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低介電常數(shù)材料研究-資料下載頁(yè)

2025-05-07 22:25本頁(yè)面
  

【正文】 圖 2對(duì)應(yīng)于圖 1中 1034cm1處的峰 ,1061 和 1128分別是 SiOSi伸縮振動(dòng)和籠式結(jié) 構(gòu) ,1027cm1處為 CSiO中 SiO鍵的伸縮 振動(dòng) ,籠式結(jié)構(gòu)使薄膜形成微孔結(jié)構(gòu) . 在較高的沉積溫度下 ,較弱的 SiCH3和 CH鍵被破壞 ,因此 SiOCH薄膜變得和 SiO2薄膜類似 . 硬度和楊氏模量的增大主要是由于硅原子 的氧化程度增加 The mechanical properties of ultralowdielectricconstant films Thin Solid Films 462–463 (2022) 227– 230 Film A (carbonbased), Film B (silicabased) porous films 為避免基底和表面的影響 取壓痕深度為膜厚的 1/10 到 1/5處的數(shù)據(jù) , A的平均硬度和楊氏模量分 別為 ,B的平 均硬度和楊氏模量分別為 . the spontaneous bond Contraction of a film Surface may result in ultrahigh hardness at the film surface 刻痕帶測(cè)試后 ,通過(guò)光學(xué)顯微鏡觀察薄膜和底層不會(huì)發(fā)生剝落 小結(jié) 為得到理想低介電材料通常從以下方面著手研究 : . . 和電學(xué)性質(zhì) .
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