半導體物理問題解答-資料下載頁
2025-06-07 17:02本頁面
【正文】 態(tài)，EFn=EFp，np=n，對于非平衡態(tài)，EFn≠EFp，np≠n。因此電子和空穴準費米能級的差反映了半導體偏離平衡態(tài)的程度。由于非平衡狀態(tài)下電子與空穴的濃度都大于平衡狀態(tài)時的值，所以電子的準費米能級向?qū)б苿?，而空穴的準費米能級向價帶移動。一般情況下非平衡載流子注入時少子的數(shù)目相對變化很大，所以少子的準費米能級相對平衡時的費米能級可以有很大移動，而多子的準費米能級往往只有很小的移動。第六章、平衡pn結(jié)、pn結(jié)接觸電勢差 保持晶體內(nèi)禁帶寬度Eg為常數(shù)。接觸電勢差：勢壘區(qū)(耗盡層/空間電荷區(qū))：N區(qū)電子進入P區(qū)需要克服勢壘qVD，P區(qū)空穴進入N區(qū)也需要克服勢壘qVD。于是空間電荷區(qū)又叫做勢壘區(qū)。、平衡pn結(jié)中載流子濃度分布 nn0——n區(qū)平衡電子濃度 pn0——n區(qū)平衡空穴濃度 np0——p區(qū)平衡電子濃度 pp0——p區(qū)平衡空穴濃度 耗盡層近似：勢壘區(qū)中載流子濃度可以忽略，空間電荷密度就等于電力雜質(zhì)濃度。第七章、非平衡pn結(jié)、平衡PN結(jié)的能帶圖零偏置時，擴散電流等于漂移電流。、正偏PN結(jié)能帶圖正向偏置時，擴散電流大于漂移電流。正向注入：正偏壓使PN結(jié)N區(qū)多子電子從N區(qū)向P區(qū)擴散，使P區(qū)多子空穴從P區(qū)向N區(qū)擴散（這些載流子在進入對方區(qū)域之后成為對方區(qū)域中的少子）這種現(xiàn)象稱為少子的正向注入。、反偏PN結(jié)的能帶圖反向偏置時，漂移電流大于擴散電流。反向抽?。悍雌玃N結(jié)空間電荷區(qū)電場將N區(qū)少子空穴從N區(qū)向P區(qū)漂移，將P區(qū)少子電子從P區(qū)向N區(qū)漂移，這種現(xiàn)象稱為載流子的反向抽取。、pn結(jié)在三種情況下的勢壘高度及能帶圖、理想pn結(jié)JV關(guān)系、實際pn結(jié)JV關(guān)系、pn結(jié)的擊穿 、雪崩擊穿 T↑，VBR↑ 正溫度系數(shù) 、隧道擊穿（齊納擊穿） T↑，VBR↓ 負溫度系數(shù)第八章、金半接觸、功函數(shù)和電子親和能功函數(shù)：真空能級與費米能級之差。其中真空能級E0：為真空中靜止電子的能量。電子親和能χ：真空能級與導帶底之差。、接觸電勢差（金半縫隙之間的電勢差Vms）（縫隙很大的時候）、表面勢：半導體表面和體內(nèi)的電勢差Vs（縫隙很小的時候）、肖特基勢壘：（金半實際接觸，無縫隙）以n型金半接觸，WmWs為例，也就是說金屬的費米能級來得要低一些，接觸之后，半導體中的電子就源源不斷地流向金屬，半導體表面就欠缺電子，反映到能帶上，即在接觸表面，導帶底離費米能級的距離相對于半導體體內(nèi)要更遠一些，因此能帶是向上翹的（能帶與費米能級距離越遠，載流子濃度越低），向上翹的能帶對電子來講就是勢壘，即阻擋層。、表面態(tài)對接觸勢壘的影響界面態(tài)密度很大，則費米能級實際上被鉗位在離開價帶邊Eg/3附近（稱為費米能級釘扎效應），而肖特基勢壘變成與金屬和半導體的功函數(shù)無關(guān)。結(jié)論：1）、勢壘高度與金屬功函數(shù)基本無關(guān)； 2）、即使WmWs，阻擋層依然存在（對功函數(shù)不敏感）。、pn結(jié)和肖特基勢壘二極管的比較PNSBD少子器件，電荷存貯效應多子器件，載流子無存貯低頻高頻導通電壓 ~導通電壓 ~ 、歐姆接觸（金屬重摻雜半導體接觸）電子隧穿通過勢壘區(qū) 線性IV，正反向?qū)ΨQ；接觸電阻很小。第九章、表面電場效應、半導體表面層的五種基本狀態(tài)
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