基于單片機的智能血壓設(shè)計畢業(yè)論文-資料下載頁
2025-06-27 20:32本頁面
【正文】 培養(yǎng)鍛煉各方面的綜合素質(zhì)，去適應(yīng)這個發(fā)展、競爭的社會，迎接新的挑戰(zhàn)。由于本人能力有限，該設(shè)計并不完善，敬請老師和同學(xué)提出批評并指正。借此機會感謝我的指導(dǎo)老師和所有關(guān)心我的人。 附錄：參考程序子程序流程： (1) 讀狀態(tài)命令子程序流 (2) 讀數(shù)據(jù)子程序ASDX 001：調(diào)INIT調(diào)GETWDRET (3) 復(fù)位子程序(4) LCD顯示子程序流程 (5) 寫命令子程序流程圖參考程序DAT EQU ORG 0000HLJMP STARTORG 0030HSTART: LCALL ASDX 001 LCALL LCD162 SJMP STARTRD18B20:LCALL INITLCALL GETWD REETINIT:CLR EAINI10:SETB DATMOV R2,＃200INI11:CLR DATDJNZ R2,INI11 ；主機發(fā)復(fù)位脈沖持續(xù)3μs200=600μsSETB DAT ；主機釋放總線，口線改為輸入MOV R2,＃30IN12:DJNZ R2,INI12 ；ASDX 001等待2μs30=60μsCLR CORL C,DAT ；ASDX 001數(shù)據(jù)線變低（存在脈沖）嗎？JC INI10 ；ASDX 001未準(zhǔn)備好，重新初始化MOV R6,＃80INI13:ORL C,DATJC INI14 ；ASDX 001數(shù)據(jù)線變高，初始化成功DJNZ R6,INI13 ；數(shù)據(jù)線低電平可持續(xù)3μs80=240μsSJMP INI10 ；初始化失敗，重來INI14:MOV R2,＃240IN15:DJNZ R2,INI15 ；ASDX 001應(yīng)答最少2μs240=480μsRET ； WRITE:CLR EAMOV R3,＃8 ；循環(huán)8次，寫一個字節(jié)WR11:SETB DATMOV R4,＃8RRC A ；寫入位從A中移到CYCLR DATWR12:DJNZ R4,WR12 ；等待16μsMOV DAT, C ；命令字按位依次送給ASDX 001MOV R4,＃20WR13:DJNZ R4,WR13 ；保證寫過程持續(xù)60μsDJNZ R3,WR11 ；未送完一個字節(jié)繼續(xù)SETB DATRET ； READ:CLREAMOVR6,＃8 ；循環(huán)8次，讀一個字節(jié)RD11:CLR DATMOV R4,＃4NOP ；低電平持續(xù)2μsSETBDAT ；口線設(shè)為輸入RD12:DJNZR4,RD12 ；等待8μsMOV C,DAT ；主機按位依次讀入ASDX 001的數(shù)據(jù)RRC A ；讀取的數(shù)據(jù)移入AMOV R5,＃30RD13:DJNZ R5,RD13 ；保證讀過程持續(xù)60μsDJNZ R6,RD11 ；讀完一個字節(jié)的數(shù)據(jù)，存入A中SETBDATRET GETWD: MOV A,＃0CCHLCALL WRITE ；發(fā)跳過ROM命令MOV A,＃44HLCALL WRITE ；發(fā)啟動轉(zhuǎn)換命令LCALL INITMOV A,＃0CCH ；發(fā)跳過ROM命令LCALL WRITEMOV A,＃0BEH ；發(fā)讀存儲器命令LCALL WRITELCALL READMOV WDLSB,A ；溫度值低位字節(jié)送WDLSBLCALL READMOV WDMSB,A ；溫度值高位字節(jié)送WDMSBRET附錄元件清單序號名稱標(biāo)號規(guī)格數(shù)量1單片機U489c5112電位器W1１０Ｋ13無極性電容C222uF14電阻R4２Ｋ15無極性電容C320pF16無極性電容C420pF17無極性電容C1１００uF18極性電容C12470uF/10V19穩(wěn)壓二極管D2５Ｖ110繼電器V1３mＡ/５Ｖ111電阻R3１Ｋ112開關(guān)三極管Q2ＰＮＰ113開關(guān)三極管Q5ＰＮＰ114穩(wěn)壓二極管D3５Ｖ115電動機M12A/5V116電阻R5200Ω117開關(guān)三極管SW1PNP118傳感器ＡＳＤＸ00150mA/5V119電阻R210K120電阻R110K121電池AAA222濾波電容C8104pF123穩(wěn)壓二極管SX6383500mA124濾波電容C947uF/F10V125電感L1330uF126開關(guān)二極管Q4PNP127電阻R26470R128電容C10110uF129二極管D1500mA1 參考文獻[1] [M].北京:清華大學(xué)出版社,1996.[2] [M].北京:機械工業(yè)出版社,2004.[3] [M].北京:兵器工業(yè)出版社,2001.[4] [M].北京:北京航空航天大學(xué)出版社,1991.[5] [M].修訂本,北京:北京航空航天大學(xué)出版社,2001.[6] [M],:北京航空航天大學(xué)出版社,1999.[7] [M].北京:清華大學(xué)出版社,2004.[8] [M].北京:電子工業(yè)出版社,2001.[9] AT89S52芯片資料（譯文）,Atmel公司.[10] 實驗板資料,
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