【總結】第四章薄膜材料與工藝?1、電子封裝中至關重要的膜材料及膜技術?薄膜和厚膜?膜及膜電l路的功能?成膜方法?電路圖形的形成方法?膜材料?2、薄膜材料?導體薄膜材料?電阻薄膜材料?介質薄膜材料?功能薄膜材料1、電子封裝工程中至關重要的膜材料及膜技術?薄膜和
2025-05-12 13:52
【總結】第三節(jié)溶膠-凝膠法一、膠體分散體系:一種或幾種物質分散在另一物質之中所構成的系統(tǒng)叫分散體系分散相:分散體系中被分散的物質分散介質:分散體系除了分散相以外的物質1.膠體及其相關的概念溶膠-凝膠法溶膠-凝膠法分散體系的分類均相分散系統(tǒng)
2025-05-12 03:05
【總結】介質薄膜材料要求:?1、初步認識介質薄膜材料;?2、了解介質薄膜的分類;?3、熟悉典型介質薄膜的制備、性質及應用;第一節(jié)概述一、介質薄膜簡介介質薄膜以其優(yōu)良的絕緣性能和介電性能在半
2025-05-05 22:55
【總結】1光學薄膜技術培訓精密薄膜工程部2022年7月15日2目錄?一、光學薄膜基礎知識?二、真空及真空系統(tǒng)?三、薄膜的制備技術?四、薄膜制備工藝?五、薄膜材料?六、膜厚的監(jiān)控?七、光學薄膜的性能和檢測?八、光學薄膜產(chǎn)品的常見疵病及相應的注意事項?九、膜系設計相關一、光
2025-01-11 19:50
【總結】磁控濺射鍍膜技術的基本概念與應用(學習班講稿)報告人:范垂禎2022年6月低溫實驗一、引言荷能粒子(例如氬離子)轟擊固體表面,引起表面各種粒子,如原子、分子或團束從該物體表面逸出的現(xiàn)象稱“濺射”。在磁控濺射鍍膜中,通常是應用氬氣電離產(chǎn)生的正離子轟擊固體(靶),濺出的中性原子沉積到基片(工件)上,
2025-02-21 22:19
【總結】1福州阿石創(chuàng)光電子材料有限公司李艷龍鍍膜材料基礎知識21:光學薄膜材料薄膜的制鍍,隨著膜質要求的升高,各種制鍍方法已不斷的被研究出來,而制鍍后的測試亦隨著制鍍技術的進步而有一再深入的探討.制鍍上所需要的材料關系著制鍍后的成果.雖然可陳列的材質相當?shù)亩?,但真正能用在光學薄膜的欲非常有限.這使我們在不同的光譜區(qū)
2025-05-12 13:46
2025-01-17 18:24
【總結】真空濺射鍍膜技術表面技術工程是將材料表面與基體一起作為一個系統(tǒng)進行設計,利用表面改性技術,薄膜技術和涂層技術,使材料表面獲得材料本身沒有而又希望具有的性能的系統(tǒng)工程。薄膜技術是表面工程三大技術之一。一般把小于25um大于100nm的膜層稱為薄膜,大于25um的膜層稱為厚膜。小于100nm的膜層稱
2025-05-01 22:20
【總結】一.概述1.定義:一般將厚度在。2.性能:透明、柔韌、良好的耐水性、防潮性和阻氣性,機械強度較好,化學性質穩(wěn)定,耐油脂,可以熱封制袋。PE、PP、PS、PVC、PVDC、NY、PET、EVA、PVA。3.分類:化學組成:擠出吹塑、擠出流延、壓延、溶
2025-05-12 03:37
【總結】第十章薄膜化學汽相淀積(CVD)技術.化學汽相淀積(CVD)原理.薄膜生長的基本過程(與外延相似)外延是一特殊的薄膜生長1)參加反應的氣體混合物被輸運到沉積區(qū)2)反應物分子由主氣流擴散到襯底表面3)反應物分子吸附在襯底表面4)吸附物分子間或吸附分子與氣體分子間發(fā)生化學反應,生成
2025-01-15 10:03
【總結】第七章硅薄膜材料提綱硅材料最重要的形式是硅單晶,在微電子工業(yè)和太陽能光伏工業(yè)已經(jīng)廣泛應用,受單晶硅材料價
2025-05-01 22:24
【總結】第十七章波動光學17-3光程薄膜干涉一光程光在真空中的速度001???c光在介質中的速度??1?uncu1???'?u???c真空中的波長介質的折射率)(π2cos1101?rTtEE??)'(π2cos2202?rTtEE??n???
2025-05-06 04:20
【總結】第三章薄膜制備技術氣相法液相法化學溶液鍍膜法:化學鍍(CBD)、電鍍(ED)、溶膠-凝膠(Sol-Gel)、金屬有機物分解(MOD)、液相外延(LPE)、水熱法(hydrothermalmethod)、噴霧熱解(spraypyrolysis)、噴霧水解(sprayhydrolysis)、LB膜及自組裝(se
2025-01-17 19:24
【總結】納米硬質薄膜材料一、納米硬質薄膜簡介二、納米薄膜材料的分類及功能特性三、納米薄膜材料未來研究方向一、納米硬質薄膜簡介納米硬質薄膜(涂層)具有超硬、強韌、耐摩擦、耐腐蝕、耐高溫等良好的性能,大幅度提高了涂層產(chǎn)品
2025-05-03 03:30
【總結】第四單元:薄膜技術第8章:晶體外延生長技術第9章:薄膜物理淀積技術第10章:薄膜化學汽相淀積第8章:晶體外延生長技術–SiCl4的氫化還原——成核——長大–一般認為反應過程是多形式的兩步過程–如:–(1)
2025-05-07 13:43