mos存儲器ppt課件-閱讀頁
2025-01-29 04:15本頁面
【正文】 元也預(yù)充到 。保證了放大器工作可靠。 （ 2）二邊完全對稱非常重要。 負載可以是 R，飽和 E/E，非飽和 E/E， PMOS(CMOS)。相比 CMOS靜態(tài)單元， PMOS被改為電阻，連線問題被簡化，單元尺寸明顯減小。 CMOS的優(yōu)點是功耗小。 ? 讀信息時，先把位線 B和 都充到 VDD/2，然后 W=1，這可使位線上的信號差幅度減小，提高了速度。 V D DWBT 2T 1負 載T 4T 3B負 載Q QBCMOS靜態(tài)存貯單元圖形 五、 EPROM ? (1)浮柵晶體管 (floatinggate transistor) n + n +源漏控 制 柵浮 柵S i O2控 制 柵ＤＳp S i 特點： ? 1 在普通 MOS管的柵與溝道之間插一多晶硅層，它與 ? 誰也不連接，稱為浮柵 ? 2 因為有浮柵，跨導(dǎo) ↓， VT ↑（相比普通 MOS管） ? 3 VT可以改變，即可以編程。所以浮柵晶體管也稱為浮柵雪崩注入 MOS管 (floating gate avalancheinjection MOS transistorFAMOS) ? 當浮柵上電子積累時，也降低了氧化層上的電場，最后會達到平衡。為了使 MOS管導(dǎo)通，需要加更高的電壓克服浮柵上的負電荷的影響。沒有編程的 MOS管 VGS=5V可以打開 (狀態(tài) 0)。 ? 強紫外光的光子能量為 ，超過了 SiO2和之間的勢壘高度。這樣就起到了擦除的作用。 六、 E2PROM ? 是浮柵晶體管的改進型：浮柵上有一延長區(qū)，它與漏之間的 SiO2厚度只有 10nm左右 (浮柵是幾十～100nm)。 S DG 1G 2GＤＳ? 優(yōu)點：編程可逆。 ? 缺點： VT的控制難： VT不僅取決于浮柵上初始負電荷的數(shù)目，也取決于移走了多少負電荷。 ? 解決方法： 單元中增加常規(guī) MOS管。編程時，使浮柵 MOS管 VTVDD，擦除后，VTVDD，相當于常規(guī) MOS 管的源接地。 WVDDB七、 Flash E2PROM ? 把 EPROM和 E2PROM的結(jié)構(gòu)結(jié)合起來，具有EPROM的集成度，又有 E2PROM的靈活性。這時隧道效應(yīng)起作用，電子從浮柵到源。 n + n +源 漏浮 柵控 制 柵p S i編 程擦 除
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