ram的一般結(jié)構(gòu)和讀寫過程-資料下載頁
2025-07-23 07:02本頁面
【正文】 PU也應(yīng)該每隔一定時間對動態(tài)RAM進行一次補充充電(一般是2mS時間)，以彌補電荷損失。三、靜態(tài)RAM的容量擴展(SRAM) 通常微處理器的數(shù)據(jù)總線為8位、16位或32位，而地址總線為16位或24位不等。當(dāng)靜態(tài)RAM的地址線和數(shù)據(jù)線不能與微機相匹配時，可用地址線擴展、數(shù)據(jù)線擴展或地址和數(shù)據(jù)線同時進行擴展的方法加以解決?！?數(shù)據(jù)線擴展 如SRAM 2114：10位地址，4位數(shù)據(jù)線，其容量=2104=1024 4=4096字位(4K)?！±河?K容量的RAM2114，實現(xiàn)一個容量為10248 (≈8K字位)字位容量的RAM。 解：10248字位容量，其地址仍是十位，故只要進行數(shù)據(jù)位擴展即可，選用RAM2114兩片，將兩片的地址線，讀/寫線及片選線并聯(lián)，兩片的位線分別作為高4位數(shù)據(jù)和低4位數(shù)據(jù)，組成8位的數(shù)據(jù)線即可。擴展后的電路如圖所示： ，地址擴展，數(shù)據(jù)位擴展?！±河肦AM2114，擴展成容量為40968字位(32K)的RAM?！〗猓?096需要12位地址，而RAM2114只有10位地址，所以需要進行地址擴展，同時應(yīng)該將一字 4位，擴展成一字8位。字的位擴展用前面方法，地址擴展用譯碼器完成，用8片RAM2114。擴展后的電路如圖所示：
語文相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1