【正文】 繳納企業(yè)所得稅后的利潤，直接投資于本企業(yè)增加注冊資本，或作為資本投資開辦其他集成電路生產(chǎn)企業(yè)、封裝企業(yè)，經(jīng)營期不少于5年的，按40%的比例退還其再投資部分已繳納的企業(yè)所得稅稅款。再投資不滿5年撤出該項投資的，追繳已退的企業(yè)所得稅稅款。還對企業(yè)在西部地區(qū)投資集成電路行業(yè)特別規(guī)定了進一步的優(yōu)惠政策。以上優(yōu)惠政策，將支持IC企業(yè)增加研發(fā)投入、加強職工培訓(xùn)，鼓勵I(lǐng)C企業(yè)擴大生產(chǎn)規(guī)模、增加注冊資本、延長經(jīng)營期，將促進中國IC行業(yè)技術(shù)水平的提高和產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化。 新《高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定管理辦法》頒布2008年4月14日，科技部、財政部和國家稅務(wù)總局聯(lián)合印發(fā)了《高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定管理辦法》（以下簡稱新辦法）。與原認(rèn)定辦法相比，新辦法強調(diào)企業(yè)對其主要產(chǎn)品（服務(wù)）的核心技術(shù)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)。對于獲得核心技術(shù)知識產(chǎn)權(quán)的方式，新辦法規(guī)定，可以通過近三年內(nèi)通過自主研發(fā)、受讓、受贈、并購等方式，或通過5年以上的獨占許可方式。擁有自主知識產(chǎn)權(quán)成為認(rèn)定企業(yè)為高新技術(shù)企業(yè)的硬條件。新辦法將國家重點支持的高新技術(shù)領(lǐng)域修改為八個。其中與集成電路相關(guān)的具體領(lǐng)域有：集成電路設(shè)計技術(shù)、集成電路產(chǎn)品設(shè)計技術(shù)、集成電路封裝技術(shù)、集成電路測試技術(shù)、集成電路芯片制造技術(shù)、集成光電子器件技術(shù)。新辦法中按銷售收入的規(guī)模，分別規(guī)定近三個會計年度的研究開發(fā)費用總額占銷售收入總額的比例，分為6%、4%、3%等三種比例。其中，特別規(guī)定：企業(yè)在中國境內(nèi)發(fā)生的研究開發(fā)費用總額占全部研究開發(fā)費用總額的比例不低于60%。新辦法還加強了對高新技術(shù)企業(yè)的后續(xù)管理。新辦法規(guī)定，“企業(yè)研究開發(fā)組織管理水平、科技成果轉(zhuǎn)化能力、自主知識產(chǎn)權(quán)數(shù)量、銷售與總資產(chǎn)成長性等指標(biāo)符合《高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定管理工作指引》（另行制定）的要求。新辦法明顯提高了高新技術(shù)企業(yè)的認(rèn)定條件，眾多企業(yè)將會因無自主知識產(chǎn)權(quán)、研發(fā)投入不足等而無法申請成為高新技術(shù)企業(yè)，將無法再享受高新技術(shù)企業(yè)所能享受的稅收等方面的優(yōu)惠待遇。長期以來，我國IC行業(yè)嚴(yán)重缺乏自主知識產(chǎn)權(quán)，新辦法必然會將許多IC企業(yè)清理出局。國務(wù)院通過兩大集成電路重大專項方案2008年4月23日，國務(wù)院總理溫家寶主持召開國務(wù)院常務(wù)會議，審議并原則通過“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”和“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”兩個國家科技重大專項實施方案。這兩大專項的通過表明國家對集成電路的鼓勵政策更加堅定。這兩大專項直指中國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上薄弱的芯片設(shè)計和芯片制造環(huán)節(jié)。雖然經(jīng)過多年發(fā)展，但我國集成電路產(chǎn)業(yè)依然落后，整體的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)嚴(yán)重失衡，設(shè)計企業(yè)少而弱，制造工藝均落后于國外，制造設(shè)備幾乎完全依賴進口。兩大專項的實施有利于核心電子器件的國產(chǎn)化，推動具有自主知識產(chǎn)權(quán)的集成電路制造成套先進工藝與所需新材料技術(shù)的發(fā)展，促進產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整，提高我國IC產(chǎn)業(yè)核心競爭力。表4 2008年集成電路相關(guān)政策目錄時間名稱對IC行業(yè)的影響2008年1月8日原信息產(chǎn)業(yè)部發(fā)布《集成電路產(chǎn)業(yè)“十一五”規(guī)劃》改善產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，加大對IC行業(yè)的支持力度，鼓勵企業(yè)自主創(chuàng)新，推動產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化 2008年3月14日財政部國家稅務(wù)總局發(fā)布軟件集成電路發(fā)展優(yōu)惠政策減輕IC企業(yè)稅收負(fù)擔(dān)，鼓勵企業(yè)增加研發(fā)投入、注冊資本，延長投資年限，吸引大項目和先進工藝落戶中國，鼓勵I(lǐng)C企業(yè)在西部地區(qū)投資建廠2008年4月14日《高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定管理辦法》新辦法對高新技術(shù)企業(yè)要求更加嚴(yán)格，許多IC企業(yè)將因無法滿足條件而被清理出局 2008年4月23日國務(wù)院通過兩大集成電路重大專項方案有利于提高我國IC芯片設(shè)計和制造水平，提高我國IC產(chǎn)業(yè)核心競爭力汶川地震對集成電路行業(yè)影響2008年5月12日， 級特大地震。汶川地震是新中國成立以來破壞性最強、波及范圍最廣、救災(zāi)難度最大的一次地震。災(zāi)區(qū)總面積約50萬平方公里、受災(zāi)群眾4625萬多人，造成近10萬人死亡，直接經(jīng)濟達(dá)損失達(dá)8451億多元。受災(zāi)地區(qū)的IC產(chǎn)業(yè)主要集中在成都。成都是我國西部最大的電子工業(yè)基地，而成都高新區(qū)又是成都電子工業(yè)的主體。截止2007年底，成都高新區(qū)IC產(chǎn)業(yè)總投資超過15億美元。在區(qū)內(nèi)聚集了55家IC企業(yè)，其中包括英特爾、超威半導(dǎo)體、三星電子、東芝、德州儀器、意法半導(dǎo)體、英飛凌科技等國際巨頭及深圳賽格、上海宏盛、上海華虹、南通富士通等知名國內(nèi)IC企業(yè)。地震對IC產(chǎn)業(yè)的影響有：震動引起IC加工制造企業(yè)的精密儀器受損，造成了一些設(shè)備的位移；對企業(yè)建筑造成的危害主要是天花吊頂、瓷磚的脫落以及非承重墻的裂縫；在短期內(nèi)，造成供應(yīng)鏈斷裂，產(chǎn)品出口受阻。但成都震級小，從總體上看地震給IC行業(yè)所造成的損失極小。且災(zāi)后重建將極大拉動對電子信息產(chǎn)品的需求，導(dǎo)致IC產(chǎn)品需求擴大。另外，為支持災(zāi)后重建，外企不僅沒有減少原來的投資，還考慮將加大投資。所以，從總的來看，汶川地震給IC行業(yè)造成的影響極小。奧運對集成電路行業(yè)的影響2008年北京奧運會堅持綠色奧運、科技奧運、人文奧運的理念，這三個理念將對整個消費習(xí)慣產(chǎn)生引導(dǎo)性作用。“綠色奧運”強調(diào)節(jié)能環(huán)保，奧運場館建設(shè)大量采用新型材料、新能源技術(shù)。這就要求IC行業(yè)提供低功率、低消耗、低成本的產(chǎn)品。在“科技奧運”方面，大量最新技術(shù)應(yīng)用于奧運會，如寬帶數(shù)據(jù)接入服務(wù)、智能卡技術(shù)、3G移動通信系統(tǒng)、高清晰度數(shù)字電視系統(tǒng)等。相關(guān)IC產(chǎn)品主要包括網(wǎng)絡(luò)路由交換芯片、GSM/GPRS手機基帶芯片、TDSCDMA基帶芯片、數(shù)字音視頻和多媒體處理芯片。這些新技術(shù)在奧運中的亮相，將刺激消費需求，進而帶動相關(guān)IC相關(guān)產(chǎn)品的需求擴大。盡管受宏觀經(jīng)濟形勢和其他各種因素作用，這種帶動作用不是很大，奧運不能帶來這些新興應(yīng)用的量起，但奧運會的引入作用和宣傳效應(yīng)，使得這些新技術(shù)市場前景更加廣闊。、簡寫及解釋下表中包含了集成電路行業(yè)涉及的大多數(shù)專業(yè)術(shù)語，以及本報告涉及的主要術(shù)語和簡寫。表5 集成電路主要技術(shù)術(shù)語、簡寫及解釋統(tǒng)計名稱說明模擬集成電路模擬集成電路是指由電容、電阻、晶體管等組成的模擬電路集成在一起用來處理模擬信號的集成電路。數(shù)字集成電路數(shù)字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導(dǎo)體芯片上而制成的數(shù)字邏輯電路或系統(tǒng)。半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路將晶體管，二極管等有源元件和電阻器，電容器等無源元件，按照一定的電路互聯(lián)，“集成”在一塊半導(dǎo)體單晶片上，完成特定的電路或者系統(tǒng)功能。薄膜集成電路薄膜集成電路是將整個電路的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件以及它們之間的互連引線，全部用厚度在１微米以下的金屬、半導(dǎo)體、金屬氧化物、多種金屬混合相、合金或絕緣介質(zhì)薄膜，并通過真空蒸發(fā)、濺射和電鍍等工藝制成的集成電路。厚膜集成電路厚膜集成電路是指用絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)等厚膜工藝在同一基片上制作無源網(wǎng)絡(luò)，并在其上組裝分立的半導(dǎo)體器件芯片或單片集成電路或微型元件，再外加封裝而成的混合集成電路。厚膜電路與薄膜電路的區(qū)別有兩點：其一是膜厚的區(qū)別，厚膜電路的膜厚一般大于10μm，薄膜的膜厚小于10μm，大多處于小于1μm；其二是制造工藝的區(qū)別，厚膜電路一般采用絲網(wǎng)印刷工藝，薄膜電路采用的是真空蒸發(fā)、磁控濺射等工藝方法。單晶硅熔融的單質(zhì)硅在凝固時，硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。單晶硅是一種良好的半導(dǎo)材料，是集成電路制造的主要材料。線寬是指IC生產(chǎn)工藝可達(dá)到的最小導(dǎo)線寬度，是IC工藝先進水平的主要指標(biāo)，主要有4μm /1μm / / /90nm等。線寬越小，集成度就高,在同一面積上就集成更多電路單元。晶圓將單晶硅晶棒切割所得的一片一片薄薄的圓片，即是晶圓，或硅晶圓。晶圓尺寸晶圓尺寸，即晶圓的直徑。晶圓尺寸越大，生產(chǎn)的芯片就越多，代表的技術(shù)水平就越高。硅晶圓尺寸常以英寸和mm為單位（1英寸約為25mm），常見的晶圓尺寸是100mm、125mm、150mm、200mm、300mm、450mm或4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸、18英寸。光刻IC生產(chǎn)的主要工藝手段，指用光技術(shù)在晶圓上刻蝕電路。密度表示集成在一個芯片上的邏輯數(shù)量，單位是門（gate）。密度越高，門越多，也意味著越復(fù)雜。CMOS互補金屬氧化物半導(dǎo)體（Complementary Metal Oxide Semiconductor），是一種集成電路加工工藝技術(shù)，具有高集成、低成本、低能耗和高性能等特征。E2CMOS電可擦除互補金屬氧化物半導(dǎo)體（Electrically Erasable CMOS），具有繼承性、可重復(fù)編程和可測試性等特點，因此是一種可編程邏輯器件（PLD）的理想工藝技術(shù)。BiCMOSBiCMOS（Bipolar CMOS），即雙極型CMOS，是將CMOS和雙極器件同時集成在同一塊芯片上的技術(shù)，其基本思想是以CMOS器件為主要單元電路，而在要求驅(qū)動大電容負(fù)載之處加入雙極器件或電路。因此BiCMOS電路既具有CMOS電路高集成度、低功耗的優(yōu)點，又獲得了雙極電路高速、強電流驅(qū)動能力的優(yōu)勢。EDAEDA是英文Electronic Design Automation的縮寫，即電子設(shè)計自動化，就是通常所謂的電子線路輔助設(shè)計軟件。Foundry模式半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存在兩種商業(yè)模式之一，亦稱為垂直分工模式，20世紀(jì)90年代初興起的一種新IC產(chǎn)業(yè)模式，該模式由知識產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商、無生產(chǎn)線設(shè)計公司（Fabless）、代工廠商（Foundry）以及封裝測試企業(yè)（Package amp。Testing）等組成。IDM模式IDM是英文Integrated Device Manufactrue的縮寫，即垂直集成模式，IDM 模式的特點是，企業(yè)經(jīng)營范圍涵蓋了芯片設(shè)計、生產(chǎn)制造、封裝測試等各環(huán)節(jié)，甚至延伸至下游終端。美國和日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要采用這一模式，IDM企業(yè)規(guī)模大、投入高，典型的IDM企業(yè)有: 英特爾、三星、德州儀器、東芝和意法半導(dǎo)體。 fabless無生產(chǎn)線企業(yè)，即只研發(fā)和設(shè)計，自己不生產(chǎn)芯片。這類企業(yè)將芯片制造外包給foundry廠家。PCBPCB是英文Printed Circuie Board的縮寫，即印制線路板。通常把在絕緣材上，按預(yù)定設(shè)計，制成印制線路、印制元件或兩者組合而成的導(dǎo)電圖形稱為印制電路。而在絕緣基材上提供元器件之間電氣連接的導(dǎo)電圖形，稱為印制線路。這樣就把印制電路或印制線路的成品板稱為印制線路板，亦稱為印制板或印制電路板。QFPQFP 是英文Plastic Quad Flat Pockage的縮寫，即方型扁平式封裝技術(shù)，是表面貼裝型封裝之一，引腳從四個側(cè)面引出呈海鷗翼(L)型。一般大規(guī)?；虺笠?guī)模集成電路采用這種封裝形式，其引腳數(shù)一般都在100以上。LQFP薄型QFP（Low rofile Quad Flat Package）。SoCSoC是英文SystemonChip的縮寫，即系統(tǒng)級芯片，指的是在單個硅片上集成子系統(tǒng)或系統(tǒng)，包括處理器、高密度邏輯電路、模擬和混合信號電路、存儲器等。NoCNoC是英文Networkon Chip的縮寫，即網(wǎng)絡(luò)級芯片，即在一個芯片上集成多個系統(tǒng)，各個系統(tǒng)之間通過網(wǎng)絡(luò)通信相互協(xié)作，是未來的芯片制造技術(shù)，現(xiàn)在仍處于實驗室研究階段。SOPSOP是Small OutLine Packag的英文縮寫，即小外形封裝，是表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀(L字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。SSOP 的SOP 。TSOP 的SOP。DIP封裝DIP是英文Dual Inline Package的縮寫，即雙列直插式封裝技術(shù)，是一種最簡單的封裝方式。指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，絕大多數(shù)中小規(guī)模集成電路均采用這種封裝形式，其引腳數(shù)一般不超過100。TSOP封裝TSOP是英文Thin Small Outline Package的縮寫，即薄型小尺寸封裝，20世紀(jì)80年代出現(xiàn)的封裝技術(shù)，在芯片的周圍做出引腳，通過引腳將芯片焊接在印刷線路板板上。BGA封裝BGA是英文Ball Grid Array的縮寫，即球柵陣列，是以球型引腳焊接工藝為特征的一類集成電路封裝。可以提高可加工性，減小尺寸和厚度，改善了噪聲特性，提高了功耗管理特性。MCMMCM是英文MultiChip Module的縮寫，即多芯片組件，將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝技術(shù)。CSP封裝CSP是英文Chip Scale Package的縮寫，即芯片級封裝，是新一代的芯片封裝技術(shù)，是繼TSOP、BGA之后內(nèi)存上的又一種新的技術(shù)。SiP封裝系統(tǒng)級封裝（SiP），是將微處理器、存儲器、電阻器、電容和電感器等多個組成一個系統(tǒng)的芯片封裝在一起的新封裝技術(shù)。SMTSMT是英文Surface Mounted Technology的縮寫，即表面組裝技術(shù)，是將表面貼裝元器件貼、焊到印制電路板表面規(guī)定位置上的電路裝聯(lián)技術(shù)，包括絲印（或點膠）、貼裝、（固化）、回流焊接、清洗、檢測、返修等工藝步驟。等離子刻蝕等離子刻蝕，首先利用氣壓為10～1000帕的特定氣體（或混合氣體）的輝光放電，產(chǎn)生能與薄膜發(fā)生離子化學(xué)反應(yīng)的分子或分子基團，生成的反應(yīng)產(chǎn)物是揮發(fā)性的。它在低氣壓的真空室中被抽走，從而實現(xiàn)刻蝕。通過選擇和控制放電氣體的成分，可以得到較好的刻蝕選擇性和較高的刻蝕速率，但刻蝕精度不高。離子注入離子注入技術(shù)是把某種元素的原子電離成離子，并使其在幾十至幾百千伏的電壓下進行加速，在獲得較高速度后射入放在真空靶室中的工件材料表面的一種離子束技術(shù)。材料經(jīng)離子注入后，其表面的物理、化學(xué)及機械性能會發(fā)生顯著的變化。浸入式光刻浸入式光刻是指在投影鏡頭與硅片之間用一種液體充滿，以獲得更好的分辨率及增大鏡頭的數(shù)值孔徑。MEMSMEMS是英文Micro Electro Mechanical systems的縮寫，即微電子機械系統(tǒng)。微電子機械系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)是建立在微米/納米技術(shù)基礎(chǔ)上的21世紀(jì)前沿技術(shù)，是指對微米/納米材料進行設(shè)計、加工、制造、測量和控制的技術(shù)。資料來源：世經(jīng)未來整理集成電路產(chǎn)業(yè)