ram的一般結構和讀寫過程-wenkub
2022-08-20 07:02:53 本頁面
【正文】 緩沖電路和輸入/輸出線相連接，以實現(xiàn)信息的傳遞和交換?！?讀/寫過程)：時序 訪問某地址單元的地址碼有效，假如你想去訪問的具體地址：如A9～A0=0D3H=0011010011B，片選有效=0，選中該片RAM為工作狀態(tài)?！ ±纾粋€10位地址的RAM，共有210個存儲單元，若每個存儲單元存放一位二進制信息，則該RAM的容量就是210(字)1(位)=1024字位，通常稱1K字位(容量)。 例如：一個10位的地址碼A4A3A2A1A0=00101，B4B3B2B1B0=00011時，則將對應于第5行第3列的存儲單元被選中?！ ?)存儲體：它是存放大量二進制信息的“倉庫”，該倉庫由成千上萬個存儲單元組成?！ ?)I/O及讀/寫控制電路：該部分電路決定著存儲器是進行讀出信息操作還是寫入新信息操作。讀/寫操作有效：＝1，讀出信息；＝0，寫入信息；二、RAM中的存儲單元 按照數(shù)據(jù)存取的方式不同，RAM中的存儲單元分為兩種：靜態(tài)存儲單元—靜態(tài)RAM(SRAM)；動態(tài)存儲單元—動態(tài)RAM(DRAM)。寫入信息的操作過程，在第一次寫入信息之前，存儲單元中的信息是隨機信息?！ 〕鲜鯪MOS結構的靜態(tài)SRAM以外，還有以下幾種類型的SRAM
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