最新高壓強脈沖電源的設計西安兆福電子有限公司史平君—中國兵器工業(yè)-資料下載頁
2025-06-30 03:43本頁面
【正文】 它的典型磁性能：（無磁場退火） 初始導磁率（Gs／Oe）：＞8104 最大導磁率（Gs／Oe）：＞45104 剩余磁感應強度（Bs）： 矯頑力：＜／m 鐵損P（20kHz，）：＜25W／kg 鐵損P（100kHz，）：＜150 W／kg 鐵損變化率（55～125186。C）：＜15％由以上考慮制作時繞制成C型鐵心，次級高壓線包每邊各分兩段這樣設計的高壓變壓器漏感小，溫升小，不需要用油箱散熱固態(tài)即可二、充電儲能及放電部分的設計 充電儲能部分控制主要包括IGBT及其控制電路和儲能電容（如圖15）。，性能穩(wěn)定可控性高。所以選擇IGBT作為充電開關。由于電壓高達3KV，加上開關尖刺峰值，我們選擇耐壓在1200V的IGBT。四個管子串聯。CR1，組成阻容吸收電路。C2為儲能電容，L是刺激線圈的電感量，R2是放電回路的總電阻值?？刂品烹姷目煽毓柽x擇雙向可控硅（如圖15中的 Q5），這樣可控硅在交變負載時，由于儲存在電容器中的過剩的無功功率能夠自動返回，可以避免危險的過電壓。可控硅的選擇除了耐壓之外，還應考慮開關延遲時間、di/dt及峰值電流。脈沖電流的形態(tài)決定了空間磁場的強度與波形。進而決定磁刺激感生電流的強度與波形，放電回路的電路方程為： 。充放電部分驅動電路 本系統(tǒng)中的IGBT驅動電路主要由專用模塊來實現。這里采用EXB841,它是高速系列的IGBT集成驅動電路，工作頻率可達40Kz［4］。其內裝隔離高電壓的光電耦合器，隔離電壓可達2500VA。具有過流保護和低速過流切斷電路，保護信號可輸出供控制電路用。單電源供電，內部電路可將+20V的單電源轉換為+15V的開柵壓和5V的關柵壓。，控制信號從單片機出來后經過功率放大后以驅動IGBT及可控硅。如圖16和17。 三、結論 按以上方案設計的強脈沖電源，充電電壓可從0～3KV可調。～100Hz可調。且放電脈寬50～150us可調。在充電電壓為3KV時，放電頻率為100Hz時，脈沖電流高達10000A。此電源已經在某設備上使用，經過試驗及運行考驗工作正常，且穩(wěn)定可靠。
環(huán)評公示相關推薦
鄂ICP備17016276號-1