【正文】 第一章 半導體二極管 一 .半導體的基礎知識 導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì) (如硅 Si、鍺 Ge)。 光敏、熱敏和摻雜特性。 純凈的具有單晶體結(jié)構的半導體。 4. 兩種載流子 帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。 在本征半導體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導體。體現(xiàn)的是半導體的摻雜特性。 *P型半導體 : 在本征半導體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）。 *N型半導體 : 在本征半導體中摻入 微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）。 6. 雜質(zhì)半導體的特性 *載流子的濃度 多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關。 *體電阻 通常把雜質(zhì)半導體自身的電阻稱為體電阻。 *轉(zhuǎn)型 通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導體。 7. PN 結(jié) * PN 結(jié)的接觸電位差 硅材料約為 ~，鍺材料約為 ~。 * PN 結(jié)的單向?qū)щ娦?正偏導通，反偏截止。 8. PN 結(jié)的伏安特性 二 . 半導體二極管 *單向?qū)щ娦?正向?qū)?，反向截止? *二極管伏安特性 同ＰＮ結(jié)。 *正向?qū)▔航?硅管 ~，鍺管 ~。 *死區(qū)電壓 硅管 ，鍺管 。 將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低 : 若 V 陽 V 陰 ( 正偏 )，二極管導通 (短路 )。 若 V 陽 V 陰 ( 反偏 )，二極管截止 (開路 )。 1）圖解分析法 該式與伏安特性曲線 的交點叫靜態(tài)工作點 Q。 2) 等效電路法 ? 直流等效電路法 *總的 解題手段 將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低 : 若 V 陽 V陰 ( 正偏 )，二極管導通 (短路 )。 若 V 陽 V陰 ( 反偏 )，二極管截止 (開路 )。 *三種模型 ? 微變等效電路法 三 . 穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路 *穩(wěn)壓二極管的特性 正常工作時處在 PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。 第二章 三極管及其基本放大電路 一 . 三極管的結(jié)構、類型及特點 分為 NPN 和 PNP 兩種。 基 區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸 面積較?。患妳^(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。 二 . 三極管的工作原理 1. 三極管的三種基本組態(tài) 2. 三極管內(nèi)各極電流的分配 * 共發(fā)射極電流放大系數(shù) (表明三極管是電流控制器件 式子 稱為穿透電流。 3. 共射電路的特性曲線 *輸入特性曲線 同二極管。 * 輸出特性曲線 (飽和管壓降，用 UCES表示 放大區(qū) 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 截止區(qū) 發(fā)射結(jié)反偏，集 電結(jié)反偏。 4. 溫度影響 溫度升高，輸入特性曲線向左移動。 溫度升高 ICBO、 ICEO 、 IC以及 β 均增加。 三 . 低頻小信號等效模型（簡化） hie輸出端交流短路時的輸入電阻， 常用 rbe表示； hfe輸出端交流短路時的正向電流傳輸比， 常用 β 表示； 四 . 基本放大電路組成及其原則 1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、 C C2的作用。 能放大、不失真、能傳輸。 五 . 放大電路的圖解分析法 1. 直流通路與靜態(tài)分析 *概念 直 流電流通的回路。 *畫法 電容視為開路。 *作用 確定靜態(tài)工作點 *直流負載線 由 VCC=ICRC+UCE 確定的直線。 *電路參數(shù)對靜態(tài)工作點的影響 1）改變 Rb ： Q 點將沿直流負載線上下移動。 2）改變 Rc ： Q 點在 IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動。 3）改變 VCC：直流負載線平移， Q點發(fā)生移動。 2. 交流通路與動態(tài)分析 *概念 交流電流流通的回路 *畫法 電容視為短路 ,理想直流電壓源視為短路。 *作用 分析信號被放大的過程。 *交流負載線 連接 Q 點和 V CC’ 點 V CC’= UCEQ+ICQR L’ 的 直線。 3. 靜態(tài)工作點與非線性失真 （ 1）截止失真 *產(chǎn)生原因 Q點設置過低 *失真現(xiàn)象 NPN管削頂， PNP 管削底。 *消除方法 減小 Rb，提高 Q。 （ 2） 飽和失真 *產(chǎn)生原因 Q點設置過高 *失真現(xiàn)象 NPN管削底， PNP 管削頂。 *消除方法 增大 Rb、減小 Rc、增大 VCC 。 4. 放大器的動態(tài)范圍 （ 1） Uopp是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。 （ 2）范圍 *當（ UCEQ－ UCES）＞（ VCC’ － UCEQ ）時，受截止失真限制， UOPP=2UOMAX=2ICQRL’ 。 *當（ UCEQ－ UCES）＜（ VCC’ － UCEQ ）時，受飽和失真限制， UOPP=2UOMAX=2 （ UCEQ－ UCES）。 *當（ UCEQ－ UCES）＝（ VCC’ － UCEQ ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。 六 . 放大電路的等效電路法 1. 靜態(tài)分析 （ 1）靜態(tài)工作點的近似估算 （ 2） Q 點在放大區(qū)的條件 欲使 Q 點不進入飽和區(qū)，應滿足 RB＞ β Rc 。 2. 放大電路的動態(tài)分析 * 放大倍數(shù) * 輸入電阻 * 輸出電阻 七 . 分壓式穩(wěn)定工作點共射 放大電路的等效電路法 1．靜態(tài)分析 2．動態(tài)分析 *電壓放大倍數(shù) 在 Re 兩端并一電解電容 Ce 后 輸入電阻 在 Re 兩端并一電解電容 Ce 后 * 輸出電阻 八 . 共集電極基本放大電路 1．靜態(tài)分析 2．動態(tài)分析 * 電壓放大倍數(shù) * 輸入電阻 * 輸出電阻 3. 電路特點 * 電壓放大 倍數(shù)為正，且略小于 1，稱為射極跟隨器，簡稱射隨器。 * 輸入電阻高，輸出電阻低。 第三章 場效應管及其基本放大電路 一 . 結(jié)型場效應管（ JFET ） 2. 輸出特性曲線 （可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)） 轉(zhuǎn)移特性曲線 UP 截止電壓 二 . 絕緣柵型場效應管（ MOSFET） 分為增強型（ EMOS）和耗盡型（ DMOS）兩種。 結(jié)構示意圖和電路符號 2. 特性曲線 *NEMOS的輸出特性曲線 * NEMOS 的轉(zhuǎn)移特性曲線 式中， IDO是 UGS=2UT時所對應的 iD值。 * NDMOS 的輸出特性曲線 注意： uGS可正、可零、可負。轉(zhuǎn)移特性曲線上 iD=0 處的值是夾斷電壓 UP，此曲線表示式與結(jié)型場效應管一致。 三 . 場效應管的主要參數(shù) IDSS Up UT RGS gm (表明場效應管是電壓控制器件 ) 四 . 場效應管的小信號等效模型 EMOS 的跨導 gm 五 . 共源極基本放大電路 * 靜態(tài)分析 動態(tài)分析 若帶有 Cs，則 * 靜態(tài)分析 * 動態(tài)分析 若源極帶有 Cs，則 六 .共漏極基本放大電路 * 靜態(tài)分析 或 * 動態(tài)分析 第四章 多級放大電路 一 . 級間耦合方式 1. 阻容耦合 各級靜態(tài)工作點彼此獨立；能有效地傳輸交流信號；體積小，成本低。但不便于集成，低頻 特性差。 2. 變壓器耦合 各級靜態(tài)工作點彼此獨立，可以實現(xiàn)阻抗變換。體積大，成本高，無法采用集成工藝；不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號。 3. 直接耦合 低頻特性好，便于集成。各級靜態(tài)工作點不獨立，互相有影響。存在“零點漂移”現(xiàn)象。 *零點漂移 當溫度變化或電源電壓改變時，靜態(tài)工作點也隨之變化，致使 uo 偏離初始值“零點”而作隨機變動。 二 . 單級放大電路的頻率響應 1．中頻段 (fL≤ f≤ fH) 波特圖 幅頻曲線是 20lgAusm=常數(shù)，相頻曲線是 φ =180o。 2．低頻段 (f ≤ fL) ‘ 3．高頻段 (f ≥ fH) 4．完整的基本共射放大電路的頻率特性 三 . 分壓式穩(wěn)定工作點電路的頻率 響應 1．下限頻率的估算 2．上限頻率的估算 四 . 多級放大電路的頻率響應 1. 頻響表達式 2. 波特圖 第五章 功率放大電路 一 . 功率放大電路的三種工作狀態(tài) 導通角為 360o， ICQ大，管耗大，效率低。 ICQ≈ 0， 導通角為 180o，效率高，失真大。 導通角為 180o~360o，效率較高，失真較大。 二 . 乙類功放電路的指標估算 1. 工作狀態(tài) ? 任意狀態(tài)： Uom≈ Uim ? 盡限狀態(tài)： Uom=VCCUCES ? 理想狀態(tài)： Uom≈ VCC 2. 輸出功率 3. 直流電源提供的平均功率 4. 管耗 Pc1m= 理想時為 % 三 . 甲乙類互補對稱功率放大電路 1. 問題的提出 在兩管交替時出現(xiàn)波形失真 —— 交越失真 (本質(zhì)上是截止失真 )。 2. 解決辦法 ? 甲乙類雙電源互補對稱功率放大器 OCL利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置電壓。 動態(tài)指標按乙類狀態(tài)估算。 ? 甲乙類單電源互補對稱功率放大器 OTL電容 C2 上靜態(tài)電壓為 VCC/2，并且取代了 OCL功放中的負電源 VCC。 動態(tài)指標按乙類狀態(tài)估算，只是用 VCC/2 代替。 四 . 復合管的組成及特點 1. 前一個管子 ce 極跨接在后一個管子的 bc 極間。 2. 類型取決于第一只管子的類型。 3. β =β 1β 2 第六章 集成運算放大電路 一 . 集成運放電路的基本組成 采用差放電路，以減小零漂。 多采用共射 (或共源 )放大電路，以提高放大倍數(shù)。 多采用互補對稱電路以提高帶負載能力。 多采用電流源電路，為各級提供合適的靜態(tài)電流。 二 . 長尾差放電路的原理與特點 1. 抑制零點漂移的過程 當 T↑→ iC iC2↑→ iE iE2 ↑→ uE↑→ uBE uBE2↓→ iB iB2↓→ iC iC2↓ 。 Re 對溫度