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2024-12-29 11:43本頁(yè)面
【正文】 斷能力還需要一段時(shí)間 ? 在正向阻斷恢復(fù)時(shí)間內(nèi)如果重新對(duì)晶閘管施加正向電壓 ，晶閘管會(huì)重新正向?qū)?。 ? 實(shí)際應(yīng)用中 ， 應(yīng)對(duì)晶閘管施加足夠長(zhǎng)時(shí)間的反向電壓 ，使晶閘管充分恢復(fù)其對(duì)正向電壓的阻斷能力 ， 電路才能可靠工作 。 ? 關(guān)斷時(shí)間 tq： trr與 tgr之和 ， 即 tq=trr+tgr （ 17)） 普通晶閘管的關(guān)斷時(shí)間約幾百微秒 。 100%90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA晶閘管的開通和關(guān)斷過程波形 晶閘管的基本特性 1. 電壓定額 晶閘管的主要參數(shù) ——在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許重復(fù)加在器件上的 正向峰值電壓。 ?通常取晶閘管的 UDRM和 URRM中較小的標(biāo)值作為該器件的 額定電壓 。 選用時(shí)，額定電壓要留有一定 裕量 ,一般取額定電壓為正常工作時(shí)晶閘管所承受峰值電壓 2~3倍。 —— 在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許重復(fù)加在器件上的反向峰值電壓。 ——晶閘管通以某一規(guī)定倍 數(shù)的額定通態(tài)平均電流時(shí)的瞬態(tài)峰值電壓。 1) 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 UDRM 2) 反向重復(fù)峰值電壓 URRM 3) 通態(tài) （ 峰值 ） 電壓 UTM 2. 電流定額 晶閘管的主要參數(shù) ——晶閘管在環(huán)境溫度為 40?C和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時(shí)所允許流過的 最大工頻正弦半波電流的平均值 。標(biāo)稱其額定電流的參數(shù)。 ——使晶閘管維持導(dǎo)通所必需的最小電流，一般為幾十到幾百毫安，與結(jié)溫有關(guān)。結(jié)溫越高，則 IH越小。 ——晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號(hào)后， 能維持導(dǎo)通所需的最小電流對(duì)同一晶閘管來說，通常 IL約為 IH的 2~4倍。 ——指由于電路異常情況引起的并使結(jié)溫超過額定結(jié)溫的不重復(fù)性最大正向過載電流 。 4) 浪涌電流 ITSM 3) 擎住電流 IL 2) 維持電流 IH ——使用時(shí)應(yīng)按實(shí)際電流與通態(tài)平均 電流 有效值相等的原則 來選取晶閘管 。 應(yīng)留一定的裕量 ， 一般取 ~2倍 。 1) 通態(tài)平均電流 IT(AV) 3. 動(dòng)態(tài)參數(shù) 晶閘管的主要參數(shù) —— 指在額定結(jié)溫和門極開路的情況下，不導(dǎo)致晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓最大上升率。 ? 如果電流上升太快，則晶閘管剛一開通，便會(huì)有很大的電流集中在門極附近的小區(qū)域內(nèi)，從而造成局部過熱而使晶閘管損壞 。 (2) 通態(tài)電流臨界上升率 di/dt ? 在阻斷的晶閘管兩端施加的電壓具有正向的上升率時(shí)，相當(dāng)于一個(gè)電容的 J2結(jié)會(huì)有充電電流流過，被稱為 位移電流 。此電流流經(jīng) J3結(jié)時(shí)，起到類似門極觸發(fā)電流的作用。如果電壓上升率過大，使充電電流足夠大，就會(huì)使晶閘管誤導(dǎo)通 。 (1) 斷態(tài)電壓臨界上升率 du/dt 除開通時(shí)間 tgt和關(guān)斷時(shí)間 tq外，還有： —— 指在規(guī)定條件下，晶閘管能承受而無有害影響的最大通態(tài)電流上升率。 晶閘管的派生器件 1. 快速晶閘管 （ Fast Switching Thyristor—— FST) ?包括所有專為快速應(yīng)用而設(shè)計(jì)的晶閘管 ， 有快速晶閘管和高頻晶閘管 。 ?管芯結(jié)構(gòu)和制造工藝進(jìn)行了改進(jìn) ， 開關(guān)時(shí)間以及 du/dt和di/dt耐量都有明顯改善 。 ?普通晶閘管關(guān)斷時(shí)間數(shù)百微秒 ， 快速晶閘管數(shù)十微秒 ，高頻晶閘管 10?s左右 。 ?高頻晶閘管的不足在于其電壓和電流定額都不易做高 。 ?由于工作頻率較高 ， 選擇通態(tài)平均電流時(shí)不能忽略其開關(guān)損耗的發(fā)熱效應(yīng) 。 （ Triode AC Switch—— TRIAC或 Bidirectional triode thyristor） 圖 110 雙向晶閘管的電氣圖形符號(hào)和伏安特性 a) 電氣圖形符號(hào) b) 伏安特性 a) b)IO UIG= 0GT1T2晶閘管的派生器件 ?可認(rèn)為是一對(duì)反并聯(lián)聯(lián)接的普通晶閘管的集成。 ?有兩個(gè)主電極 T1和 T2，一個(gè)門極 G。 ?正反兩方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，所以雙向晶閘管在第Ｉ和第 III象限有對(duì)稱的伏安特性。 ?與一對(duì)反并聯(lián)晶閘管相比是經(jīng)濟(jì)的，且控制電路簡(jiǎn)單，在交流調(diào)壓電路、固態(tài)繼電器（ SSR）和交流電機(jī)調(diào)速等領(lǐng)域應(yīng)用較多。 ?通常用在交流電路中，因此 不用平均值而用有效值來表示其額定電流值。 3 . 逆導(dǎo)晶閘管 （ R e v e r s e C o n d u c t i n g Thyristor—— RCT） b)a)UOIKGAIG= 0圖 111 逆導(dǎo)晶閘管的電氣圖形符號(hào)和伏安特性 a) 電氣圖形符號(hào) b) 伏安特性 晶閘管的派生器件 ?將晶閘管反并聯(lián)一個(gè)二極管制作在同一管芯上的功率集成器件。 ?具有正向壓降小、關(guān)斷時(shí)間短、高溫特性好、額定結(jié)溫高等優(yōu)點(diǎn)。 ?逆導(dǎo)晶閘管的額定電流有兩個(gè)，一個(gè)是晶閘管電流，一個(gè)是反并聯(lián)二極管的電流。 4 . 光控晶閘管 （ L i g h t T r i g g e r e d Thyristor—— LTT） 光強(qiáng)度強(qiáng) 弱b)AGKa)O UAKIA圖 112 光控晶閘管的電氣圖形符號(hào)和伏安特性 a) 電氣圖形符號(hào) b) 伏安特性 晶閘管的派生器件 ?又稱光觸發(fā)晶閘管，是利用一定波長(zhǎng)的光照信號(hào)觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管。 ?小功率光控晶閘管只有陽(yáng)極和陰極兩個(gè)端子。 ?大功率光控晶閘管則還帶有光纜 ， 光纜上裝有作為觸發(fā)光源的發(fā)光二極管或半導(dǎo)體激光器 。 ?光觸發(fā)保證了主電路與控制電路之間的絕緣 ， 且可避免電磁干擾的影響 ， 因此目前在高壓大功率的場(chǎng)合 ， 如高壓直流輸電和高壓核聚變裝臵中 ， 占據(jù)重要的地位 。 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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