IB、 UBE放大電路的靜態(tài)分析UCE=ECICRc → 直流負載線（ 1）由輸入特性曲線和輸入直流負載線求 IB、 UBE工作原理工作原理2.圖解法（ 2）由輸出