【正文】 圖解法（ 2）由輸出特性曲。1/Rb作出直流負(fù)載線，直流負(fù)載線和輸入特性曲線的交點(diǎn)即是靜態(tài)工作點(diǎn) Q，由 Q可確定 IB、 UBE放大電路的靜態(tài)分析UCE=ECICRc →圖解法放大電路的輸入和輸出直流負(fù)載線三極管的輸入和輸出特性曲線 確定靜態(tài)工作點(diǎn)（ 1）由輸入特性曲線和輸入直流負(fù)載線求 IBQ、 UBEQECIB ICUBEUCEUBE=ECIBRb →計(jì)算法ECIBICUBEUCESi管： UBE=~Ge管 :UBE=~（ 2）求靜態(tài)值（ 1） 將電路中的耦合電容和旁路電容開路，即可得到。靜態(tài)工作點(diǎn)的位置直接影響放大電路的質(zhì)量靜態(tài)分析方法 計(jì)算法 圖解分析法1.UoUiEC放大電路的靜態(tài)分析靜態(tài) Ui=0時(shí)，放大電路的工作狀態(tài)，也稱 直流工作狀態(tài) 。公共端接地，設(shè)其電位為 0，其他各點(diǎn)電位以它做參考點(diǎn)。ECRcUi+Uo+RbEb簡(jiǎn)化： 1.CEBasic???Wele:Note:\\ ，只是經(jīng)過(guò)三極管的控制，使之轉(zhuǎn)換成信號(hào)能量，提供給負(fù)載?；痉糯箅娐芬话闶侵赣梢粋€(gè)三極管組成的三種基本組態(tài)放大電路。CEBasic???Wele:Note:\\Amp…\…Amplifier…\ ChapCh2… ??基本小信號(hào)放大器 共 e放大器和圖解法 微變等效電路分析法 工作點(diǎn)的穩(wěn)定 BJT放大器其他組態(tài) FET放大器 OP、 BJT與 FET的比較 多級(jí)放大器 共 e放大器和圖解法 共共 e放大器放大器 放大器的圖解分析法放大器的圖解分析法Here:Semiconductor…\…???Wele:Note:\\由于理想運(yùn)放的輸入電阻非常高，可以把 兩輸入端視為等效開路 —— 簡(jiǎn)稱 虛斷 。理想運(yùn)放的同相和反相輸入端電位近似相等虛斷虛短 在運(yùn)算放大器處于線性狀態(tài)時(shí)，可以把 兩輸入端視為假想短路 —— 簡(jiǎn)稱 虛短 。 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)Sect理想運(yùn)放的工作狀態(tài)1.OPSemiconductor…\1.???Wele:Note:\\ \…6 ChapCh1… ??Here:輸入電阻 Ri=∞3.理想運(yùn)放1.\…6 ChapCh1… ?? 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)Sect ∞運(yùn)算放大器 ∞Here:OPSemiconductor…\1.???Wele:Note:\\\…6 ChapCh1… ?? 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectN+PVo+AV (VP－ VN)運(yùn)算放大器Here:OPSemiconductor…\1.???Wele:Note:\\\…Semiconductor…\— 源極與襯底間電容Cdb— 柵極與襯底間電容Csd極間電容Cgs— 柵極與源極間電容Cgd???Wele:Note:\\\…Semiconductor…\ Chap3.… ?? 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:FETb反映了襯底偏置電壓對(duì)漏極電流 ID的控制作用—— 跨導(dǎo)比Ch1 Chap 2.… ?? 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:FET圖解法 —g m實(shí)際就是轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率② 解析法：如增強(qiáng)型 MOS管存在 ID=K(UGSUT)2Ch1 Chap 1.… ?? 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:FET BUGSJFET：反向飽和電流劇增時(shí)的柵源電壓MOS：使 SiO2絕緣層擊穿的電壓Ch15. Chap4.… ?? 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:FETCh11.3.夾斷電壓是耗盡型 FET的參數(shù)，當(dāng) UGS=UP Chap2.… ?? 應(yīng)用基礎(chǔ)應(yīng)用基礎(chǔ)SectHere:FET Chap場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)直流參數(shù)交流參數(shù)極限參數(shù)Ch1… ?? 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:FET Chap絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道耗盡型P 溝道耗盡型Ch1… ?? 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:FET Chap各類絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)三極管的特性曲線絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管N溝道增強(qiáng)型P溝道增強(qiáng)型Ch1… ?? 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:FET Chap? N溝道 耗盡型 MOS場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線輸出特性曲線UGS=6VUGS=4VUGS=1VUGS=0VUGS=1VUGS(V)ID(mA)N溝道 耗盡型 MOS管可工作在 UGS?0或 UGS0 N溝道 增強(qiáng)型 MOS管只能工作在 UGS0Ch1… ?? 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:FET/UP)2常用關(guān)系式：Ch1IDSS(1對(duì)應(yīng) ID=0的 UGS稱為夾斷電壓，用符號(hào) UP表示。當(dāng) UGS＜ 0時(shí)，隨著 UGS的減小漏極電流逐漸 減小 。???Wele:Note:\\\…Semiconductor…\????????+++???Wele:Note:\\\…Semiconductor…\???Wele:Note:\\\…Semiconductor…\ID基本趨于不變。 基本飽和這相當(dāng)于 UDS增加使漏極處溝道縮減到剛剛開啟的情況，稱為 預(yù)夾斷。當(dāng) UDS增加到 UGD?UT時(shí)，增強(qiáng)型 MOS管? 漏源電壓 UDS對(duì)漏極電流 ID的控制作用 Chap Sect基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)… ?? 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:FET在 UDS作用下形成 IDCh1UGD＞ UT，此時(shí) UDSUGD=UGS－ UDS Chap? 漏源電壓 UDS對(duì)漏極電流 ID的控制作用UDS=UDG＋ UGS… ?? 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:FETUGS=6VUGS=4VUGS=5VUGS=3VUGS=UT=3VUGS(V)ID(mA)Ch1當(dāng) UDSUDS該區(qū)內(nèi)， UGS一定， ID基本不隨 UDS變化而變 ： Chap? N溝道 增強(qiáng)型 MOS場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線輸出特性曲線2.… ?? 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:FET2K(UGSUT)UDS UGS=6VUGS=4VUGS=5VUGS=3VUGS=UT=3VUGS(V)ID(mA)當(dāng) UGS變化時(shí)， RON將隨之變化因此稱之為 可變電阻區(qū)當(dāng) UGS一定時(shí)， RON近似為一常數(shù)因此又稱之為 恒阻區(qū)Ch1 Chap? N溝道 增強(qiáng)型 MOS場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線UGS一定時(shí)， ID與 UDS的變化曲線，是一族曲線 ID=f(UDS)?UGS=C 輸出特性曲線 ：… ?? 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:FET— 本征導(dǎo)電因子Ch1???Wele:Note:\\\…Semiconductor…\當(dāng) UGSUT時(shí) ,當(dāng) UGS=0V時(shí)，漏源之間相當(dāng)兩個(gè)背靠背的 PN結(jié)，無(wú)論UDS之間加上電壓不會(huì)在 D、 S間形成電流 ID,即 ID≈0.UDSID+ + + +++++ UGS反型層當(dāng) UGS=UT時(shí) ,當(dāng) UGS較小 時(shí)，雖然在 P型襯底表面形成一層 耗盡層 ，但負(fù)離子不能導(dǎo)電。 Chap… ?? 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:FET Chap? N溝道 增強(qiáng)型 MOS場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)增強(qiáng)型 MOS場(chǎng)效應(yīng)管漏極 D→ 集電極 C源極 S→ 發(fā)射極 E柵極 G→ 基極 B襯底 B電極 — 金屬絕緣層 — 氧化物基體 — 半導(dǎo)體因此稱之為 MOS管Ch1… ?? 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)Sect. 2 MOSFET增強(qiáng)型 MOSFET耗盡型 MOSFETHere:FET ChapCh1… ?? 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:FET Chap結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道耗盡型P溝道耗盡型Ch1… ?? 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:FET Chap? JFET特性曲線UP轉(zhuǎn)移特性曲線輸出特性曲線Ch1… ?? 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:FET? JFET工作原理Ch1當(dāng) 漏極電流為零 時(shí)所對(duì)應(yīng)的 柵源電壓 UGS稱為 夾斷電壓 UP。當(dāng) UGS＜ 0時(shí)， PN結(jié)反偏， PN結(jié)加寬，漏源間的 溝道將變窄 ， ID將減小 ，???Wele:Note:\\\…Semiconductor…\現(xiàn)以 N溝道為例說(shuō)明其工作原理。 Chap? JFET工作原理… ?? 基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)SectHere:FETP+ P+NGSDN溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 導(dǎo)電溝道Ch1???Wele:Note:\\\…Semiconductor…\???Wele:Note:\\\…Semiconductor…\BJT的 輸入電阻較低 ，一般 102~104?；因此稱其為單級(jí)型器件。FET是電壓控制元件，參與導(dǎo)電的只有 一種載流子 ，BJT參與導(dǎo)電的是 電子 — 空穴 ，因此稱其為雙極型器件；BJT是 電流控制元件 ； FET是 電壓控制元件 。???Wele:Note:\\\…Semiconductor…\???Wele:Note:\\\…Semiconductor…\?