【正文】 11 31 24 23 16 15 8 7 0 11 22 33 44 31 24 23 16 15 8 7 0 00 00 00 44 31 24 23 16 15 8 7 0 00 00 00 11 Little endian Big endian R2 = 0x44 R2 = 0x11 .1ARM存儲系統(tǒng) ? cache能夠減少內(nèi)存平均訪問時間。 ? Cache可以分為 統(tǒng)一 cache和獨立的 數(shù)據(jù)／程序 cache。 ? 當(dāng) CPU更新了 cache的內(nèi)容時，要將結(jié)果寫回到主存中，可以采用 寫通法 （ writethrough）和 寫回法 （ writeback）。 – 寫通法是指 CPU在執(zhí)行寫操作時，必須把數(shù)據(jù)同時寫入 cache和主存。采用寫通法進(jìn)行數(shù)據(jù)更新的 cache稱為寫通 cache。 – 寫回法是指 CPU在執(zhí)行寫操作時，被寫的數(shù)據(jù)只寫入 cache不寫入主存。僅當(dāng)需要替換時，才把已經(jīng)修改的 cache塊寫回到主存中。采用寫回法進(jìn)行數(shù)據(jù)更新的 cache稱為寫回 cache。 ? 當(dāng)進(jìn)行數(shù)據(jù)寫操作時， cache分為兩類 :讀操作分配 cache和寫操作分配 cache 。 ? 對于讀操作分配 cache，當(dāng)進(jìn)行數(shù)據(jù)寫操作時，如果 cache未命中，只是簡單地將數(shù)據(jù)寫入主存中。主要在數(shù)據(jù)讀取時，才進(jìn)行cache內(nèi)容預(yù)取。 ? 對于寫操作分配 cache，當(dāng)進(jìn)行數(shù)據(jù)寫操作時，如果 cache未命中， cache系統(tǒng)將會進(jìn)行cache內(nèi)容預(yù)取，從主存中將相應(yīng)的塊讀取到 cache中相應(yīng)的位置，并執(zhí)行寫操作，把數(shù)據(jù)寫入到 cache中。 ? MMU（ Memory Manage Unit, 存儲管理單元）在 CPU和物理內(nèi)存之間進(jìn)行地址轉(zhuǎn)換，將地址從邏輯空間映射到物理空間，這個轉(zhuǎn)換過程一般稱為內(nèi)存映射。 ? MMU主要完成以下工作： – （ 1）虛擬存儲空間到物理存儲空間的映射。 – （ 2）存儲器訪問權(quán)限的控制。 – （ 3）設(shè)置虛擬存儲空間的緩沖的特性。 ? 在這種存儲器分層結(jié)構(gòu)中，上面一層的存儲器作為下一層存儲器的高速緩存。 ? CPU寄存器就是 cache的高速緩存，寄存器保存來自 cache的字； ? cache又是內(nèi)存層的高速緩存，從內(nèi)存中提取數(shù)據(jù)送給 CPU進(jìn)行處理，并將 CPU的處理結(jié)果返回到內(nèi)存中； ? 內(nèi)存又是主存儲器的高速緩存，它將經(jīng)常用到的數(shù)據(jù)從 Flash等主存儲器中提取出來，放到內(nèi)存中，從而加快了 CPU的運行效率。 ? 嵌入式系統(tǒng)的主存儲器容量是有限的， 磁盤、光盤或 CF、 SD卡等外部存儲器用來保存大信息量的數(shù)據(jù) 。 ? 在某些帶有 分布式文件系統(tǒng)的嵌入式網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng) 中，外部存儲器就作為其他系統(tǒng)中被存儲數(shù)據(jù)的高速緩存。 1）按在系統(tǒng)中的地位分類 存儲器部件的幾種分類 主存儲器（ Main Memory），（內(nèi)存、主存） 輔助存儲器（ Auxiliary Memory、 Secondary Memory），（外存、輔存） CPU直接訪問 速度快，用于存放系統(tǒng)軟件、參數(shù)以及當(dāng)前要運行的應(yīng)用軟件和數(shù)據(jù)、系統(tǒng)軟件的部分軟件。 速度慢，存放全部應(yīng)用軟件及剩余系統(tǒng)軟件。 通過專門設(shè)備將數(shù)據(jù)先置于內(nèi)存 2）按信息存取方式分類 存儲系統(tǒng)機制 存儲器部件的幾種分類 隨機存取存儲器 RAM 只讀存儲器 ROM Randomly Access Memory Read Only Memory 掩膜式 ROM 可編程只讀存儲器 PROM 可改寫的只讀存儲器 EPROM 靜態(tài) RAM 動態(tài) RAM 準(zhǔn)靜態(tài) RAM 按功能分 按信息存儲的方式分 存儲系統(tǒng)機制 Flash ROM MX 29 LV 040 C T C – 70 G Options: G: Leadfree package R: Restricted VCC(~) Q: Restricted VCC(~) with Leadfree package Speed: 55: 55ns 70: 70ns 90: 90ns 12: 120ns Temperature range: C: Commercial(0~70oC) I: Industrial(40~85oC) Vendor: Macronix International Package: Q: PLCC T: TSOP Device: 29: Flash Type: L, LV: 3V Density amp。 Mode : 040: 4M, x8 Equal Sector Revision: C 存儲系統(tǒng)機制 現(xiàn)代 SDRAM HY XX X XXX XX X X X XX XX XXX X HYNIX Product Family: 57 : sdram 5D : DDR sdram Process amp。 Power Supply: V : CMOS, 3V U : CMOS, Density amp。 Refresh: 4 : 4M bits, 1K Ref 16 : 8M bits, 4K Ref Data Width: 40 : x4 80 : x8 Bank: 1 : 2 Banks 2 : 4 Banks Interface: 0 : LVTTL 1 : SSTL 2 : SSTL2 I : Industrial Tempature E : Extended Tempature Speed: 5 : 5ns 55 : 5 : 6ns 65 : 7 : 7ns 75 : Package: TC : 400Mil, TSOPII TQ : 100Pin TQFP Power Consumption: Blank: Normal Power L : Low Power Die Generation: Blank: 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation SDRAM: Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動態(tài)隨機存取存儲器 : 同步 是指 Memory工作需要同步時鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)； 動態(tài) 是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失； 隨機 是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。 存儲系統(tǒng)機制 SDRAM 存儲系統(tǒng)機制 SDRAM 內(nèi)存芯片存儲數(shù)據(jù)的基本單位是bit(位 )，而進(jìn)行尋址的基本單位則是 Byte(字節(jié) )，一個 Byte就等于8bit。 ? 進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取時， ? 先進(jìn)行行的選定， ? 再進(jìn)行列的選定， ? 最后再從這個單元格中讀取出所需要的數(shù)據(jù)。 bank 存儲單元數(shù)量 =行數(shù) 列數(shù) Bank的數(shù)量 一般 M W的方式來表示芯片的容量（或者說是芯片的規(guī)格 /組織結(jié)構(gòu)）。 M是該芯片中存儲單元的總數(shù)，單位是兆（英文簡寫 M，精確值是 1048576，而不是1000000）， W代表每個存儲單元的容量，也就是 SDRAM芯片的位寬（ Width），單位是 bit。比如， 8M 8，這是一個 8bit位寬芯片，有 8M個存儲單元，總?cè)萘渴?64Mbit（ 8MB） SDRAM R/W RAS CAS CE Addr Data CLK 存儲系統(tǒng)機制 SDRAM