【正文】 ）液晶顯示器。電致發(fā)光將是一個(gè)實(shí)際效用。顯示材料可以有改變安排根據(jù)級(jí)別的電壓或電流的數(shù)額。根據(jù)安排，傳輸速率的變化。我們可以控制的亮度顯示面板，以及黑/白顯示屏是實(shí)施這一方法。多彩色顯示面板是實(shí)施安排的RGB （紅色，綠色和藍(lán)色）彩色濾光片。彩色矩形小組提供的行和列直接電壓直接。電壓。差異的兩個(gè)直接電壓是驅(qū)動(dòng)電壓的像素。這種方法被稱(chēng)為多路處理。 LCD驅(qū)動(dòng)器集成電路和用品產(chǎn)生的電壓水平。本文提出了一種260的K 彩色液晶單芯片驅(qū)動(dòng)模塊組成的柵極驅(qū)動(dòng)器和源驅(qū)動(dòng)。產(chǎn)生的柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電壓欄方向和共同的電壓。圖1顯示的TFT陣列如何建造。的柵極驅(qū)動(dòng)電壓分為兩類(lèi)：選擇一級(jí)和非選擇的水平。這些水平的電壓是由每個(gè)小組的特點(diǎn)。當(dāng)一個(gè)門(mén)線被選中，源驅(qū)動(dòng)器集成電路的電壓水平，數(shù)據(jù)的價(jià)值的解碼存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。不同的電壓門(mén)的選擇級(jí)別和資金來(lái)源的數(shù)據(jù)顯示級(jí)別確定材料的安排。目前，具有較高的色彩解析度，嵌入式記憶體容量需要更大的LCD驅(qū)動(dòng)器集成電路。擁有更大的存儲(chǔ)容量，金屬線從邏輯部分記憶需要更長(zhǎng)的時(shí)間。正因?yàn)槿绱?，嵌入式圖形內(nèi)存處理模塊，嵌入式圖形內(nèi)存控制塊中的邏輯，和時(shí)間控制塊中的嵌入式圖形內(nèi)存就變得更加重要，在設(shè)計(jì)嵌入式圖形記憶體。內(nèi)部控制塊中的嵌入式圖形記憶體特別重要的是在交流表征。耗電量合并內(nèi)存也成為一個(gè)非常重要的問(wèn)題。較高的分辨率和更大的面板，一個(gè)更大嵌入式內(nèi)存的大小是必要的。正因?yàn)槿绱?，縮小內(nèi)存大小是一個(gè)主要因素芯片大小的驅(qū)動(dòng)器IC 。由于這些因素，結(jié)構(gòu)的嵌入式記憶體，提高了8晶體管SRAM架構(gòu)，采用了6晶體管SRAM的架構(gòu)。本文第二部分介紹了架構(gòu)的圖形驅(qū)動(dòng)IC 。第三部分討論的結(jié)構(gòu)8transistor/6transitor嵌入式圖形SRAM和建筑缺陷的寫(xiě)/讀/掃描方法在6晶體管結(jié)構(gòu)。第四節(jié)中，低功耗掃描方法在6晶體管結(jié)構(gòu)的建議。在本章中，另一低功耗瀏覽方法。在第五章的實(shí)施樣本比較耗電。圖1 TFT單芯片驅(qū)動(dòng)器IC圖2．驅(qū)動(dòng)器IC的結(jié)構(gòu)一般來(lái)說(shuō)，驅(qū)動(dòng)IC組成的一個(gè)邏輯部分，模擬部分，內(nèi)存的一部分。模擬部分組成的LCD驅(qū)動(dòng)器，數(shù)碼制作轉(zhuǎn)換器，分壓器和振蕩器。振蕩電路產(chǎn)生的時(shí)鐘顯示。轉(zhuǎn)換器電路的數(shù)碼制作接收時(shí)鐘產(chǎn)生和產(chǎn)生的最高/最低電壓水平。該分壓器電路之間鴻溝的最高和最低水平。司機(jī)塊供應(yīng)各種電壓小組。圖1是一個(gè)框圖實(shí)施26萬(wàn)的TFT單芯片集成電路。在26萬(wàn)的TFT單芯片集成電路組成的一個(gè)邏輯，合并后的記憶體，振蕩器，一個(gè)數(shù)碼制作轉(zhuǎn)換塊，源/柵極驅(qū)動(dòng)塊和一個(gè)共同的電壓生成塊。邏輯部分組成的一個(gè)微控制器接口模塊，內(nèi)存處理塊，和定時(shí)控制模塊。該微控制器接口塊之間的接口的驅(qū)動(dòng)器IC和外部微控制器。內(nèi)存處理塊解碼信號(hào)接收中的微控制器接口和生成的內(nèi)存地址。該電阻陣列包含在灰階發(fā)電機(jī)。驅(qū)動(dòng)IC的實(shí)施有三種類(lèi)型的調(diào)整：梯度調(diào)整，調(diào)整的幅度，并罰款調(diào)整。時(shí)間控制模塊生成一個(gè)信號(hào)，控制面板。塊的柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)器門(mén)開(kāi)/關(guān)一級(jí)電壓（VGH / VGOF ） 。電壓產(chǎn)生的每一個(gè)塊連續(xù)生成每個(gè)電壓。 （圖2 ） 。在TFT面板必須有一個(gè)電容器的存儲(chǔ)空間。駕駛方法是兩型每電容器連接名為電容器儲(chǔ)存在TFT面板（科技委）的門(mén)和科技的共同。嵌入式內(nèi)存是一樣的正常的記憶。此外，嵌入式記憶體的運(yùn)作已進(jìn)入整個(gè)位細(xì)胞中的X 地址。輸出數(shù)據(jù)從內(nèi)存轉(zhuǎn)移到源驅(qū)動(dòng)。源驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)器小組的電壓水平，這是解讀的訪問(wèn)數(shù)據(jù)。有一次，門(mén)驅(qū)動(dòng)電路選擇一個(gè)在線的小組。下一次，柵極驅(qū)動(dòng)電路的選擇的下一行，以及嵌入式存儲(chǔ)器傳輸整個(gè)位細(xì)胞在未來(lái)的X地址。柵極驅(qū)動(dòng)電路的選擇下一個(gè)柱線。與此訪問(wèn)過(guò)程中，一條線的液晶面板的顯示方式。圖2電壓發(fā)生器序列圖3擬議的芯片模塊3．圖形存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)嵌入式圖形SRAM是有點(diǎn)組成的單元核心區(qū)塊的I / O及預(yù)充電塊，控制模塊，掃描線解碼塊，一個(gè)字線解碼座掃描鎖塊，和幾個(gè)緩沖塊。該位核心區(qū)塊商店顯示數(shù)據(jù)。的I / O及預(yù)充電塊控制充放電的比特/ bit線。掃描/字線解碼塊控制字行細(xì)胞位核心區(qū)塊。這個(gè)區(qū)塊存取存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等。該掃描鎖存塊不掃描業(yè)務(wù)。該控制模塊接收外部寫(xiě)/讀/掃描使信號(hào)處理產(chǎn)生的邏輯塊的一部分和再生的RAM內(nèi)部信號(hào)。在收到原產(chǎn)地信號(hào)傳輸經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的金屬線的長(zhǎng)度不同的金屬線。正因?yàn)槿绱耍占⒂玫男盘?hào)，最左邊的文字行區(qū)塊可以有時(shí)間上的差距的最恰當(dāng)?shù)囊粋€(gè)詞線塊。斜坡的外部信號(hào)，通過(guò)長(zhǎng)期的金屬線是低和驅(qū)動(dòng)門(mén)的斜面信號(hào)消耗更多的電力。如果信號(hào)的來(lái)源是使用改進(jìn)的I / O塊和Word線座的運(yùn)作記憶體是不穩(wěn)定的。由于這種不穩(wěn)定的，因?yàn)楦叩拇鎯?chǔ)記憶是嵌入式，再生的時(shí)間就變得更加重要。再生信號(hào)能夠進(jìn)入作業(yè)時(shí)比特/ bit線是完全穩(wěn)定。該控制模塊具有自動(dòng)檢測(cè)電路，可檢測(cè)的比特/ bit穩(wěn)定的時(shí)間。在8晶體管圖形的SRAM架構(gòu)，讀/寫(xiě)操作是一樣的正常的SRAM 。然而，葉細(xì)胞有兩個(gè)額外的晶體管，它直接連接到存儲(chǔ)的路徑。由于另外兩個(gè)晶體管連接到獨(dú)立的存儲(chǔ)單元的比特/ bit線， 2晶體管可獨(dú)立訪問(wèn)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。額外的晶體管不同的訪問(wèn)路徑可以訪問(wèn)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，即使寫(xiě)/讀操作。由于8晶體管具有獨(dú)立的掃描操作，內(nèi)存訪問(wèn)邏輯的嵌入式圖形存儲(chǔ)器很簡(jiǎn)單。然而，由于另外2晶體管，芯片尺寸大于6晶體管圖形的SRAM 。在一個(gè)單一液晶驅(qū)動(dòng)IC和低分辨率多彩色STN驅(qū)動(dòng)程序，嵌入式圖形存儲(chǔ)器大小不是主要的完整芯片。由于小組變得更大和決議越來(lái)越高，規(guī)模的嵌入式圖形存儲(chǔ)器成為占主導(dǎo)地位的驅(qū)動(dòng)器IC 。由于這一點(diǎn)，目前， 6晶體管SRAM的嵌入式圖形中使用65分之256 k/260 k彩色驅(qū)動(dòng)IC 。圖4 8序列掃描和6序列掃描的比較在6晶體管圖形存儲(chǔ)器，增加2晶體管被刪除。在掃描操作是一樣的讀操作，但選擇葉細(xì)胞是一整列行一列。由于掃描運(yùn)作6晶體管SRAM的圖形使用比特/ bit線，當(dāng)寫(xiě)/讀操作過(guò)程中，掃描作業(yè)是禁止的。內(nèi)存訪問(wèn)必須控制邏輯塊寫(xiě)/讀時(shí)間和掃描時(shí)間。掃描使信號(hào)必須蒙面和持續(xù)時(shí)間，掩蓋的是寫(xiě)作的時(shí)間。在寫(xiě)作時(shí)，必須處理塊轉(zhuǎn)讓的書(shū)面講話中的RAM 。當(dāng)面具時(shí)間被刪除，掃描信號(hào)的傳輸和處理的掃描必須移交。合乎邏輯的時(shí)間可以是一個(gè)關(guān)鍵時(shí)刻，違反和可能會(huì)導(dǎo)致多余的信號(hào)。在掃描操作，額外的檢測(cè)放大器經(jīng)營(yíng)和比特/ bit線出院。正因?yàn)槿绱耍?6晶體管架構(gòu)下的電力消耗。4．圖形存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)在一般的圖形存儲(chǔ)器，功率消耗的寫(xiě)操作是忽視。隨著能力的圖形SRAM和面板尺寸變得更大，耗電量圖形SRAM塊的重要問(wèn)題，驅(qū)動(dòng)器IC 。由于這一功率消耗，有必要縮短圖形存儲(chǔ)器內(nèi)部過(guò)渡時(shí)間。通常情況下，信號(hào)的外部邏輯塊有很長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)，因?yàn)闀r(shí)間利潤(rùn)率。嵌入式圖形存儲(chǔ)器接收外部信號(hào)并重新生成優(yōu)化的時(shí)間信號(hào)，這是一個(gè)選擇的時(shí)間更短的字線比正常選擇時(shí)間。優(yōu)化的時(shí)間是一個(gè)決定時(shí)，讀/寫(xiě)操作是穩(wěn)定的。這意味著，比特/ bit有足夠的電壓水平的差距。如果比特/ bit差距高，能耗高，內(nèi)存操作是穩(wěn)定的。如果比特/ bit差距低，能耗低，內(nèi)存操作很可能是不穩(wěn)定的。這種方法是有效的降低能耗，因?yàn)殚_(kāi)放的道路時(shí)，從比特/ bit葉細(xì)胞的縮短。這種方法可用于掃描作業(yè)。這種方法還可以減少的時(shí)候，感應(yīng)放大器操作和Word線選擇。在掃描操作6晶體管SRAM的嵌入式圖形，耗電量大于8晶體管圖形的SRAM ，因?yàn)橹较蜻B接位/ bit細(xì)胞完全充電/放電。該計(jì)劃的再生時(shí)間是必要的，嵌入式圖形6晶體管內(nèi)存。通常情況下，所產(chǎn)生的時(shí)鐘由內(nèi)部振蕩器決定掃描時(shí)鐘和頻率的掃描時(shí)鐘決定顯示幀頻。由于幀頻率為數(shù)十赫茲，通常這是一個(gè)低得多的頻率比書(shū)面頻率移動(dòng)圖片，如果收件和掃描信號(hào)同時(shí)發(fā)生，掃描信號(hào)必須蒙面的書(shū)面信號(hào)。圖5描述了掩蔽作業(yè)時(shí)，掃描信號(hào)和書(shū)面信號(hào)同時(shí)出現(xiàn)。寫(xiě)入/讀地址和掃描地址都是獨(dú)立的和所提供的掩蔽信號(hào)。雖然掃描信號(hào)蒙面，寫(xiě)入信號(hào)應(yīng)用于圖形存儲(chǔ)器。其他掃描信號(hào)，除第一次掃描信號(hào)，獲得相同的數(shù)據(jù)作為第一掃描數(shù)據(jù)。這種方法效率不高，因此，我們建議刪除多余的掃描操作[ 11 ] 。這種方法可以減少多余的切換掃描信號(hào)，可以推導(dǎo)出了功率消耗多余的切換。在本文中，我們目前更先進(jìn)的方法省電。案件1 [圖]是，使掃描過(guò)程中產(chǎn)生的信號(hào)的線路運(yùn)營(yíng)。第一個(gè)輸入檢測(cè)電路決定的第一個(gè)信號(hào)，然后輸入信號(hào)首先讓行動(dòng)積極。在稍后舉行的輸入信號(hào)是在等待電路。然后，第一次作業(yè)完成后，信息的信號(hào)，完成的操作中會(huì)產(chǎn)生內(nèi)存。信息信號(hào)讓持有信號(hào)是積極的。的情況下運(yùn)作是兩種類(lèi)型。該case1是，收件使信號(hào)首先投入。案件2的是，掃描使信號(hào)首先投入。如果兩個(gè)信號(hào)同時(shí)出現(xiàn)，寫(xiě)入信號(hào)首先啟動(dòng)。這種方法可以刪除多余的操作，可發(fā)生在內(nèi)存訪問(wèn).圖5 掃描信號(hào)屏蔽方法圖6擬議框圖5．實(shí)驗(yàn)裝置圖7是一個(gè)照片260的K 彩色小的TFT單芯片LCD驅(qū)動(dòng)器集成電路。該集成電路的組成與來(lái)源渠道的TFT與396部分的產(chǎn)出和薄膜晶體管柵極通道272產(chǎn)出。該芯片大小為19970 3170 。中心部分是內(nèi)存塊和塊左側(cè)的內(nèi)存塊是嵌入式圖形內(nèi)存塊。因?yàn)榻饘倬€從邏輯記憶很長(zhǎng)，進(jìn)入時(shí)機(jī)是非常重要的。提出的訪問(wèn)方法可以刪除運(yùn)行中的異常造成的長(zhǎng)期金屬拖延。圖7 一個(gè)芯片的TFT驅(qū)動(dòng)器的照片圖該振蕩電路位于內(nèi)存塊之間的柵極驅(qū)動(dòng)器塊?；叶葔K位于左側(cè)部分的邏輯塊。源驅(qū)動(dòng)塊位于上述每個(gè)內(nèi)存宏塊。四季度雙方都包裹墊。嵌入式圖形646272位內(nèi)存塊分為3大區(qū)塊，因?yàn)楦叨鹊慕档托酒徒饘偻涎?。?yōu)化的高度和長(zhǎng)度是一個(gè)重要的因素在一些凈死。每個(gè)宏觀內(nèi)存塊可以選擇的選擇信號(hào)時(shí)，讀/寫(xiě)信號(hào)提供。這種方法降低了內(nèi)存訪問(wèn)能力。掃描操作系統(tǒng)可以同時(shí)執(zhí)行。和每個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊有時(shí)間控制生成塊。時(shí)間控制生成塊重新生成寫(xiě)/讀/掃描信號(hào)，寫(xiě)/讀/掃描信號(hào)的邏輯。重新生成寫(xiě)/讀/掃描信號(hào)可以減少電力消耗的內(nèi)存中。測(cè)試完成了調(diào)Q標(biāo)簽手工測(cè)試板。，表1描述了消耗電流僅為邏輯部分的寫(xiě)作時(shí)間，顯示有關(guān)。在過(guò)去的芯片，耗電量一點(diǎn)一毫安在4MHz 。在提出的芯片。 79 ％的能量消耗的上一季度減少在提交芯片。寫(xiě)作和掃描測(cè)試是通過(guò)一本手冊(cè)局的PC接口。注銷(xiāo)時(shí)間是在4我們提供的，這是最低的時(shí)鐘在PC 。能夠在一次掃描時(shí)間，寫(xiě)作的最低總認(rèn)輸是2 ， 8模塊測(cè)試環(huán)境。基本信號(hào)產(chǎn)生在PC和高速信號(hào)中會(huì)產(chǎn)生一個(gè)FPGA板。圖8 模塊顯示6．結(jié)論第一種方法是再生時(shí)間的方法，可以接收信號(hào)的獲取外部邏輯和再生的最佳時(shí)間。這種方法可以適用于嵌入式圖形存儲(chǔ)器。第二種方法消除了一些多余的掃描信號(hào)。這種方法消除了一些多余的通道，可用于在一個(gè)邏輯塊。 V電源。耗電量是衡量一個(gè)正常顯示。該模塊是有效的手持設(shè)備。