上海杉杉鋰電負(fù)極材料-資料下載頁
2025-05-07 18:16本頁面
【正文】 其電化學(xué)性能的目的 . 包埋 Confidential All right 合金材料開發(fā)的解決思路與工藝 (4) CVD ?在炭材料上氣相沉積納米硅，同時解決了材料的分散與復(fù)合問題，樹狀結(jié)構(gòu)提供了一個良好的緩沖體 Confidential All right 合金材料開發(fā)的類型 包覆型 (核 殼結(jié)構(gòu) )、嵌入型和分子接觸型 Confidential All right 三、 杉杉科技高容量合金負(fù)極 材料開發(fā)進(jìn)展 Confidential All right 杉杉科技合金材料研究進(jìn)展 ? SnC合金負(fù)極材料 () ? SiXC合金負(fù)極材料 ( ) Confidential All right SnC合金負(fù)極材料 制備示意圖 以在售石墨為基體，采用有機(jī)錫前驅(qū)體還原法制備。 All right ? 容量 —— 400~550mAh/g的范圍內(nèi)可調(diào) —— 首次放電效率達(dá)到 85%左右 ? 種類 —— Sn/天然石墨球 —— Sn/天然鱗片石墨 —— Sn/人造石墨等多個類別 ? 規(guī)模 —— 從幾十克提高到公斤級水平 ? 已成功申請專利 1項 SnC合金負(fù)極材料 進(jìn)展 Confidential All right SiXC合金 開發(fā)總體思路 ?Si實現(xiàn) 納米化，減少體積膨脹，提高導(dǎo)電性能 ； ?解決前驅(qū)體制備工藝， 納米硅與基體結(jié)合牢固 ； ?解決與石墨復(fù)合方法，優(yōu)化容量與首次效率； ?優(yōu)化材料應(yīng)用工藝 ， 適應(yīng)現(xiàn)有電池體系； Confidential All right SiXC合金 項目開發(fā)目標(biāo) 前驅(qū)體開發(fā)目標(biāo)： 容量 800 mAh/g，效率 70%。 產(chǎn)品開發(fā)目標(biāo)： 容量 400 mAh/g，效率 85%，循環(huán)性能與現(xiàn)有石墨體系接近。 Confidential All right SiXC合金 CVD工藝特點與最新進(jìn)展 ? CVD方案 (等離子氣相沉積 )工藝特點： 利用等離子體分使 SiH4分解為硅，通過控制沉積溫度、壓力以及 SiH4/H2流量比等參數(shù)在碳基體表面沉積納米硅薄膜。 該方案將兩種物料緊密的沉積在一起，同時還可實現(xiàn)材料納米化，能夠滿足合金材料開發(fā)的要求 。 硅表面沉積炭 炭表面沉積硅 碳表面沉積硅 All right ? 容量 —— 前驅(qū)體容量可達(dá) 1100mAh/g —— 首次放電效率可達(dá) 72% —— 產(chǎn)品容量可達(dá) 415mAh/g —— 首次放電效率可達(dá) 87% ? 種類 —— SiXC/天然石墨 —— SiXC/人造石墨等 ? 規(guī)模 —— 可實現(xiàn)數(shù)公斤級的制備 SiXC合金 成果 Confidential All right ? 短期目標(biāo) – 工藝優(yōu)化，提高 SiXC合金的首次效率 – 與現(xiàn)有系統(tǒng)相匹配，容量提 升 10～ 20% – 實現(xiàn) SiXC的工藝放大 ? 長期目標(biāo) －容量和效率的進(jìn)一步提升 －開發(fā)高容量 SiC合金負(fù)極材料以及配套電解液 SiXC合金 下一步目標(biāo) Confidential All right
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