mos存儲器ppt課件-資料下載頁
2025-01-14 04:15本頁面
【正文】 浮柵上將為負(fù)電位，這等于加大了 MOS管的 VT。為了使 MOS管導(dǎo)通，需要加更高的電壓克服浮柵上的負(fù)電荷的影響。 n + n +源漏控 制 柵浮 柵S i O2控 制 柵ＤＳp S i? (2)EPROM工作原理 ? 編程后的 MOS管 VGS=5V時已不能開啟 (VGS7V)，等效為關(guān)斷，即字線和位線的交叉處不存在 MOS管 (狀態(tài) 1)。沒有編程的 MOS管 VGS=5V可以打開 (狀態(tài) 0)。 ? 由于浮柵被 SiO2包圍，切斷電源后電荷仍可以在浮柵上駐留若干年，即是不揮發(fā)性的。 ? 強紫外光的光子能量為 ，超過了 SiO2和之間的勢壘高度。所以用紫外光照射時，浮柵上的電子會獲得能量，回到了襯底材料中。這樣就起到了擦除的作用。 ? 討論： EPROM存儲單元簡單、緊湊，適宜制作大規(guī)模的ROM，價格較低，適合于不需要經(jīng)常重復(fù)編程的場合。 六、 E2PROM ? 是浮柵晶體管的改進(jìn)型：浮柵上有一延長區(qū)，它與漏之間的 SiO2厚度只有 10nm左右 (浮柵是幾十～100nm)。當(dāng)柵 漏加上 10V電壓時， E=109v/m，電子會由于遂道效應(yīng)穿過氧化層到達(dá)浮柵。 S DG 1G 2GＤＳ? 優(yōu)點：編程可逆。 VGD=10V時電子進(jìn)入浮柵，擦除時VGD=10V，電子從浮柵掃向襯底。 ? 缺點： VT的控制難： VT不僅取決于浮柵上初始負(fù)電荷的數(shù)目，也取決于移走了多少負(fù)電荷。移走太多電荷可能會使 MOS管成為耗盡型，字線為零時也導(dǎo)通。 ? 解決方法： 單元中增加常規(guī) MOS管。 浮柵 MOS管只完成儲存負(fù)電荷的功能。編程時，使浮柵 MOS管 VTVDD，擦除后，VTVDD，相當(dāng)于常規(guī) MOS 管的源接地。 ? 優(yōu)點：擦寫次數(shù)多，使用方便 ? 缺點：單元有 2個 MOS管，有浮柵延長區(qū)，薄柵區(qū)工藝?yán)щy，因此集成度小，價格高。 WVDDB七、 Flash E2PROM ? 把 EPROM和 E2PROM的結(jié)構(gòu)結(jié)合起來，具有EPROM的集成度，又有 E2PROM的靈活性。 ? 特點：整個浮柵下面的 SiO2厚度只有 10nm，擦除時柵接地，源接 12V。這時隧道效應(yīng)起作用，電子從浮柵到源。編程時柵加 12V，漏接 6V，源接地，電子通過雪崩效應(yīng)注入浮柵。 n + n +源 漏浮 柵控 制 柵p S i編 程擦
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