王小玲ddr4存儲(chǔ)器關(guān)鍵技術(shù)分析-資料下載頁(yè)
2025-06-29 15:45本頁(yè)面
【正文】 復(fù)位初始化時(shí)，為了防止DRAM功能錯(cuò)誤，給模式寄存器設(shè)置了默認(rèn)值。有些模式寄存器配置會(huì)影響到當(dāng)前輸入地址、命令、控制功能等，這些情況下，下一個(gè)MRS命令可以在當(dāng)前MRS命令完成以后發(fā)出，而不必遵從tMRD的限制。有些功能要耗時(shí)大于tMOD，這種類型的MRS不遵從tMOD限制，它們有自己獨(dú)立的MRS步驟?！馜DR4的命令編碼：雖然DDR4操作基本與DDR3一致，但是在命令格式上相對(duì)于以前幾代的SDRAM，它做了一個(gè)主要的改變。用新的命令信號(hào)ACT_n為低來(lái)表示激活（行打開(kāi)）命令。以前DDR3通過(guò)/RAS=L, /CAS=H and /WE=H組合一起定義激活命令的方式將不再采用，只需要用ACT_n來(lái)標(biāo)示即可，為低時(shí)激活命令有效?！耦A(yù)期DDR4的存儲(chǔ)密度會(huì)提高，TSV、3D堆疊工藝也成了DDR4的一個(gè)關(guān)鍵要素，可在單個(gè)信號(hào)載入中堆疊最多八個(gè)內(nèi)存設(shè)備，用片選信號(hào)C0、CC2來(lái)選擇堆疊的芯片。3 結(jié)束語(yǔ)DDR4技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布是下一代DRAM生產(chǎn)的里程碑， 本文結(jié)合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)對(duì)DDR4進(jìn)行了系統(tǒng)初步的分析，更高的性能、更低的功耗使DDR4成為下一代企業(yè)和消費(fèi)者產(chǎn)品有吸引力的存儲(chǔ)器解決方案。盡管三星、海力士、美光等廠商之前都已經(jīng)陸續(xù)造出了不同規(guī)格的DDR4內(nèi)存樣品，但這次最終標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布將促使他們擴(kuò)大生產(chǎn)。據(jù)市場(chǎng)分析組織iSuppli預(yù)計(jì)到2014年DDR4 將獲得較大市場(chǎng)份額，2015年應(yīng)該會(huì)占到所有售出的DRAM的一半，成為內(nèi)存市場(chǎng)的主力軍[6]。參考文獻(xiàn)[1]. Kyomin Sohn, Taesik Na, Indal Song, Yong Shim, Wonil Bae, Sanghee Kang, Dongsu Lee, Hangyun Jung, Seokhun Hyun, Hanki Jeoung, KiWon Lee, JunSeok Park, Jongeun Lee, Byunghyun Lee, Inwoo Jun, Juseop Park, Junghwan Park, Hundai Choi, Sanghee Kim, Haeyoung Chung, Young Choi, DaeHee Jung, Byungchul Kim, JungHwan Choi, SeongJin Jang, ChiWook Kim, JungBae Lee, Joo Sun Choi. A 30nm [J]. IEEE Journal of SolidState Circuits, 2013, 48(1): 168177. [2]. 楊杰, 說(shuō)三道四DDR4標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)析[J], 電腦迷, 2012, (22): 41.[3]. Samsung, DDR4 vs. DDR3(Comparison Matrix) [EB/OL], DDR4 Workshop 2012, , 2012. [4]. JESD794, DDR4 SDRAM Standard of JEDEC SOLID STATE TECHNOLOGY ASSOCIATION[S], 2012.[5]. JESD793E, DDR3 SDRAM Standard of JEDEC SOLID STATE TECHNOLOGY ASSOCIATION, 2010.[6]. DDR4 時(shí)代的來(lái)臨[EB/OL].
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