陶瓷基板制造技術(shù)ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-05-12 03:22本頁(yè)面
【正文】 1600 – 1800 ℃ ）： ? 近幾年，出于減少能耗，降低成本，以及 AIN與金屬漿料共燒等方面的考慮， AlN低溫?zé)Y(jié)技術(shù)的研究工作取得了一些成果。 ? 采用多元復(fù)合體系，降低助燒液相的熔點(diǎn)。 41 42 (5) AlN 基板的金屬化 ? 薄膜金屬化 。 ? 厚膜金屬化 。 ? 低溫金屬化 (如 AgPd導(dǎo)體、 Cu導(dǎo)體、 Au導(dǎo)體金屬化 。 ? 高溫金屬化 (如 MoMn金屬化和 W金屬化 )。 ? 直接鍵合銅金屬化 。 ? AlNW共燒金屬化。 43 (6) AlN 基板的應(yīng)用 (a) LSI封裝 44 (b) 超高頻（ VHF)頻帶功率放大器模塊 (c) 大功率器件、激光二極管基板 散熱基板結(jié)構(gòu)剖面 45 碳化硅 (SiC)基板 (1) SiC基板的特性 ? 熱擴(kuò)散系數(shù)大（ 銅 )。 ? 熱膨脹系數(shù)與 Si更加接近 。 ? 缺點(diǎn)： 介電常數(shù)高，不適用高頻電路板； 絕緣耐壓差。 46 (2) 生產(chǎn)原料 硅石(SiO2) 升華 暗綠色多晶 SiC aSiC 2022186。C 焦炭 食鹽 47 (3) SiC基板的制造 真空熱壓法燒成（ 2100186。C） SiC不適合制作多層電子基板！ 48 (4) SiC基板的應(yīng)用 多用于耐壓性不成問(wèn)題的低電壓電路及高散熱封裝的基板 高速、高集成度邏輯 LSI帶散熱結(jié)構(gòu)封裝實(shí)例 49 50 氧化鈹 (BeO)基板 (1) BeO基板的特性 ? BeO基板的熱導(dǎo)率是 Al2O3的十幾倍，適用于大功率電路； ? 介電常數(shù)低，又可適用高頻電路。 51 52 (2) BeO基板的制造 干壓法： ? 成型后， 300600 186。C預(yù)燒， 15001600 186。C燒成； ? 燒成收縮小，尺寸精度好 。 ? 打孔時(shí)，孔徑與孔距較難控制。 ? 問(wèn)題： BeO粉塵 有毒 ，存在環(huán)境污染問(wèn)題。 第二節(jié) 各類陶瓷基板 氧化鋁基板 （ 1） Al2O3陶瓷的基本性質(zhì) （ 2） Al2O3晶體結(jié)構(gòu) （ 3） Al2O3 陶瓷的分類及性能 （ 4） Al2O3 陶瓷原料生產(chǎn) （ 5） Al2O3 陶瓷基板制作方法 （ 6） Al2O3 陶瓷基板的應(yīng)用 莫來(lái)石基板 氮化鋁基板 (1) AlN 陶瓷性質(zhì) (2) AlN 的導(dǎo)熱機(jī)理 (3) AlN 粉的制備 (4) AlN 基板的制造 (5) AlN 基板的金屬化 (6) AlN 基板的應(yīng)用 碳化硅 (SiC)基板 (1) SiC基板的特性 (2) 生產(chǎn)原料 (3) SiC基板的制造 (4) SiC基板的應(yīng)用 氧化鈹 (BeO)基板 (1) BeO基板的特性 (2) BeO基板的制造 5
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