freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

pr和dy共摻雜bife097mn003o3薄膜的制備及多鐵性能研究畢業(yè)設計論文-資料下載頁

2025-06-24 19:10本頁面
  

【正文】 ,Sr摻雜后薄膜的主要相仍是R3c結構的BiFeO3,主要衍射峰均與標準卡片[JCPDS NO. 861518]符合。從局部放大圖上可以看出,隨著摻雜量的增加,(110)晶面衍射峰向高衍射角方向偏移,說明薄膜中晶體結構發(fā)生了微小畸變。圖311 。由圖可以看出,Sr摻雜量不同,對薄膜表面的形貌有很大的影響。摻雜量為2%時,薄膜中的晶粒是最小的,且分布均勻,表面致密。x=,薄膜表面開始出現(xiàn)少量的空洞,晶粒尺寸較大,約有100nm;x=,薄膜中的孔洞進一步增多,說明薄膜的缺陷增多;x=,薄膜雖然又變得致密,但是晶粒大小變得很不均勻,表面不平整,薄膜的質(zhì)量不好。(a)(b)(c)(d)(a) x=;(b) x=;(c) x=;(d) x=;圖312 。從圖中明顯可以看出,隨著摻雜量的增加。圖315(a)中可以看出,且摻雜量越大,介電常數(shù)下降的越快,分析原因可能是摻雜量越大,晶格畸變程度越大,因此介電常數(shù)越大,但同時缺陷也增多,高頻下的介電常數(shù)就越低。圖313(b)。以100kHz為界,頻率小于100kHz時,;當頻率大于100kHz時,介電損耗隨頻率急劇增大,一方面是因為偶極子轉(zhuǎn)向極化的失效,另一方面是薄膜與基板間的界面層在高頻下分得更高的電壓,導致整體損耗的上升。圖313 (a)介電頻譜(b)介電損耗譜 。從圖中可以看出,隨著摻雜量的增加,薄膜的漏電流密度逐漸增大。在400kV/cm場強下,x=,,105A/cm,105A/cm,105A/cm,105A/cm。x=,在417kV/cm場強下,薄膜的漏電流密度已經(jīng)很大,再加大電場則薄膜擊穿,說明該薄膜的質(zhì)量不好,內(nèi)部晶格缺陷較多,孔洞多。圖314 ,電滯回線均達到了飽和狀態(tài)。圖315(a)表明,Sr摻雜2%時性能最好,薄膜電滯回線的矩形度最高,同時剩余極化值也較大,在1094kV/cm場強下,矯頑場341kV/cm。圖315(b)(c)(d)表明,x=,在781kV/cm場強下,矯頑場為318kV/cm;x=,在703kV/cm場強下,矯頑場為270kV/cm;x=,在937kV/cm場強下,矯頑場為291kV/cm。圖中也可以看出隨著摻量的增加,薄膜的電滯回線開始變形。圖315(e)為外加場強703kV/cm下薄膜的電滯回線圖譜,圖中表明,摻雜量2%和3%時,薄膜的的電滯回線達到了飽和狀態(tài),回線矩形度高,說明其鐵電性能好;摻雜量為3%和4%時,薄膜的電滯回線開始出現(xiàn)變形,說明摻雜量較少時性能變好,超過4%時則使性能開始變差。圖315 小結,介電損耗在低頻下基本保持不變,并略微較小,在大于100kHz高頻下,損耗迅速增加至接近1。薄膜的電滯回線相當飽和,Sr摻雜2%時性能最好,薄膜電滯回線的矩形度最高,同時剩余極化值也較大,在1094kV/cm場強下,矯頑場為341kV/cm。 4 總結本實驗采用溶膠凝膠法在FTO/glass基底上制備出A位、B位共摻雜的BiFeO3薄膜,薄膜的退火溫度為550℃。通過使用X射線衍射儀,掃描電子顯微鏡,阻抗分析儀,電滯回線測試儀,漏電流測試儀等研究了BiFeO3薄膜物相、微觀形貌、介電性、鐵電性以及漏電流。得出以下結論:(1),所有薄膜未出現(xiàn)其他雜相,均為R3c結構。隨著摻雜量增加,(104)晶面峰與(110)晶面峰重合并向高衍射角方向移去。x=,薄膜的介電常數(shù)最大,達到了301,但其漏電流、介電損耗也是最大的;x=,薄膜的介電常數(shù)較小,但損耗、漏電流亦小。當Pr摻雜量為15%時,薄膜的電滯回線具有較好的矩形度,剩余極化值Pr=,矯頑場為320kV/cm,僅次于x=。(2),薄膜的介電常數(shù)進一步提高,x=,介電常數(shù)值達到了365。x=,,薄膜的介電常數(shù)較小,但是頻率穩(wěn)定性均比x=,介電損耗和漏電流亦比x=。Dy摻雜導致薄膜的鐵電性能變差,x=,,薄膜在1000kV/、??梢妜=。(3),Sr摻雜能明顯改善薄膜的鐵電性能。隨著Sr摻雜量的增加,薄膜的介電常數(shù)持續(xù)增大,從299增加至402,但是頻率穩(wěn)定性卻呈反向變化趨勢,隨摻雜量的增加,介電常數(shù)下降速度越來越快。薄膜的漏電流密度隨著Sr摻雜量的增加而增加。x=,在667kV/105A/cm2。Sr摻雜薄膜的電滯回線達到了飽和狀態(tài),但此薄膜的電滯回線矩形度最好,剩余極化值也較大,1094kV/cm場強下,矯頑場341kV/cm。 致 謝此次本科畢業(yè)設計是在導師談國強教授的悉心指導和諄諄教誨下完成的。在我完成畢業(yè)設計過程中,談老師在學習、工作和生活等各方面給予我無微不至的關懷和幫助,使我終身難忘。談老師淵博的知識,嚴謹?shù)闹螌W風范和孜孜不倦的教導將使我終生受益。與此同時,在我求學期間,談老師教我的治學之道和為人之道也使我時時刻刻銘記于心。在論文即將完成之際,我深深地感謝談老師對我的嚴格要求和悉心指導。謹向老師致以衷心的感謝和崇高的敬意!在完成畢業(yè)設計過程中,感謝晏霞師姐在學習和實驗中給予的關心和幫助。從實驗方案設計、實驗過程、數(shù)據(jù)分析到論文的撰寫師姐都給予了我極大的幫助。尤其是在理論知識上豐富并加深了我對課題的理解,在行動上指導我做實驗,及時解決我在實驗中遇到的任何困難。感謝他對我給予的巨大幫助!感謝陜西科技大學材料學院吳建鵬老師在XRD衍射實驗中的及時幫助,指導我下一步實驗的進行。感謝所有幫助我做測試的老師,沒有他們的幫助,我無法完成論文。感謝濕化學實驗室所有和我一塊學習和工作的學長學姐們,感謝董國華、劉文龍、楊薇、耶維等給予我實驗的建議,感謝張小帥、鄭玉娟、高玉雙、王子婧等同學給予我實驗的幫助,感謝他們和我一起度過了一段難忘的時光。感謝身邊的同學對我學習和生活的幫助!最后向默默支持、鼓勵我學業(yè)的親人、朋友致以深深的謝意和誠摯的祝福! 參 考 文 獻[1]J. Wang,. Neaton,R. Ramesh,et al.Epitaxial BiFeO3 multiferroic thin filmheterostructures[J].Science,2003,299:17191722.[2]H. Schmid.Multiferroic magnetoelectrics[J].Ferroelectrics,1994,162:317–338.[3]. Hill.Why are there so few magnetic ferroelectrics?[J].Phys.Chem B,2000,104:6694–6709.[4]M. Fiebig,T. Lottermoser,D. Fr246。hlich,et al.Observation of coupled magnetic and electric domains[J].Nature,2002,419:818820.[5]Zhai Junyi,Cai Ning,Shi Zhan,et al.Magneticdielectric properties of NiFe2O4/PZT particulate posites[J].Appl.Phys.,2004,95:5685.[6]. Moreau,C. Michel,R. Gerson,et al.Ferroelectric BiFeO3 Xray and Neutron Diffraction Study[J].Phys.Chem.Solids,1971,32:13151320.[7]鐘維烈.鐵電體物理學[M].北京:科學出版社,2005.[8]. Zheludev,Solid State Physics,26,ed.By H. Ehrenreich,F(xiàn). Seitz and D. Turnball,Academic Press,New York,1971:429450.[9]黃昆,韓汝琦.固體物理學[M].北京:高等教育出版社.1988:379380.[10]. Singh,H. Ishiwara,K. Sato,et al.Microstructure and frequency dependent electrical properties of Mnsubstituted BiFeO3 thin films[J].Appl.Phys.2007,102:09410915.[11]F. Zavaliche,P. Shafer,R. Ramesh.Polarization switching in epitaxial BiFeO3 films[J].Appl.Phys.Lett.2005,87:25290213.[12]M. Abplanalp,D. Baro?ov225。,P. Bridenbaugh,et al,Scanning force microscopy of domain structures in Pb(Zn1/3Nb2/3)O38% PbTiO3 and Pb(Mg1/3Nb2/3)O329% PbTiO3 [J].Appl.Phys,2002,91(6):37973805.[13]I. Sosnowska,. Neumaier and E.Streichele.Spiral magnetic ordering in bismuth ferrite[J].Phys.C,1982,15:48354846.[14]I. Sonowska,W. Schafer,W. Kockelmann,et al.Crystal structure and spiral magnetic ordering of BiFeO3 doped with manganese[J].Appl.Phys,2002,74:s1040s1042.[15]. Hu,X. Cheng,. Wu,et al.Effects of Gd substitution on structure and ferroelectric properties of BiFeO3 thin films prepared using metal organic deposition[J].Appl.Phys.Lett,2007,91(23):23290913.[16]. Singh,H. Ishiwara,K. Maruyama.Room temperature ferroelectric properties of Mnsubstituted BiFeO3 thin films deposited on Pt electrodes using chemical solution deposition[J].Appl.Phys.Lett,2006,88(26):26290813.[17]. Singh,K. Maruyama,H. Ishiwara.Reduced leakage current in La and Ni codoped BiFeO3 thin films[J].Appl.Phys.Lett,2006,91(11):11291313.[18]楊彩霞,林殷茵,湯庭鰲.溶膠凝膠法制備BiFeO3鐵電薄膜的結構和特性[J].功能材料,2005,3(36):340345.[19]王秀章,晏伯武,劉紅日.SolGel方法制備BiFeO3/Bi4Ti3O12多層薄膜及其電性能[J].功能材料與器件學報,2010,16(1):1721.[20]俞圣雯,蔡金玉,嚴云飛,程晉榮.溶膠凝膠方法制備鐵酸鉍薄膜及膜厚的影響[J].上海大學學報((自然科學版),2008,14(5):509512.[21]K. Saravana Kumar,P. Aswini,C. Venkateswaran.Effect of Tb–Mn substitution on the magnetic and electrical properties of BiFeO3 ceramics[J].Magn.Mater,2014,364:6067.[22]齊西偉,周濟,岳振星,桂治輪,李龍土.鐵電/鐵磁復合材料的磁性能和介電性能研究[J].電子元件與材料.2002,22(4):35[23]P. Uniyal,. Yadav.Pr doped bismuth ferrite ceramics with enhanced multiferroic properties[J].Phys.Condens.Matter,2009,21(40):40590116.[24]付承菊,黃志雄,李杰,郭冬云.SolGel法制備多鐵性Bi0.85Eu0.15FeO3薄膜及其性能[J].材料導報,2010,24(2):1720.[25]倪志宏,鄭紅芳.多鐵BiFeO3薄膜的摻雜改性研究[J].科技導向,2010,23:31.
點擊復制文檔內(nèi)容
法律信息相關推薦
文庫吧 www.dybbs8.com
備案圖鄂ICP備17016276號-1