多層板內(nèi)層制作與檢驗(yàn)-資料下載頁
2025-07-14 03:05本頁面
【正文】 連線水平設(shè)備，其使用之化學(xué)藥液多為NaOH或KOH濃 度在1~3%重量比。注意事項(xiàng)如下： A. 硬化後之乾膜在此溶液下部份溶解，部份剝成片狀，為維持藥液的效果及後水洗能徹底，過濾系統(tǒng)的效能非常重要. B. 有些設(shè)備設(shè)計(jì)了輕刷或超音波攪拌來確保剝膜的徹底，尤其是在外層蝕刻後 的剝膜, 線路邊被二次銅微微卡住的乾膜必須被徹底剝下，以免影響線路 品質(zhì)。所以也有在溶液中加入BCS幫助溶解，但有違環(huán)保，且對(duì)人體有 害。 C. 有文獻(xiàn)指K(鉀)會(huì)攻擊錫，因此外層線路蝕刻前之剝膜液之選擇須謹(jǐn)慎評(píng) 估。剝膜液為鹼性，因此水洗的徹底與否，非常重要，內(nèi)層之剝膜後有加 酸洗中和，也有防銅面氧化而做氧化處理者。 A. 四層板內(nèi)層以三明治方式，,黏貼於一壓條上(和內(nèi)層同厚), 緊貼於曝光檯面上，己壓膜內(nèi)層則放進(jìn)二底片間, 靠邊即可進(jìn)行曝光。 B. 內(nèi)層先鑽(6層以上)粗對(duì)位工具孔(含對(duì)位孔及方向孔，板內(nèi)監(jiān)測(cè)孔等), 再以雙面曝光方式進(jìn)行內(nèi)層線路之製作。兩者的對(duì)位度好壞，影響成品良率極大，也是M/L對(duì)關(guān)鍵。 (post Etch Punch)方式 A. Pin Lam理論 此方法的原理極為簡(jiǎn)單，內(nèi)層預(yù)先沖出4個(gè)Slot孔， ，包括底片， prepreq都沿用此沖孔系統(tǒng)，此4個(gè)SLOT孔，相對(duì)兩組，有一組不對(duì)稱， 可防止套反。每個(gè)SLOT孔當(dāng)置放圓PIN後，因受溫壓會(huì)有變形時(shí)，仍能 自由的左右、上下伸展，但中心不變，故不會(huì)有應(yīng)力產(chǎn)生。待冷卻，壓力釋 放後，又回復(fù)原尺寸，是一頗佳的對(duì)位系統(tǒng)。 B. Mass Lam System 沿用上一觀念Multiline發(fā)展出蝕後沖孔式的PPS系統(tǒng)，其作業(yè)重點(diǎn)如下： 光學(xué)靶點(diǎn)(Optical Target)以及四 、下底片仔細(xì)對(duì)準(zhǔn)固定後，如三明治做法，做曝光、顯影蝕刻， 剝膜等步驟。 ，放進(jìn)Optiline PE機(jī)器上，讓CCD瞄準(zhǔn) 該光學(xué)靶點(diǎn)，依各廠自行設(shè)定，沖出板邊4個(gè)Slot孔或其它圖形工具孔。 、即當(dāng)做鉚釘孔，內(nèi)層黑化後，即可以鉚釘將內(nèi)層及膠片 鉚合成冊(cè)，再去進(jìn)行無梢壓板。 A. 同心圓的觀念 a. 利用輔助同心圓，可check內(nèi)層上、下的對(duì)位度 b. 不同內(nèi)層同心圓的偏位表示壓合時(shí)候的Shift滑動(dòng) B. 設(shè)計(jì)原則 所示 ，其間距為4mil，亦是各層間可容許的對(duì)位偏差,若超出同心圓以外，則此片可能不良。 Cure過程故pattern必須有預(yù)先放大的設(shè)計(jì)才能符合最終產(chǎn)品尺寸需求。 內(nèi)層檢測(cè) AOI(簡(jiǎn)單線路採目視) →電測(cè)→(修補(bǔ))→確認(rèn) 內(nèi)層板線路成完後,必須保證通路及絕緣的完整性(integrity),即如同單面板一樣先要仔細(xì)檢查。因一旦完成壓合後,不幸仍有缺陷時(shí),則已為時(shí)太晚,對(duì)於高層次板子而言更是必須先逐一保證其各層品質(zhì)之良好,始能進(jìn)行壓合, 由於高層板漸多,內(nèi)層板的負(fù)擔(dān)加重,且線路愈來愈細(xì),自動(dòng)光學(xué)檢查(AOI)之使用在大廠中已非常普遍, 利用電腦將原圖案牢記,再配合特殊波長(zhǎng)光線的掃瞄,而快速完美對(duì)各層板詳作檢查。但AOI有其極限,例如細(xì)斷路及漏電(Leakage)很難找出,故各廠漸增加短、斷路電性測(cè)試。AOI及測(cè)試後面有專題,在此不詳述. 內(nèi)層製作至此完成, 下一流程為壓合.
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