【導讀】---導電能力介于導體和絕緣體之間的物質。----純凈的具有單晶體結構的半導體。體現(xiàn)的是半導體的摻雜特性。*載流子的濃度---多子濃度決定于雜質濃度,少子濃度與溫度有關。*體電阻---通常把雜質半導體自身的電阻稱為體電阻。*PN結的接觸電位差---硅材料約為~,鍺材料約為~。*PN結的單向導電性---正偏導通,反偏截止。*單向導電性------正向導通,反向截止。*二極管伏安特性----同PN結。*正向導通壓降------硅管~,鍺管~。若V陽<V陰(反偏),二極管截止(開路)。的交點叫靜態(tài)工作點Q。---分為NPN和PNP兩種。面積較小;集電區(qū)摻雜濃度較高,與基區(qū)接觸面積較大。式子稱為穿透電流。截止區(qū)---發(fā)射結反偏,集電結反偏。溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。3)改變VCC:直流負載線平移,Q點發(fā)生移動。