電力電子技術(shù)課程設(shè)計-電流可逆斬波電路(mosfet)-正文-資料下載頁
2025-10-25 07:28本頁面
【導讀】載，其中R的值為5Ω、L的值為1mH、E=350V，斬波電路輸出電壓250V。電流可逆斬波主電路原理圖如圖所示。動能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔芊答伒诫娫?，使電動機作再生制動運行，工作于第2象限。必須防止V1和V2同時導通而導致的電源短路。只作升壓斬波器運行時，則V1和VD1總處于斷態(tài)；第3種工作方式：一個周期內(nèi)交替地作為降壓斬波電路和升壓斬波電路工作。樞電流沿正、負兩個方向流通，電流不斷，所以響應很快。V1gate信號的參數(shù)：輸出Uo大小由降壓斬波電路決定，根據(jù)tU=onOiUT，電壓迅速上升到所需值,保證開關(guān)管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩；開關(guān)管導通期驅(qū)動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定可靠導通；關(guān)斷期間驅(qū)動電路最好能提供一定的負電壓避免受到干擾產(chǎn)生誤導通;另外要求驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)簡單可靠,損耗小,根據(jù)情況施加隔離。根據(jù)以上要求可設(shè)計上面圖的磁脈沖驅(qū)動電路。于是我在自己電路圖中把MOSFET替換成IGBT，如圖。MOSFET參數(shù)設(shè)定不合理。通過查找相關(guān)資料發(fā)現(xiàn)，書上MOSFET仿真實驗默認的
【正文】 首先在搭建模型時，對各模塊不是很熟悉，但參 照了相關(guān)書籍后，最終還是順利地搭建起來了模型。 其次在設(shè)定 V2 gate 信號的觸發(fā)延遲時間時，由于負載電感只有 1mH，釋放磁場能時間相當短，在示波器的初始顯示界面不不易找到這個時間。最終通過對電路原理的透徹理解，結(jié)合波形在電流遞減過零點發(fā)現(xiàn)了這一小段 us 級的時間。 還有正確設(shè)定了 gate 信號的參數(shù)后，電流可逆斬波電路中采用 MOSFET 和IGBT 得到了不同的波形，參考書籍發(fā)現(xiàn)了自己所用 MATLAB 版本中 MOSFET 默認參數(shù)不合理，修正后終于得到了預想的波形。 此次課程設(shè)計鞏固了電力電子技術(shù)中電流可逆斬波電 路的理論知識，還提升了自己運用 MATLAB 分析問題的能力，最重要的是鍛煉了自己發(fā)現(xiàn)問題解決問題的能力。 武漢理工大學《電力電子技術(shù)》課程設(shè)計 11 參考文獻 [1]王兆安 .電力電子技術(shù) .北京 :機械工業(yè)出版社 ,2020 [2]王 云亮 .電力電子技術(shù) .北京 :電子 工業(yè)出版社 ,2020 [3]張興 .高等 電力電子技術(shù) .北京 :機械工業(yè)出版社 ,2020 [4]劉淳 .matlab 在 電力電子技術(shù) 中的應用 .北京 :電子 工業(yè)出版社 ,2020 [5]許鎮(zhèn)琳 .電力電子技術(shù) matlab 仿真 .北京 :電子 工業(yè)出版社 ,2020
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