模擬電子電路及技術(shù)基礎(chǔ)笫十章-資料下載頁
2025-02-05 15:05本頁面
【正文】 要基準(zhǔn)電壓源(UREF)。 該類基準(zhǔn)電壓源要求精度高 ， 溫度穩(wěn)定性好 (177。 106~177。 20 106左右 )， 噪聲電壓低 ， 長期穩(wěn)定度好等 ， 但其輸出電流并不大 ， 一般為幾毫安 ~十幾毫安 。 實(shí)現(xiàn)此類電壓基準(zhǔn)功能的電路和器件有兩種 ， 簡要介紹如下 。 如圖 9— 29所示 ， UBE為負(fù)溫度系數(shù) ， UT發(fā)生器乘以系數(shù) K為負(fù)溫度系數(shù) ， 二者經(jīng)相加器相加后得到基準(zhǔn)電壓 UREF： 又知 ， 結(jié)電壓 UＢＥ 隨溫度上升而下降 ， 即有 TBEREF KUUU ??(9— 40) 9— 4— 1能隙基準(zhǔn)電壓源 一、 能隙基準(zhǔn)電壓源的工作原理 (9— 41a) CTUU gBE ?? 0(9— 41b) qkTU T ?(9— 42) qkTKCTUUgREF ??? 0 UBEUT發(fā)生器K常數(shù)＋UTTUBETURE F＝ UBE＋ KUT圖 9— 29 能隙基準(zhǔn)電壓源的工作原理 式中 ， Ug0為半導(dǎo)體材料在絕對零度下 (0K)的帶隙 (Band— Gap)電壓 ， 即禁帶寬度 。 硅材料的 Ug0為， 鍺材料的 Ug0為 。 該值是一個固定不變的電壓值 。 如式 (9— 42)所示 ， 若調(diào)整 K值使第二項(xiàng)與第三項(xiàng)相抵消 ， 則 0gREFU?(9— 43) 圖 9— 30給出一個能隙基準(zhǔn)電壓源的電路例子 。設(shè)運(yùn)算放大器是理想的 ， 且 RA=RB 因此有 222121 RURUUII BEBEBE?????(9— 44) 二、能隙基準(zhǔn)電壓源電路 (9— 45) )ln()ln(122121nUIIIIUUUUTSSTBEBEBE????? 圖 9— 30 能隙基準(zhǔn)電壓源電路 ＋－I2 I1I1＋ I2V2I2I1RBUCCR3V1R4URE FU ′RAR1R2 運(yùn)放輸出電壓即基準(zhǔn)電壓 UREF為 ])[1()]ln(2)[1(])()[1()1(0432114312114343TgTBEBEREFKUCTURRnURRURRRIIURRRRUU??????????????(9— 46) 式中 ， ).ln(221 nRRK ?調(diào)節(jié) R1和 R2的值 ， 使 KUT=CT， 那么 043 )1(gREF URRU ??(9— 47) 若 R4固定 ， 則改變 R3,即可得到不同的基準(zhǔn)電壓值 。美國 AD公司的 AD580、 AD58 AD58 AD680系列電壓基準(zhǔn)的原理電路與圖 9— 30相同 。 例如 ， AD581的基準(zhǔn)電壓 UREF=10V177。 ， 溫度系數(shù) ST為 5 106/℃ ， 長期穩(wěn)定度為 25 106/1000h，輸出噪聲電壓的峰峰值小于 40μV。 能隙基準(zhǔn)電壓源的 ST≤3 106/℃ ， 噪聲電壓UNpp≥20μV。 對于高分辨率的 A/D、 D/A(16位以上 )，仍感不足 。 以埋層齊納管為參考的基準(zhǔn)電壓源的精度和穩(wěn)定度有望更高 。 9— 4— 2 以埋層齊納管為參考的超高精度基準(zhǔn)電壓源 普通齊納管的擊穿機(jī)理發(fā)生在硅晶體表面，如圖 9— 31(a)所示，表面存在更多的雜質(zhì)，易受機(jī)械壓力和晶格錯位等因素影響，導(dǎo)致?lián)舸┰肼暣?，長期穩(wěn)定性不好。 圖 9— 31 普通齊納管和埋層齊納管的擊穿部位 (a)普通齊納管； (b)埋層齊納管 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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