納米sio2al2o3fe2o3cuo電極的制備及性質(zhì)-資料下載頁(yè)
2025-05-16 07:02本頁(yè)面
【正文】 tential and resistance of the cerium electrode 電導(dǎo)G/ms20電勢(shì)/mv110電阻R/Ω100通過上表可以看出，當(dāng)在電極成份中加入氧化鈰后，所制得電極電勢(shì)變化不大，電阻變化也不大，由此可說明當(dāng)在電極成份中加入氧化鈰后，銅絲表面不易形成氧化物薄膜，通過數(shù)碼顯微鏡放大100倍后，觀察電極表面，如下圖所示， 摻雜氧化鈰的40%Fe2O3電極表面 the surface map of the 40% Fe2O3 electrode doped cerium 摻雜硝酸鈷電極表面薄膜致密性研究摻雜硝酸鈷后摻雜相氧化物分散駐留在SiO2晶粒表面，阻止了SiO2晶粒表面的擴(kuò)散，從而抑制其晶粒生長(zhǎng)。此外，鈷離子摻雜使得表面缺陷附近的自由電子能有效的定域化，從而使SiO2納米晶體系的直接和間接帶隙能均向高能方向移動(dòng)。為探究加入鈷含量不同時(shí)對(duì)電極表面成膜的影響，現(xiàn)固定Fe2O3為40%，SiO2為30%，Al2O3為30%，，，電勢(shì)并計(jì)算出其電阻值，：：加鈷電極的電導(dǎo)，電勢(shì)及電阻值Table the conductivity,potential and resistance of the cobalt electrode 加入硝酸鈷質(zhì)量/g電導(dǎo)G/ms2020電勢(shì)/mv137143電阻R/Ω通過上表可以看出，當(dāng)電極原組分含量不變時(shí)，電極電阻隨加入硝酸鈷質(zhì)量增大而增大，由此可以說明，加入硝酸鈷質(zhì)量越高時(shí)，銅絲表面越易形成氧化物薄膜，現(xiàn)通過數(shù)碼顯微鏡放大100倍觀察其電極表面，：圖 摻雜硝酸鈷的40%Fe2O3電極表面圖Figure the surface map of the 40% Fe2O3 electrode doped cobalt SEM形貌觀測(cè) 經(jīng)過以上實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，電極組分中Fe2O3含量為40%，SiO2含量為30%，Al2O3為30%時(shí)電阻最大，表面成膜較為均勻，我們對(duì)摻雜硝酸鈷后的40%Fe2O3的納米電極做SEM分析， 摻雜硝酸鈷后的40%Fe2O3的納米電極SEM形貌 the SEM morphology of the 40% Fe2O3 electrode doped cobalt 結(jié)論 本實(shí)驗(yàn)運(yùn)用制備納米材料之一的溶膠凝膠法，%的銅絲、硝酸鐵、硝酸鋁、硅酸鈉為起始原料，以氧化鈰和硝酸鈷為摻雜原料，分別制備出各組分氧化硅含量不同的納米電極，通過對(duì)各電極表面成膜情況，對(duì)不同陽(yáng)離子的反應(yīng)的分析，得出結(jié)果表明：電極組分中Fe2O3含量為50%，SiO2含量為25%時(shí)和Fe2O3含量為40%，SiO2含量為30%左右時(shí)，電極表面最易形成均勻致密的氧化硅納米材料薄膜，即當(dāng)電極組分中Fe2O3含量為50%時(shí)，納米電極的最好涂覆濃度為25%，電極組分中Fe2O3含量為40%時(shí)，納米電極的最好涂覆濃度為30%，且此時(shí)電極電阻非常大，電極表面的氧化物薄膜最致密均勻。通過SEM觀察分析：摻雜了硝酸鈷的Fe2O3含量為40%，F(xiàn)e2O3含量為30%的納米粒子具有比較緊湊的外觀結(jié)構(gòu)，組成密實(shí)，形狀基本為餅狀，粒徑分布在500nm左右，雖然在電鏡制樣過程中出現(xiàn)部分粒子的團(tuán)聚現(xiàn)象，但總體分散性好。參考文獻(xiàn)[1] 尾崎又治，架集誠(chéng)一郎，趙健澤．納米微粒導(dǎo)論[M].武漢：武漢工業(yè)大學(xué)出版社,1991.[2] 張玉龍，李長(zhǎng)德．納米材料與納米塑料[M]．北京：中國(guó)輕工業(yè)出版社,2002.[3] 張立德．納米材料與納米結(jié)構(gòu)[M]．北京：科學(xué)出版社,2000．[4] 張立德，牟季美．納米材料和納米結(jié)構(gòu)[M]．北京：科學(xué)出版社，2001.[5] Halperin W．P．Quantum size effects in metal particles[J]．Rev．of Mod．Phys．1986，58：533606．[6] 蘇品書．超微粒子材料技術(shù)[M]．臺(tái)南：復(fù)漢出版社，1989．[7] Feldhein D．L．，Keating C．D．Selfassembly of single electron transistors and related devices[J]．Chem Soc Rev．1998,27：113．[8] Bakonyi I，TothKaKar E，Pogany L．Preparation and characterization of dcplated nanocrystalline nickel electrodeposits[J]．Surf and Coatings Technology．1996,78：124136．[9] Singh ,Sarabi R．S．Hardness and structure of electrodeposted nickel salfamate—formamide bath[J]．Platingamp。Surf Finishing．1996,10：5457．[10] Malvezzi A．M，Patrini M，Stella A，et a1．Linear and nonlinear optical characterization of Ga nanoparticle monolayers．Materials Science and Engineering[C].2001，15：3335．[11] 王慶祿，張志剛．納米磁性材料的制備方法比較與應(yīng)用[J]．唐山：唐山師范學(xué)院學(xué)報(bào)，2008，30：5860．[12] 莎仁，王喜貴，吳紅英，et ：Eu納米晶的制備及其發(fā)光特性[J]．南京：無機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào)，2008，24：981985．[13] 何則強(qiáng)，熊利芝，肖卓炳，et a1．納米SnO的溶膠凝膠法制備與電化學(xué)性能[J]．南京：無機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào)，2006，22：253257．[14] 張衛(wèi)民，孫思修，俞海云，et aI．水熱，固相熱解法制備不同形貌的四氧化三鈷納米微粉[J]．長(zhǎng)春：高等學(xué)校化學(xué)學(xué)報(bào)，2003，24：21512154．[15] Ishigaki T, Li JG．Synthesis of functional nanocrystallites through reactive thermal plasma processing[J]．Science and Technology of Advanced Materials．2007，8： 617623．[16] Water H，Schmelzer M，Janben S，et a1．．Phys，Chem．1 997，11： 17601765．[17] Journet C，Maser W．K，Bernier P．Largescale production of singlewalled carbon nanotubes by the electricarc technique[J]．Nature．1997，388：756758．[18] Thess A．，Lee R．，Nikolaev P．Crystalline ropes of metallic nanotubes[J]．1996，273：483485．[19] Sun Y．P．，Rollins H．W．Preparation of polymerprotected semiconductor nanoparticles through the rapid expansion of supercritical fluid solution[J]．Chemical Phy’sits Letters 1998，288：585588．[20] Henglein A．，TauschTreml R．Optical absorption and catalytic activity of subcolloidal and colloidal silver in aqueous solution：A pulse radiolysis study[J]．Colloid Interface Sci．1981，80：8490．[21] 沈興海，高宏成．納米微粒的微乳液制備法[J]．北京：化學(xué)通報(bào)，1995，11：611．[22] Herron W．J．Phys．Chem．1991，95：525531．[23] [J].北京：清華大學(xué)學(xué)報(bào),2001,41(10):14. [24] [J].北京：,18(4):443448. [25] [J].安徽：安徽化工，1995,80:2730. [26] [J].成都：電子元件與材料，2003,22(11):3135. 24
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