ram的一般結(jié)構(gòu)和讀寫(xiě)過(guò)程(編輯修改稿)
2024-08-19 07:02 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 “1”： 1)訪問(wèn)該地址單元的地址碼有效； 2)片選有效=0； 3)讀操作有效R/=1；此時(shí)：三態(tài)門(mén)G1工作態(tài)，GG3高阻態(tài)，存儲(chǔ)單元中的信息“1”經(jīng)TTG1三態(tài)門(mén)讀出。 除上述NMOS結(jié)構(gòu)的靜態(tài)SRAM以外，還有以下幾種類(lèi)型的SRAM?！ MOS結(jié)構(gòu)的SRAM：功耗更加低，存儲(chǔ)容量更加大?！ ‰p極型結(jié)構(gòu)SRAM：功耗較大，存取速度更加快。 (DRAM) 靜態(tài)存儲(chǔ)單元存在靜態(tài)功耗，集成度做不高，所以，存儲(chǔ)容量也做不大。動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元，利用了柵源間的MOS電容存儲(chǔ)信息。其靜態(tài)功耗很小，因而存儲(chǔ)容量可以做得很大。靜態(tài)RAM功耗大，密度低，動(dòng)態(tài)RAM功耗小，密度高。動(dòng)態(tài)RAM需要定時(shí)刷新，使用較復(fù)雜?！ ?dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元(DRAM)的典型結(jié)構(gòu)： 門(mén)控管TTTTTT8 ，CC2為MOS電容?！ RAM的讀/寫(xiě)操作過(guò)程： 1)訪問(wèn)該存儲(chǔ)單元的地址有效；2)片選信號(hào)有(未畫(huà))；3)發(fā)出讀出信息或?qū)懭胄滦畔⒌目刂菩盘?hào)。 讀出操作時(shí)，令原信息Q=1，C2充有電荷，地址有效后，行、列選取線高電平；加片選信號(hào)后，送讀出信號(hào)R=1，W=0；TTT8導(dǎo)電，經(jīng)TTT8讀出。寫(xiě)入操作時(shí)，假定原信息為“0”，
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