【正文】 一個高速暫存 RAM 和一個非易失性的可電擦除的 EEPRAM,后者存放高溫度和低溫度觸發(fā)器 TH、TL 和結(jié)構(gòu)寄存器。（4）配置寄存器 該字節(jié)各位的意義如表 所示： 配置寄存器結(jié)構(gòu)TM R1 R0 1 1 1 1 1低五位一直都是1，TM 是測試模式位，用于設(shè)置 DS18B20 在工作模式還是在測試模式。在 DS18B20 出廠時該位被設(shè)置為 0，用戶不要去改動。R1 和 R0 用來設(shè)置分辨率， 3. 高速暫存存儲器：高速暫存存儲器由 9 個字節(jié)組成，其分配如表 所示。當(dāng) 第 21 頁溫度轉(zhuǎn)換命令發(fā)布后，經(jīng)轉(zhuǎn)換所得的溫度值以二字節(jié)補碼形式存放在高速暫存存儲器的第 0 和第 1 個字節(jié)。單片機可通過單線接口讀到該數(shù)據(jù)，讀取時低位在前，高位在后，數(shù)據(jù)格式如表 1 所示。對應(yīng)的溫度計算：當(dāng)符號位 S=0 時，直接將二進制位轉(zhuǎn)換為十進制；當(dāng) S=1 時，先將補碼變?yōu)樵a，再計算十進制值。 DS18B20暫存寄存器分布　　　　寄存器內(nèi)容 字節(jié)地址溫度值低位 （LS Byte） 0溫度值高位 （MS Byte） 1高溫限值（TH） 2低溫限值（TL） 3配置寄存器 4保留 5保留 6保留 7CRC 校驗值 8根據(jù) DS18B20 的通訊協(xié)議，主機（單片機）控制 DS18B20 完成溫度轉(zhuǎn)換必須經(jīng)過三個步驟：每一次讀寫之前都要對 DS18B20 進行復(fù)位操作，復(fù)位成功后發(fā)送一條 ROM指令，最后發(fā)送 RAM 指令，這樣才能對 DS18B20 進行預(yù)定的操作。復(fù)位要求主 CPU 將數(shù)據(jù)線下拉 500 微秒，然后釋放，當(dāng) DS18B20 收到信號后等待 16～60 微秒左右，后發(fā)出 60～240 微秒的存在低脈沖，主 CPU 收到此信號表示復(fù)位成功。 ISD2590 器件介紹ISD2590 是 ISD 系列單片語音錄放集成電路的一種，引腳圖如圖 所示。這是一種永久記憶型語音錄放電路，錄音時間為 90s，可重復(fù)錄放 10 萬次。該芯片采用多電平直接模擬量存儲專利技術(shù)，每個采樣值可直接存儲在片內(nèi)單個 EEPROM 單元中，因此能夠非常真實、自然地再現(xiàn)語音、音樂、音調(diào)和效果聲，從而避免了一般固體錄音電路因量化和壓縮造成的量化噪聲和“金屬聲”。該器件的采樣頻率為 ，同一系列的產(chǎn)品采樣頻率越低，錄放時間越長，但通頻帶和音質(zhì)會有所降低。此外，ISD2590 還省去了 A/D 和 D/A 轉(zhuǎn)換器。其集成度較高，內(nèi)部包括前置放大器、內(nèi)部時鐘、定時器、采樣時鐘、濾波器、自動增益控制、邏輯控制、模擬收發(fā)器、解碼器和 480K字節(jié)的 EEPROM。ISD2590 內(nèi)部 EEPROM 存儲單元均勻分為 600 行，有 600 個地址單元，每個地址單元指向其中一行，每一個地址單元的地址分辨率為 秒。此外， 第 22 頁ISD2590 還具備微控制器所需的控制接口。通過操縱地址和控制線可完成不同的任務(wù)，以實現(xiàn)復(fù)雜的信息處理功能，如信息的組合、連接、設(shè)定固定的信息段和信息管理等。ISD2590 可不分段，也可按最小段長為單位來任意組合分段。1 2 3 4 5 6ABCD654321DCBATitleNum ber Rev isionSizeBDate: 23 May 2 011 She et of File : D:\主 主 主 主 \pro tel\My Desig Dra wn By :A01A12A23A34A45A56A67A78A89A910P/R27EO M25PD24CE23OV F22AG C 19VC CA 16VC CD 28AN A OU T 21AN A IN 20SP 15SP+ 14VSSA 13VSSD 12XC LK 26MIC REF 18MIC 17AV X IN 11U4ISD 25901. 引腳功能：ISD2590 具有 28 腳且有 SOIC 和 28 腳 PDIP 兩種封裝形式。各引腳的主要功能如下:電源（VCCA，VCCD）：為了最大限度的減小噪聲，芯片內(nèi)部的模擬和數(shù)字電路使用不同的電源總線，并且分別引到外封裝上。模擬和數(shù)字電源端最好分別走線，并應(yīng)盡可能在靠近供電端處相連，而去耦電容則應(yīng)盡量靠近芯片。地線（VSSA，VSSD）：由于芯片內(nèi)部使用不同的模擬和數(shù)字地線，因此，這兩腳最好通過低阻抗通路連接到地。節(jié)電控制（PD）：該端拉高可使芯片停止工作而進入節(jié)電狀態(tài)。當(dāng)芯片發(fā)生溢出 即 OVF 端輸出低電平后，應(yīng)將本端短暫變高以復(fù)位芯片；另外，PD 端在模式 6 下還有特殊的用途。片選（CE）：該端變低且 PD 也為低電平時，允許進行錄、放操作。芯片在該端的下降沿將鎖存地址線和 P/R 端的狀態(tài)；另外，它在模式 6 中也有特殊的意義。錄放模式（P/R）：該端狀態(tài)一般在 CE 的下降沿鎖存。高電平選擇放音，低電平選擇錄音。錄音時，由地址端提供起始地址，直到錄音持續(xù)到 CE 或 PD 變高，或內(nèi)存溢出；如果是前一種情況，芯片將自動在錄音結(jié)束處寫入 EOM 標志。放音時，由地址端提供起始地址，放音持續(xù)到 EOM 標志。如果 CE 一直為低，或芯片工作在某些操作模式，放音則會忽略 EOM 而繼續(xù)進行下去，直到發(fā)生溢出為止。信息結(jié)尾標志（EOM）：EOM 標志在錄音時由芯片自動插入到該信息段的結(jié)尾。當(dāng)放音遇到 EOM 時，該端輸出低電平脈沖。另外，ISD2590 芯片內(nèi)部會自動檢測電源電壓以維護信息的完整性，當(dāng)電壓低于 時，該端變低，此時芯片只能放音。在模式狀 第 23 頁態(tài)下，可用來驅(qū)動 LED，以指示芯片當(dāng)前的工作狀態(tài)。溢出標志（OVF）：芯片處于存儲空間末尾時，該端輸出低電平脈沖以表示溢出，之后該端狀態(tài)跟隨 CE 端的狀態(tài)，直到 PD 端變高。此外，該端還可用于級聯(lián)多個語音芯片來延長放音時間。話筒輸入（MIC）：該端連至片內(nèi)前置放大器。片內(nèi)自動增益控制電路（AGC）可將增益控制在15～24dB。外接話筒應(yīng)通過串聯(lián)電容耦合到該端。耦合電容值和該端的10kΩ 輸入阻抗決定了芯片頻帶的低頻截止點。話筒參考（MIC REF）：該端是前置放大器的反向輸入。當(dāng)以差分形式連接話筒時，可減小噪聲，并提高共模抑制比。自動增益控制（AGC）：AGC 可動態(tài)調(diào)整前置增益以補償話筒輸入電平的寬幅變化，這樣在錄制變化很大的音量（從耳語到喧囂聲）時就能保持最小失真。響應(yīng)時間取決于該端內(nèi)置的 5kΩ 電阻和從該端到 VSSA 端所接電容的時間常數(shù)。釋放時間則取決于該端外接的并聯(lián)對地電容和電阻設(shè)定的時間常數(shù)。選用標稱值分別為 470kΩ 和 的電阻、電容可以得到滿意的效果。模擬輸出（ANA OUT）：前置放大器輸出。其前置電壓增益取決于 AGC 端電平。模擬輸入（ANA IN）：該端為芯片錄音信號輸入。對話筒輸入來說，ANA OUT 端應(yīng)通過外接電容連至該端，該電容和本端的 3kΩ 輸入阻抗決定了芯片頻帶的附加低端截止頻率。其它音源可通過交流耦合直接連至該端。揚聲器輸出（SP+、SP）：可驅(qū)動 16Ω 以上的喇叭（內(nèi)存放音時功率為AUX IN 放音時功率為 50mW）。單端輸出時必須在輸出端和喇叭間接耦合電容而雙端輸出則不用電容就能將功率提高至 4 倍。 輔助輸入（AUX IN）：當(dāng) CE 和 P/R 為高，不進行放音或處入放音溢出狀態(tài)時該端的輸入信號將通過內(nèi)部功放驅(qū)動喇叭輸出端。當(dāng)多個 ISD2590 芯片級聯(lián)時后級的喇叭輸出將通過該端連接到本級的輸出放大器。為防止噪聲建議在存放內(nèi)存信息時該端不要有驅(qū)動信號。外部時鐘（XCLK）：該端內(nèi)部有下拉元件，不用時應(yīng)接地。地址/模式輸入（AX/MX）：地址端的作用取決于最高兩位（MSB，即 A8 和 A9）的狀態(tài)。當(dāng)最高兩位中有一個為 0 時，所有輸入均作為當(dāng)前錄音或放音的起始地址。地址端只作輸入，不輸出操作過程中的內(nèi)部地址信息。地址在 CE 的下降沿鎖存。當(dāng)最高兩位全為 1 時，A0～A6 可用于模式選擇。2. 操作模式由于 ISD2590 內(nèi)置了若干種操作模式，因而可用最少的外圍器件實現(xiàn)最多的功能。操作模式也由地址端控制；當(dāng)最高兩位都為１時，其它地址端置高可選擇某個（或某幾個）特定模式。因此操作模式和直接尋址相互排斥。操作模式可由微控制器也可由 第 24 頁硬件實現(xiàn)。使用操作模式要注意兩點：（1）所有操作最初都是從 0 地址 即存儲空間的起始端開始。后續(xù)的操作根據(jù)選用的模式可從其它地址開始。但是，電路由錄轉(zhuǎn)放或由放轉(zhuǎn)錄（M6 模式除外），或都執(zhí)行了掉電周期后，地址計數(shù)器將復(fù)位為 0。（2）當(dāng) CE 變低且最高兩地址位同為高時，執(zhí)行操作模式。這種操作模式將一直有效，直到 CE 再次由高變低，芯片重新鎖存當(dāng)前的地址/模式端電平并執(zhí)行相應(yīng)的操作為止。 LM386 器件介紹LM386 是集成低壓音頻小功率放大器。它的內(nèi)建增益為 20，通過 1 腳和 8 腳間的電容的搭配增益可達 200。LM386 可使用電池作為供電電源，輸入電壓范圍在 4V12V，無動作時僅消耗 4mA 電流，且失真低。廣泛應(yīng)用于錄音機和收音機之中。LM386 的外形和引腳的排列如圖 所示圖 LM386 引腳圖引腳功能：引腳 2 為反相輸入端，3 為同相輸入端；引腳 5 為輸出端；引腳 6 和 4分別為電源和地；引腳 1 和 8 為電壓增益設(shè)定端；使用時在引腳 7 和地之間接旁路電容，通常取 10μF。LM386 的電源電壓 412V 或 518V（LM386N4）；靜態(tài)消耗電流為 4mA；電壓增益為 20200dB；在 8 腳開路時，帶寬為 300KHz；輸入阻抗為 50K；音頻功率 。 盡管 LM386 的應(yīng)用非常簡單，但稍不注意，特別是器件上電、斷電瞬間，甚至工作穩(wěn)定后，一些操作（如插拔音頻插頭、旋音量調(diào)節(jié)鈕）都會帶來的瞬態(tài)沖擊，在輸出喇叭上會產(chǎn)生非常討厭的噪聲?？刹扇∫韵麓胧海?）通過接在 1 腳、8 腳間的電容（1 腳接電容+極）來改變增益，斷開時增益為20dB。因此用不到大的增益，電容就不要接了，還會帶來好處噪音減少。 （2）PCB 設(shè)計時，所有外圍元件盡可能靠近 LM386；地線盡可能粗一些；輸入音頻信號通路盡可能平行走線，輸出亦如此。（3）選好調(diào)節(jié)音量的電位器。阻值不要太大，10K 最合適，太大也會影響音質(zhì)。 （4）盡可能采用雙音頻輸入/輸出。好處是：“＋”、“－”輸出端可以很好地 第 25 頁抵消共模信號，故能有效抑制共模噪聲。（5）第 7 腳（BYPASS）的旁路電容不可少。實際應(yīng)用時，BYPASS 端必須外接一個電解電容到地，起濾除噪聲的作用。工作穩(wěn)定后，該管腳電壓值約等于電源電壓的一半。增大這個電容的容值，減緩直流基準電壓的上升、下降速度，有效抑制噪聲。在器件上電、掉電時的噪聲就是由該偏置電壓的瞬間跳變所致，這個電容不能省。（6）減少輸出耦合電容。此電容的作用有二：隔直+耦合。隔斷直流電壓，直流電壓過大有可能會損壞喇叭線圈；耦合音頻的交流信號。它與揚聲器負載構(gòu)成了一階高通濾波器。減小該電容值，可使噪聲能量沖擊的幅度變小、寬度變窄；太低還會使截止頻率（fc＝1/（2π*RL*Cout））提高。測試發(fā)現(xiàn) 10uF/ 最為合適。 （7）電源的處理，也很關(guān)鍵。如果系統(tǒng)中有多組電源，由于電壓不同、負載不同以及并聯(lián)的去耦電容不同，每組電源的上升、下降時間必有差異。非?？尚械姆椒ǎ簩⑸想姟⒌綦姇r間短的電源放到+12V 處，選擇上升相對較慢的電源作為 LM386 的 Vs，但不要低于 4V，效果較好。 LM567 器件介紹LM567 為通用音調(diào)譯碼器，LM567 是一片鎖相環(huán)電路，采用 8 腳雙列直插塑封。當(dāng)輸入信號于通帶內(nèi)時提供飽和晶體管對地開關(guān)，電路由 I 與 Q 檢波器構(gòu)成，由電壓控制振蕩器驅(qū)動振蕩器確定譯碼器中心頻率。用外接元件獨立設(shè)定中心頻率帶寬和輸出延遲。主要用于振蕩、調(diào)制、解調(diào)和遙控編譯碼電路。如電力線載波通信，對講機亞音頻譯碼，遙控等。系統(tǒng)內(nèi)部原理圖和引腳圖如圖 和 所示： LM358系統(tǒng)內(nèi)部原理圖 第 26 頁 LM358引腳圖LM567 是一片鎖相環(huán)電路，采用 8 腳雙列直插塑封