tspc鎖存器的設(shè)計(jì)與hspice仿真-資料下載頁(yè)
2025-08-05 00:01本頁(yè)面
【正文】 PULSE .2 2 1N 1N 1N 4N 15N.MODEL NCH NMOS LEVEL=1.MODEL PCH PMOS LEVEL=1.END設(shè)計(jì)原理：該鎖存器共需6個(gè)MOS管，其中2個(gè)PMOS，4個(gè)NMOS。在程序設(shè)計(jì)過(guò)程中，我們確定MM2為PMOS管，MMMM6為NMOS管，為了讓實(shí)驗(yàn)效果明顯。并且設(shè)定PMOS、NMOS均為一級(jí)HSPICE模型。五、方案的實(shí)現(xiàn)1．HSPICE軟件運(yùn)行圖2．節(jié)點(diǎn)分析表如上圖顯示，表中的in表示輸入，clk為始終脈沖，out為鎖存器輸出。0代表地，vdd為高電平。3為自行定義的節(jié)點(diǎn)六、結(jié)果與分析按要求運(yùn)行軟件程序，可以得到以下圖形七、創(chuàng)新點(diǎn)TSPC還有一個(gè)額外優(yōu)點(diǎn)：可以將邏輯功能嵌入到鎖存器中，這就減少了鎖存器相關(guān)的延遲。 它除了完成鎖存功能之外有實(shí)現(xiàn)了兩個(gè)In1和In2的AND功能。雖然這一鎖存器的建立時(shí)間要比【圖1】的實(shí)現(xiàn)有所增加，但這一數(shù)字電路的整體性能得到了提高：建立時(shí)間的增加一般要小于一個(gè)AND門的延遲。這種將邏輯嵌入鎖存器的方法已廣泛應(yīng)用于EV4 DEC Alpha微處理器及其他許多高性能處理器中。下圖：八、心得與體會(huì)7
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