固體物理復習提綱20xx-資料下載頁
2025-08-05 03:16本頁面
【正文】 比于（E為電子的能級）解：自由電子在K空間的等能面是球面，其半徑為 自由電子的狀態(tài)密度： 第五章 金屬電子論（25）電子能帶理論中，電子填充服從費米—狄拉克統(tǒng)計，即在溫度為T時，能量為E的一個量子態(tài)在熱平衡下被電子占據(jù)的概率為 （26）簡述接觸電勢差(1)金屬費米能級有兩個明確的物理意義：其一是0K下，電子所能填充的最高能級；其二是0K下，電子的化學勢。(2)金屬的費米能級不同，意味著其中電子的化學勢不同，當兩者接觸時，電子會從化學勢高的金屬流向化學勢低的金屬，導致失電子金屬點位升高，得電子金屬電位下降，從而形成接觸勢差。第六章 晶體的缺陷掌握點缺陷（4種）：空位，填隙原子，弗倫克爾缺陷，雜質原子、線缺陷（2種）：刃位錯、螺位錯、面缺陷（2種）：晶界 層錯第七章 半導體 掌握半導體結構，單質（金剛石結構），化合物（閃鋅礦結構） 半導體的能帶結構：直接帶隙半導體，間接帶隙半導體 （27）簡述半導體光吸收的主要物理過程，并在能帶示意圖上定性表示之答：直接帶隙半導體，導帶的最低點和價帶的最高點出現(xiàn)在同一個k值處，光的躍遷是垂直的，光吸收滿足下述條件：（光子能量等于帶隙）；間隙帶隙半導體，導帶的最低點和價帶的最高點不出現(xiàn)在同一個k值處，帶間吸收時躍遷后電子的動量與躍遷前電子動量不相等，需要聲子參與以滿足躍遷過程中電子動量守恒，即：，圖見P225， 掌握雜質半導體的形成機理，能帶結構（28）雜質半導體可通過用適當雜質元素摻雜獲得，試畫出施主能級，受主能級的示意圖。答：施主能級：束縛電子的雜質局域態(tài)相應的能級，導帶上的電子數(shù)要大大多于價帶的空穴數(shù)，這種以導帶電子為主要載流子的半導體稱為n型半導體。受主能級：束縛空穴的雜質局域態(tài)的相應能級，其價帶的空穴數(shù)要比導帶的電子數(shù)多得多，這種以空穴為主要載流子的半導體稱為p型半導體。課本p231 ，Ed是雜質能級，因為摻雜而引入的能級。施主能級 受主能級
畢業(yè)設計相關推薦
鄂ICP備17016276號-1