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正文內(nèi)容

全橋驅動器芯片uba2032tuba2032ts-資料下載頁

2025-06-24 21:24本頁面
  

【正文】 D燈的使用壽命取決于通過石英燈管壁的鈉遷移率。因此,為使鈉遷移率最小化以延長燈的使用壽命,HID燈可在相對于系統(tǒng)地的負電壓下操作。該電路中的UBA2032TS的腳+LVS和HV與橋路控制電路施加相同的低電源電壓,腳-LVS連接到系統(tǒng)地。以系統(tǒng)地為參考,該橋路可在-450V最大值的負電壓下操作,同時“H”橋的輸出狀態(tài)與IC腳ESTDR上的控制信號相關。這樣,在HID燈點火時,電路會產(chǎn)生一個非常大的EMC尖峰脈沖,同時在全橋MOSFET(LL、LR、HR和HL)的柵極上會產(chǎn)生非常高的瞬態(tài)電壓或振蕩。當MOSFET柵極直接與IC內(nèi)的輸出驅動器輸出(腳GHR、GHL、GHL和GLL)直接耦合時,驅動器輸出會產(chǎn)生電壓過沖擊。為削弱驅動器輸出的過應力,可在每只MOSFET柵極上串聯(lián)一只最小值不低于100Ω的電阻,并并聯(lián)一只高速開關二極管(如IN4148)。如果每只MOSFET的柵極電荷為QG,那么當橋路頻率為fbridge時,4只MOSFET的總柵極電流IG為4fbrigeQG。該電流可由內(nèi)部低壓電源(VDD)來提供。由于VDD提供的最大電流被內(nèi)部保護電路限制在11mA,因此,為了防止電流供應不足,設計時應附加一個輔助低壓電源。UBA2032的同類器件還有UBA2030和UBA2033等。8 / 8
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