【正文】 地源熱泵的整體性能起著決定性作用，因此測試地源熱泵地下?lián)Q熱器換熱性能對(duì)地源熱泵設(shè)計(jì)、改性和評(píng)價(jià)至關(guān)重要。目前的現(xiàn)場測試需要很多儀器和設(shè)備，每測一個(gè)地下?lián)Q熱器，均需重新搭建試驗(yàn)臺(tái)，且實(shí)驗(yàn)場地與實(shí)驗(yàn)室有一定距離，搬運(yùn)如此多設(shè)備也非常不方便，浪費(fèi)時(shí)間、浪費(fèi)人力和財(cái)力。為改進(jìn)這些缺點(diǎn)，本項(xiàng)目將地下?lián)Q熱器測試平臺(tái)進(jìn)行集成，并做成移動(dòng)測試車的形式，對(duì)不同的地下?lián)Q熱器只需進(jìn)行測點(diǎn)布置，即可快速進(jìn)行測量。該測試車的特點(diǎn)如下：（1）軟硬件同時(shí)具備，操作方便。測試所用的儀器和設(shè)備均集成于車內(nèi)，且?guī)в邢嚓P(guān)軟件，可直接讀取和記錄測試數(shù)據(jù)；（2）體積較小，移動(dòng)較為方便，非常適合于規(guī)模化測試；（3）成本合理，所用材料、儀器設(shè)備均可方便從市場獲得。目前國內(nèi)未見相關(guān)測試車的報(bào)道。因?yàn)閲覍?duì)地源熱泵的有效引導(dǎo)以及目前地源熱泵在國內(nèi)的發(fā)展?fàn)顩r態(tài)勢良好，可以預(yù)見該移動(dòng)測試車會(huì)在市場上較受歡迎，效益巨大。合作條件：希望對(duì)方對(duì)地源熱泵技術(shù)有所了解?；谖⒎止饧夹g(shù)的新型瓦斯檢測技術(shù)與推廣應(yīng)用負(fù)責(zé)人：王海容所在院系：機(jī)械工程學(xué)院精密工程研究所項(xiàng)目簡介:針對(duì)礦井瓦斯安全與預(yù)警系統(tǒng)的需求，本項(xiàng)目提出采用硅微分光技術(shù)的紅外吸收法對(duì)礦井常見有害氣體如CHCO等進(jìn)行精確可靠的測試，研制成功新一代具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，能夠適合礦井粉塵多、潮濕、易燃和易爆等特點(diǎn)的檢測與預(yù)警系統(tǒng)。主要研究工作包括：根據(jù)危險(xiǎn)氣體的紅外譜特性，在中紅外譜段確定合適的本征吸收峰，研制相應(yīng)的基于MEMS技術(shù)的硅微閃耀光柵；設(shè)計(jì)微準(zhǔn)直系統(tǒng)，與硅微閃耀光柵組成紅外微分光系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)紅外二極管光源在CHCO等的吸收峰波長的單色或極窄帶寬紅外光的輸出；研制低功耗放大與報(bào)警電路、吸收氣室，進(jìn)而與微分光部分組成測試與預(yù)警系統(tǒng)；對(duì)被測氣體進(jìn)行實(shí)際測試，并最終形成能夠可靠工作的樣機(jī)，通過鑒定，在實(shí)際工況達(dá)到穩(wěn)定工作兩個(gè)月以上的要求。該項(xiàng)目所涉及的硅微閃耀光柵分光技術(shù)比現(xiàn)有的非分光紅外吸收法、光干涉以及傳統(tǒng)的生化方法具有明顯的技術(shù)優(yōu)勢，將可避過國外現(xiàn)有專利，形成具有原創(chuàng)性的成果。同時(shí)本項(xiàng)目所采用的微分光技術(shù)也將對(duì)汽車尾氣檢測、室內(nèi)氣體檢測技術(shù)的發(fā)展具有積極的推進(jìn)作用。技術(shù)創(chuàng)新性和領(lǐng)先性: 216。 采用硅微閃耀光柵的微器件分光技術(shù)進(jìn)行礦井甲烷、一氧化碳等氣體的檢測與預(yù)警，比NDIR技術(shù)、光干涉法和現(xiàn)有其它光學(xué)技術(shù)以及傳統(tǒng)生化技術(shù)有著明顯的技術(shù)上的優(yōu)勢。216。 微分光器件使MEMS技術(shù)加工的硅微閃耀光柵,在批量加工下單件閃耀光柵的成本可以很低,從而降低CHCO檢測與預(yù)警系統(tǒng)成本。216。 、從而具有更高靈敏度，并降低了其它氣體對(duì)測量結(jié)果的干擾；216。 采用紅外LED、微準(zhǔn)直系統(tǒng)、微分光器件和低功耗的檢測電路使系統(tǒng)體積減小,功耗降低；市場及效益分析項(xiàng)目的市場需求分析目前MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）技術(shù)的發(fā)展，使很多小器件在大規(guī)模加工下成本很低?；诠栉⒓庸さ墓鈻?、閃耀光柵等典型微光學(xué)器件，可以通過MEMS技術(shù)大規(guī)模加工，這些器件可以進(jìn)行分光、濾光等功能，因此可以在紅外吸收器件中得到廣泛應(yīng)用。該項(xiàng)目的實(shí)施不僅能夠提供新一代基于微分光器件紅外吸收的煤礦瓦斯的可靠檢測與預(yù)警原型系統(tǒng)，由于硅微閃耀光柵的批量加工成本低的特點(diǎn)將可使該原型系統(tǒng)變成實(shí)用的工業(yè)化產(chǎn)品，進(jìn)而帶來明顯的社會(huì)效益和經(jīng)濟(jì)效益。所以，該項(xiàng)目作為下一代礦井安全檢測技術(shù)，如能替代目前所用光干涉或化學(xué)原理的檢測設(shè)備，將可產(chǎn)生可觀的市場需求量。項(xiàng)目的效益分析目前礦井安全已經(jīng)社會(huì)問題，而相關(guān)密切相關(guān)的安全檢測與報(bào)警系統(tǒng)，相比國外技術(shù)仍有差距?，F(xiàn)在國內(nèi)已經(jīng)有各種瓦斯檢測系統(tǒng)，即有傳統(tǒng)的化學(xué)原理，也有現(xiàn)有光電原理。但在精度、可靠性上仍需改進(jìn)。非分光紅外法(NDIR)，它利用某些待測氣體對(duì)特定波長的紅外輻射能的吸收程度不同來測定該氣體的濃度。在基于分光的最新的瓦斯檢測系中，使用電調(diào)制紅外光源，比傳統(tǒng)方法中的機(jī)械調(diào)制部件具有體積小、響應(yīng)時(shí)間快的優(yōu)點(diǎn)；同時(shí)采用高精度干涉濾光片及單光束雙波長技術(shù)，配合易拆卸的鍍膜氣室，可以實(shí)現(xiàn)CH4等等氣體的實(shí)時(shí)高精度測量。目前該類產(chǎn)品已經(jīng)成為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，國外有幾家公司生產(chǎn)相關(guān)的檢測儀器，如美國REA，但其產(chǎn)品的紅外檢測部分、濾波膜片仍需要國外公司進(jìn)口。從自主產(chǎn)權(quán)來看，國內(nèi)產(chǎn)品實(shí)際上缺乏一個(gè)“芯”。而采用35mm之間的分光技術(shù)，將可產(chǎn)生比較強(qiáng)的CH4氣體的本征吸收峰的近似單色的紅外光。通過微分光技術(shù)，紅外吸收所用光的波長更精確，帶寬更窄，從而使測試結(jié)果更準(zhǔn)，更可靠。該方法將用于礦井安全檢測與報(bào)警，可以提高產(chǎn)品精度，大幅提升產(chǎn)品附加值，增加產(chǎn)品競爭力。該項(xiàng)目的成果將避開國外在NDIR方面的專利，產(chǎn)生具有獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)的產(chǎn)品，形成真正的中國制造技術(shù)。為提升我國礦井安全生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。該項(xiàng)目的實(shí)施不僅能夠提供新一代基于微分光器件紅外吸收的煤礦瓦斯的可靠檢測與預(yù)警原型系統(tǒng)，由于硅微閃耀光柵的批量加工成本低的特點(diǎn)將可使該原型變成實(shí)用的工業(yè)化產(chǎn)品，從而還帶來豐厚經(jīng)濟(jì)和明顯的社會(huì)效益。此外，該原理還可用于汽車尾氣測試系統(tǒng)、 環(huán)境檢測、家用安全報(bào)警裝置、辦公室環(huán)境檢測、其他危險(xiǎn)氣體檢測的場合。對(duì)于任何一個(gè)應(yīng)用場合而言,都將產(chǎn)生新的產(chǎn)品，進(jìn)而產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟(jì)效益。推廣應(yīng)用前景分析從產(chǎn)業(yè)化角度看中國與發(fā)達(dá)國家的主要差距在于缺乏核心技術(shù)的自主創(chuàng)新能力，特別是在芯片級(jí)和系統(tǒng)級(jí)。本課題開發(fā)出具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的基于硅微閃耀光柵CH4氣體的檢測與預(yù)警系統(tǒng)，完成系統(tǒng)設(shè)計(jì)、加工、測試過程，形成完整技術(shù)方案。由于準(zhǔn)直、分光、檢測電路等系統(tǒng)可獨(dú)立生產(chǎn)另外，這種獨(dú)立完成加工工藝流程制定和測試，保證系統(tǒng)的性能穩(wěn)定性，將加快該技術(shù)的研究和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，為最終的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。作為更廣泛的推廣，該技術(shù)實(shí)現(xiàn)NDIR方式適用氣體的精密測量，如HC,CO2,CO等氣體，因此具有多種場合的應(yīng)用價(jià)值。合作條件要求該項(xiàng)目的實(shí)施不僅能夠提供新一代基于微分光器件紅外吸收的煤礦瓦斯的可靠檢測與預(yù)警原型系統(tǒng)，此外，該原理還可用于汽車尾氣測試系統(tǒng)、 環(huán)境檢測、家用安全報(bào)警裝置、辦公室環(huán)境檢測、其他危險(xiǎn)氣體檢測的場合。同時(shí)，并與應(yīng)用場合相對(duì)應(yīng)的公司或企業(yè)進(jìn)行合作。數(shù)字式電力設(shè)備局部放電測試儀負(fù)責(zé)人：徐 陽所在院系：電氣學(xué)院隨著現(xiàn)代測試技術(shù)的發(fā)展，數(shù)字化的局部放電檢測已經(jīng)成為IEC與國家標(biāo)準(zhǔn)的要求，其逐步取代模擬式的局放成為可能。本項(xiàng)目所研制的數(shù)字化電力設(shè)備局部放電測試儀采用FPGA技術(shù)與虛擬儀器技術(shù)，實(shí)現(xiàn)局部放電的視在放電電荷量及其對(duì)應(yīng)的相位、放電次數(shù)等多參數(shù)的測量。所檢測放電脈沖時(shí)間分辨率小于10181。s；可顯示工頻周期放電圖、二維（Qφ,Nφ,NQ）及三維（NQφ）放電譜圖，并提供放電趨勢分析、歷史查詢及打印報(bào)表等功能，亦可以定時(shí)自動(dòng)啟動(dòng)監(jiān)測，實(shí)現(xiàn)整個(gè)監(jiān)測過程自動(dòng)化，測試結(jié)果可通過網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程通訊。 高靈敏度MSM型ZnO基日盲紫外探測器負(fù)責(zé)人：張景文所在院系：電子與信息工程學(xué)院項(xiàng)目簡介：由于地球大氣層中的臭氧對(duì)200290nm波段紫外光的幾乎完全吸收，形成所謂的“日盲區(qū)”，此時(shí)，導(dǎo)彈羽煙的紫外輻射在微弱的紫外背景下就容易顯現(xiàn)出來。因此，紫外告警系統(tǒng)可以在比較干凈的背景中探測導(dǎo)彈羽煙的中紫外輻射，降低了信號(hào)處理的難度，使虛警率大大降低。日盲紫外探測可廣泛應(yīng)用于戰(zhàn)術(shù)導(dǎo)彈目標(biāo)的預(yù)警探測和戰(zhàn)場上的短距離紫外秘密通信，可用于空載、艦載或地面探測預(yù)警系統(tǒng)，也可以用于紫外天文和紫外星敏感器，也同時(shí)可用于災(zāi)害天氣預(yù)報(bào)、火災(zāi)監(jiān)測、紫外環(huán)境監(jiān)測、海洋石油溢油監(jiān)測、公安指紋鑒定等探測。研究已證明ZnO基光功能材料相比GaAs、GaN、InP、Si、SiC等化合物半導(dǎo)體具有更好的空間抗輻照特性，其空間抗輻照特性是GaN基薄膜材料的上百倍。本項(xiàng)目開發(fā)出了一種新型抗輻照的、可靠性高、壽命長、成本低、可單片集成的 MSM型ZnO基日盲紫外探測器。相比常規(guī)的Si基紫外探測器其靈敏度可提高兩個(gè)數(shù)量級(jí)。技術(shù)指標(biāo)：在5V偏壓下，對(duì)啵長為285nm的紫外光響應(yīng)靈敏度優(yōu)于2200A/W，暗電1μA，明暗比104，響應(yīng)速度優(yōu)于30ns。技術(shù)創(chuàng)新性和領(lǐng)先性：擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，已經(jīng)申報(bào)相關(guān)專利。主要是工藝的創(chuàng)新，目前所開發(fā)出的探測器其各項(xiàng)指標(biāo)均優(yōu)于其它各類半導(dǎo)體紫外探測器，其抗輻射性能穩(wěn)定。進(jìn)一步采用ZnO納米線做活性有源層，將有希望實(shí)現(xiàn)單光子探測靈敏度，將替代昂貴的紫外光電倍增管。與國內(nèi)外同類產(chǎn)品比較:美國實(shí)驗(yàn)室靈敏度：1800A/W（5V偏壓，365nm）；印度實(shí)驗(yàn)室靈敏度：600A/W（5V偏壓，365nm）；我們實(shí)驗(yàn)室靈敏度：2200A /W（5V偏壓，365nm）。市場及效益分析：下面以其在軍事方面的用途為例分析其經(jīng)濟(jì)效益：本項(xiàng)目器件的開發(fā)成功必將提升我軍在導(dǎo)彈預(yù)警方面的作戰(zhàn)能力，更新現(xiàn)有的武器裝備，不但可以使紫外探測裝置實(shí)現(xiàn)完全日盲、低電壓、高靈敏、高可靠、輕型化和長壽命，而且將大大降低武器裝備的制造成本。常規(guī)的導(dǎo)彈告警系統(tǒng)是由濾光片和光學(xué)組件、圖象增強(qiáng)器組件、光纖探頭和一個(gè)電荷耦合器件探測器組成。該裝置探測過程復(fù)雜，能量以光子形式從目標(biāo)進(jìn)入告警系統(tǒng)，將能量聚焦到光電陰極，同時(shí)將無關(guān)的波長濾掉。光電陰極將光子轉(zhuǎn)換成電子，然后打到圖像增強(qiáng)器。該圖像增強(qiáng)器通過MCP大約一百萬個(gè)因子放大這些輸入電子，使上百萬個(gè)電子成束離開圖象增強(qiáng)器。這些電子隨后打到熒光屏,再將它們轉(zhuǎn)換成光子。這些光子由熒光屏發(fā)射出來，然后進(jìn)入光纖光錐，圖像增強(qiáng)器的輸出直徑與電荷耦合器件探測器的輸入直徑相匹配。這些光子隨后被電荷耦合器件探測到后轉(zhuǎn)換成信號(hào)，傳送給處理算法。信息處理過程中，除了探測效果外，最重要的應(yīng)是設(shè)備的成本。每套電荷耦合器件與圖像增強(qiáng)器成本價(jià)各接近4000美元。濾光片及光學(xué)組件初樣成本為9000美元，批量成本目標(biāo)為每套4000～5000美元。而使用ZnMgO等寬帶隙化合物，可以做到完全日盲，無需昂貴的大的硫酸鎳單晶濾光片單晶，它取代了目前的光學(xué)組件，圖象增強(qiáng)器(含高壓電源)與電荷耦合器件。替換后的光學(xué)組件將是一元或二元組件，采用一些外來材料，作為目前設(shè)計(jì)的一部分。它們?nèi)孕杈哂心撤N濾光特性，但研制成本低、開發(fā)更為簡單。圖像增強(qiáng)器、光纖光錐以及電荷耦合器件均被單一的探測器取代。探測器比目前使用的電荷耦合器件成本還要低,光學(xué)元件的成本由4000美元降至500美元。結(jié)果每套探測器的生產(chǎn)成本節(jié)約將超過7000美元?？梢娺@一項(xiàng)目的開發(fā)具有可觀的經(jīng)濟(jì)效益。合作條件要求：采用技術(shù)入股方式，共同開發(fā)經(jīng)營，預(yù)計(jì)投資500萬元柔性全透明場效應(yīng)薄膜晶體管開關(guān)陣列負(fù)責(zé)人：張景文所在院系：電子與信息工程學(xué)院項(xiàng)目簡介：薄膜晶體管（TFT）被廣泛用于驅(qū)動(dòng)電子紙、LCD、有機(jī)EL顯示屏。作為TFT材料，透明氧化物半導(dǎo)體（TCO）受到研究者和顯示屏生產(chǎn)廠商的矚目。TCOTFTs相比非晶硅和多晶硅TFT由于具有高電子遷移率、高電導(dǎo)、生長溫度低和高透光性已經(jīng)成為當(dāng)前的研究熱點(diǎn)之一。基于單晶和多晶的ZnO、SnOIn2O3 TFT相繼被報(bào)道。對(duì)于柔性顯示器件來說，非晶態(tài)氧化物TFT由于具有常溫生長、薄膜光潔度高、低應(yīng)力、兼容性好和可大面積生長的優(yōu)勢可能今后柔性平板顯示TFT驅(qū)動(dòng)開關(guān)陣列的首選材料。 當(dāng)前在TFTLCD和TFTOLED中，其開關(guān)元件主要采用非晶硅薄膜晶體管(aSi)和多晶硅薄膜晶體管(pSi)。aSi TFT LCD由于具有制備工藝簡單，漏電流小等特點(diǎn)，應(yīng)用最廣、發(fā)展最快、工藝最為成熟的一種顯示器件。但是隨著液晶顯示器向著高清晰度和大顯示容量發(fā)展，像素元尺寸越來越小，為了保證足夠高的開口率，要求TFT的尺寸更小。同時(shí)，由于像素密度的增加，單元像素的充電時(shí)間更短，這樣就要求提高TFT的充電能力，即更大的TFT開態(tài)電流。而目前aSi材料的遷移率和摻雜效率較低，不能滿足小尺寸、高充電能力TFT的要求。另外非晶硅材料有很強(qiáng)的光電效應(yīng)，從而降低TFT的關(guān)態(tài)電阻，影響液晶像素的電荷存貯特性。正是因?yàn)榉蔷Ч璞∧ぞw管存在上述問題，九十年代后期人們把注意力轉(zhuǎn)移到多晶硅材料，多晶硅的載流子遷移率比aSi高1～2數(shù)量級(jí)。這就使得pSi TFT的響應(yīng)速度快，圖像數(shù)據(jù)寫入速度快，更適于大容量的高頻顯示。同時(shí)，TFT的尺寸可以縮小，提高器件開口率。還可以利用PSi COMS電路制作液晶顯示陣列的外圍驅(qū)動(dòng)電路，解決了高密度引線的困難等問題，使顯示區(qū)域與周邊驅(qū)動(dòng)電路集成一體化。和aSi相比，ｐSi抗光干擾能力強(qiáng)，省去了遮光層。但是pSi TFT目前存在兩個(gè)問題，一是TFT的關(guān)態(tài)電流較大；二是高遷移率多晶硅材料低溫大面積制備較困難，工藝上存在一定的難度，因此人們?cè)诓粩嗟貙ふ倚阅芨觾?yōu)良的材料體系。 同樣，有機(jī)EL顯示技術(shù)也是當(dāng)前科技界和產(chǎn)業(yè)界普遍看好的一種很有前途的顯示技術(shù)，但SiTFTOLED同樣也存在所發(fā)出的大部分（70%90%）光的被SiTFT遮擋的現(xiàn)象。而OLED的亮度與其注入電流成正比，所以為了提高其顯示亮度，注入電流將增大，而電流增大會(huì)造成發(fā)熱增加，導(dǎo)致器件失效加速。如果采用低溫生長工藝在柔性基底上實(shí)現(xiàn)全透明氧化物半導(dǎo)體TFT將會(huì)有效地改善其不足。 柔性電子顯示由于具有超薄、重量輕、省電、可折疊和良好的性能特點(diǎn)，亦成為當(dāng)前超薄顯示的發(fā)展主流。但是由于傳統(tǒng)的TFT驅(qū)動(dòng)開關(guān)陣列遷移率低 (1 cm2/Vs)和高的工藝溫度（350℃），難以與柔性電子顯示所用的基底和材料兼容。因此開發(fā)與之兼容的柔性基底上全透明氧化物半導(dǎo)體TFT開關(guān)陣列成為當(dāng)前的迫切需求之一。主要功能：采用ZnO薄膜材料做透明TFT則可避免硅基TFT的缺點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)高開口率、高遷移率的LCD和OLED平面顯示。避免光電效應(yīng)，降低能耗，無毒環(huán)保。例如用于筆記本電腦和手機(jī)可以大大延長其工作和待機(jī)時(shí)間。技術(shù)指標(biāo)：初期可以開發(fā)一些適用于小屏的ZnO基板玻璃。TTFT溝道寬度為10μm，長度為20μm，載流子遷移率大于80cm2.()1，開關(guān)電流比為108，閾值電壓為5V，透光效率大于85%。技術(shù)創(chuàng)新性和領(lǐng)先性：擁有自主知識(shí)產(chǎn)