【正文】 斷能力還需要一段時間 ? 在正向阻斷恢復時間內如果重新對晶閘管施加正向電壓 ，晶閘管會重新正向導通 。 ? 實際應用中 ， 應對晶閘管施加足夠長時間的反向電壓 ，使晶閘管充分恢復其對正向電壓的阻斷能力 ， 電路才能可靠工作 。 ? 關斷時間 tq： trr與 tgr之和 ， 即 tq=trr+tgr （ 17)） 普通晶閘管的關斷時間約幾百微秒 。 100%90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA晶閘管的開通和關斷過程波形 晶閘管的基本特性 1. 電壓定額 晶閘管的主要參數(shù) ——在門極斷路而結溫為額定值時，允許重復加在器件上的 正向峰值電壓。 ?通常取晶閘管的 UDRM和 URRM中較小的標值作為該器件的 額定電壓 。 選用時，額定電壓要留有一定 裕量 ,一般取額定電壓為正常工作時晶閘管所承受峰值電壓 2~3倍。 —— 在門極斷路而結溫為額定值時，允許重復加在器件上的反向峰值電壓。 ——晶閘管通以某一規(guī)定倍 數(shù)的額定通態(tài)平均電流時的瞬態(tài)峰值電壓。 1) 斷態(tài)重復峰值電壓 UDRM 2) 反向重復峰值電壓 URRM 3) 通態(tài) （ 峰值 ） 電壓 UTM 2. 電流定額 晶閘管的主要參數(shù) ——晶閘管在環(huán)境溫度為 40?C和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結溫不超過額定結溫時所允許流過的 最大工頻正弦半波電流的平均值 。標稱其額定電流的參數(shù)。 ——使晶閘管維持導通所必需的最小電流，一般為幾十到幾百毫安，與結溫有關。結溫越高，則 IH越小。 ——晶閘管剛從斷態(tài)轉入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后， 能維持導通所需的最小電流對同一晶閘管來說，通常 IL約為 IH的 2~4倍。 ——指由于電路異常情況引起的并使結溫超過額定結溫的不重復性最大正向過載電流 。 4) 浪涌電流 ITSM 3) 擎住電流 IL 2) 維持電流 IH ——使用時應按實際電流與通態(tài)平均 電流 有效值相等的原則 來選取晶閘管 。 應留一定的裕量 ， 一般取 ~2倍 。 1) 通態(tài)平均電流 IT(AV) 3. 動態(tài)參數(shù) 晶閘管的主要參數(shù) —— 指在額定結溫和門極開路的情況下，不導致晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉換的外加電壓最大上升率。 ? 如果電流上升太快，則晶閘管剛一開通，便會有很大的電流集中在門極附近的小區(qū)域內，從而造成局部過熱而使晶閘管損壞 。 (2) 通態(tài)電流臨界上升率 di/dt ? 在阻斷的晶閘管兩端施加的電壓具有正向的上升率時，相當于一個電容的 J2結會有充電電流流過，被稱為 位移電流 。此電流流經(jīng) J3結時，起到類似門極觸發(fā)電流的作用。如果電壓上升率過大，使充電電流足夠大，就會使晶閘管誤導通 。 (1) 斷態(tài)電壓臨界上升率 du/dt 除開通時間 tgt和關斷時間 tq外，還有： —— 指在規(guī)定條件下，晶閘管能承受而無有害影響的最大通態(tài)電流上升率。 晶閘管的派生器件 1. 快速晶閘管 （ Fast Switching Thyristor—— FST) ?包括所有專為快速應用而設計的晶閘管 ， 有快速晶閘管和高頻晶閘管 。 ?管芯結構和制造工藝進行了改進 ， 開關時間以及 du/dt和di/dt耐量都有明顯改善 。 ?普通晶閘管關斷時間數(shù)百微秒 ， 快速晶閘管數(shù)十微秒 ，高頻晶閘管 10?s左右 。 ?高頻晶閘管的不足在于其電壓和電流定額都不易做高 。 ?由于工作頻率較高 ， 選擇通態(tài)平均電流時不能忽略其開關損耗的發(fā)熱效應 。 （ Triode AC Switch—— TRIAC或 Bidirectional triode thyristor） 圖 110 雙向晶閘管的電氣圖形符號和伏安特性 a) 電氣圖形符號 b) 伏安特性 a) b)IO UIG= 0GT1T2晶閘管的派生器件 ?可認為是一對反并聯(lián)聯(lián)接的普通晶閘管的集成。 ?有兩個主電極 T1和 T2，一個門極 G。 ?正反兩方向均可觸發(fā)導通，所以雙向晶閘管在第Ｉ和第 III象限有對稱的伏安特性。 ?與一對反并聯(lián)晶閘管相比是經(jīng)濟的，且控制電路簡單，在交流調壓電路、固態(tài)繼電器（ SSR）和交流電機調速等領域應用較多。 ?通常用在交流電路中，因此 不用平均值而用有效值來表示其額定電流值。 3 . 逆導晶閘管 （ R e v e r s e C o n d u c t i n g Thyristor—— RCT） b)a)UOIKGAIG= 0圖 111 逆導晶閘管的電氣圖形符號和伏安特性 a) 電氣圖形符號 b) 伏安特性 晶閘管的派生器件 ?將晶閘管反并聯(lián)一個二極管制作在同一管芯上的功率集成器件。 ?具有正向壓降小、關斷時間短、高溫特性好、額定結溫高等優(yōu)點。 ?逆導晶閘管的額定電流有兩個，一個是晶閘管電流，一個是反并聯(lián)二極管的電流。 4 . 光控晶閘管 （ L i g h t T r i g g e r e d Thyristor—— LTT） 光強度強 弱b)AGKa)O UAKIA圖 112 光控晶閘管的電氣圖形符號和伏安特性 a) 電氣圖形符號 b) 伏安特性 晶閘管的派生器件 ?又稱光觸發(fā)晶閘管，是利用一定波長的光照信號觸發(fā)導通的晶閘管。 ?小功率光控晶閘管只有陽極和陰極兩個端子。 ?大功率光控晶閘管則還帶有光纜 ， 光纜上裝有作為觸發(fā)光源的發(fā)光二極管或半導體激光器 。 ?光觸發(fā)保證了主電路與控制電路之間的絕緣 ， 且可避免電磁干擾的影響 ， 因此目前在高壓大功率的場合 ， 如高壓直流輸電和高壓核聚變裝臵中 ， 占據(jù)重要的地位 。 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH