【正文】 ium strontium titanate thin ?lms [J]. J. Appl. Phys., 2010, 107: 094506.致 謝本論文是在導(dǎo)師唐明華教授的悉心指導(dǎo)下完成的。唐明華教授嚴(yán)謹(jǐn)?shù)闹螌W(xué)態(tài)度，淵博的知識及忘我的工作熱情給我留下了深刻的印象，是我為人為學(xué)的榜樣。唐老師認(rèn)真而耐心地指導(dǎo)我，帶領(lǐng)我做實驗，測數(shù)據(jù)，并給予了很多幫助和建議。在此向唐老師表示衷心的感謝，并致以崇高的敬意。對四年來為我們的成長和教育撒下辛勤汗水的其他各位老師表示深深的謝意。同時也要感謝王子平學(xué)長，本論文就是在他的大力幫助下才得以順利完成。在此也要感謝全班同學(xué)、室友及其他各位學(xué)長的指導(dǎo)和幫助。最后衷心感謝我的父母，他們在精神和經(jīng)濟(jì)上給予了我最大的幫助，他們的關(guān)愛、理解和鼓勵是我前進(jìn)的動力。畢業(yè)論文（設(shè)計）任務(wù)書論文(設(shè)計)題目： 摻鑭的鈦酸鍶薄膜的阻變性能研究 指導(dǎo)教師： 唐 明 華 教 授 系主任： 唐 明 華 教 授 一、主要內(nèi)容及基本要求 了解存儲器的概論； 了解阻變存儲器的作用機(jī)理及其器件結(jié)構(gòu)； 掌握溶膠凝膠法制備薄膜的基本原理和制備過程； 對制得的La:STO鐵電薄膜進(jìn)行阻變性能測試。 基本要求： 了解阻變存儲器的作用機(jī)理及其集成技術(shù)； 掌握溶膠凝膠法制備薄膜的基本原理和方法； 掌握La:STO鐵電薄膜進(jìn)行阻變性能測試的方法； 能根據(jù)實驗結(jié)果，總結(jié)出鈦酸鍶材料在阻變存儲器中的應(yīng)用。 二、重點研究的問題 阻變存儲器的作用機(jī)理； 溶膠凝膠法制備La:STO鐵電薄膜； La:STO薄膜的阻變性能測試。 三、進(jìn)度安排序號各階段完成的內(nèi)容 完成時間1搜集資料1月20日~3月5日2鉆研資料并制定實驗計劃3月6 日~4月5日3做實驗并整理實驗數(shù)據(jù)4月6日~5月6日4撰寫論文5月7日~5月17日5修改論文并制作ppt5月18日~5月29日6答辯5月29日四、應(yīng)收集的資料及主要參考文獻(xiàn)[1] S. Kim, H. Moon, D. Gupta, S. Yoo and Y. K. Choi. Resistive switching characteristics of solgel zinc oxide films for flexible memory applications [J]. IEEE Electron Device Lett., 2009, 56(4): 696699. [2] 左青云, 劉明, 龍世兵等, 阻變存儲器及其集成技術(shù)研究進(jìn)展 [J]. 微電子學(xué), 2009, 39(4):546. [3] D. S. Shang, J. R. Sun, L. Shi and B. G. Shen. Photoresponse of the Schottky junction Au/SrTiO3:Nb in different resistive states [J]. Appl. Phys. Lett., 2008, 93: 102106. [4] 王永, 管偉華, 龍世兵, 劉明, 謝常青, 阻變式存儲器存儲機(jī)理 [J]. 物理, 2008, 37(12). [5] 季振國, 基于金屬氧化物薄膜的電阻式非揮發(fā)性隨機(jī)存儲器 [J]. 無機(jī)材料學(xué)報, 2009, 2(4). [6] X. W. Sun, G. Q. Li, X. Zhang, L. H. Ding and W. F. Zhang. Coexistence of the bipolar and unipolar resistive switching behaviours in Au/SrTiO3/Pt cells [J]. J. Phys. D: Appl. Phys., 2011, 44: 125404. [7] 李穎弢, 劉明, 龍世兵, 劉琦等, 基于IV特性的阻變存儲器的阻變機(jī)制研究 [J]. 微納電子技術(shù), 2009, 46(3). [8] 劉超, 李建平, 曾一平, 溶膠凝膠工藝制備SrTiO3納米薄膜的研究 [J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 2005, 30(5). [9] W. Shen, R. Dittmann and R. Waser. Reversible alternation between bipolar and unipolar resistive switching in polycrystalline barium strontium titanate thin ?lms [J]. J. Appl. Phys., 2010, 107: 094506. [10] T. Menke, P. Meuffels, R. Dittmann, K. Szot and R. Waser. Separation of bulk and interface contributions to electroforming and resistive switching behavior of epitaxial Fedoped SrTiO3 [J]. J. Appl. Phys., 2009, 105: 066104. 湘 潭 大 學(xué)畢業(yè)論文（設(shè)計）評閱表畢業(yè)論文（設(shè)計）題目： 摻鑭的鈦酸鍶薄膜的阻變性能研究 評價項目評 價 內(nèi) 容選題，體現(xiàn)學(xué)科、專業(yè)特點和教學(xué)計劃的基本要求，達(dá)到綜合訓(xùn)練的目的；、份量是否適當(dāng)；、科研、社會等實際相結(jié)合。能力、綜合歸納資料的能力；；、研究方法和手段的運(yùn)用能力；；。論文（設(shè)計）質(zhì)量，論述是否充分，結(jié)構(gòu)是否嚴(yán)謹(jǐn)合理；實驗是否正確，設(shè)計、計算、分析處理是否科學(xué)；技術(shù)用語是否準(zhǔn)確，符號是否統(tǒng)一，圖表圖紙是否完備、整潔、正確，引文是否規(guī)范；，有無觀點提煉，綜合概括能力如何；，有無創(chuàng)新之處。綜合評 價評閱人： 年 月 日湘 潭 大 學(xué) 畢業(yè)論文（設(shè)計）鑒定意見 畢業(yè)論文（設(shè)計說明書） 25 頁 圖 表 21 張論文（設(shè)計）題目： 摻鑭的鈦酸鍶薄膜的阻變性能研究 內(nèi)容提要： 本文首先通過介紹存儲器的基本概念及其發(fā)展繼而講述阻變存儲器的基本概念、阻 變材料的種類及其優(yōu)越性，然后對其現(xiàn)有的幾種主要作用機(jī)理理論模型進(jìn)行了論述并簡單介紹了其集成技術(shù)，其作用機(jī)理有細(xì)絲理論、SCLC理論，SV理論，PF效應(yīng)，和肖特基發(fā)射效應(yīng)。然后以典型阻變材料La:STO為例，在制備薄膜的方法中除溶膠凝膠 法外有化學(xué)氣相淀積法、脈沖激光沉積法、電子束蒸發(fā)、原子層淀積、射頻磁控濺射法等。由于溶膠凝膠法相對于其他方法具有制備過程簡單，均勻性好，易于控制薄膜組分，不需要極端和復(fù)雜設(shè)備，成膜面積大，生產(chǎn)成本低，與常規(guī)微電子技術(shù)相兼容等優(yōu)點，所以本文詳細(xì)介紹了溶膠凝膠法制備La:STO鐵電薄膜的基本原理和制備過程，并對制得的La:STO薄膜進(jìn)行結(jié)構(gòu)表征和電學(xué)性能測試。測試結(jié)果表明，摻鑭的鈦酸鍶薄膜Bipolar行為，高阻態(tài)為肖特基發(fā)射機(jī)制，低阻態(tài)為歐姆行為，電阻轉(zhuǎn)換行為與肖特基勢壘高低有關(guān)，是介面效應(yīng)；而Unipolar電流機(jī)制為普爾法蘭克發(fā)射機(jī)制，轉(zhuǎn)換行為與導(dǎo)電細(xì)絲有關(guān)。這種材料具有優(yōu)異的阻變性能，在未來阻變存儲器中具有廣闊的應(yīng)用前景。指導(dǎo)教師評語阻變存儲器作為目前被廣泛研究的一種極具潛力的材料，有很多的優(yōu)點。本文對溶膠凝膠法制備的摻鑭鈦酸鍶的阻變性能進(jìn)行了研究，該生在設(shè)計過程中查閱了很多文獻(xiàn)，對阻變存儲器有了較系統(tǒng)的認(rèn)識，成功的制備出了摻鑭的鈦酸鍶薄膜，并且得到了比較好的結(jié)果，已達(dá)到本科畢業(yè)論文的要求。可以看出該同學(xué)已經(jīng)具有了查找文獻(xiàn)和解決問題的能力，該論文文字流暢，格式規(guī)范，結(jié)果分析合理。是一篇較好的畢業(yè)論文。同意其參加答辯，建議成績評定為 。指導(dǎo)教師： 年 月 日答辯簡要情況及評語答辯小組組長： 年 月 日答辯委員會意見答辯委員會主任