mis結(jié)構(gòu)ppt課件-資料下載頁
2025-05-05 18:18本頁面
【正文】 ?， ?C/C0? (DE) 當(dāng) VS?到使 C0/CS?很小時， C/C0的分母中的第二項又可以忽略。 C/C0?1。 (EF) 1)()(1100?? ?????ssVkTqVpporoDrooepndLCC??高頻時 ， 反型層中的電子對電容沒有貢獻 ,空 間電荷區(qū)的電容由耗盡層的電荷變化決定 0m a x00m i n11dxCCrsdr?????因強反型出現(xiàn)時耗盡層寬度達到最大值 xdmax, 不隨 VG變化 , 耗盡層貢獻的電容將達極小值并 保持不變 . (GH) ?（ 1）半導(dǎo)體材料及絕緣層材料一定 ? 時， CV特性將隨 do及 NA而 ? 變化； ?（ 2） CV特性與頻率有關(guān) N型半導(dǎo)體組成的 MIS結(jié)構(gòu)具有相似的規(guī)律。 結(jié) 論 二、實際的 MIS結(jié)構(gòu)的 CV特性 1．金屬和半導(dǎo)體功函數(shù)的影響 (EF)M(EF)S M S (EF)M (EF)s ? + － E WMWS E0 sFsmFmEEWEEW)()(00????0?sV能帶下彎 為了恢復(fù)平帶狀態(tài) , 必須外加一負電壓 ，VG=－ Vs， 抵消由于兩者的功函數(shù)不同引起的電場和能帶的彎曲 . 雖然無外加偏壓 , 由于功函數(shù)的不同 , 使 半導(dǎo)體表面并不處于平帶狀態(tài) 0/CVG0/CC0/ CC FBFBVGV(1) (2) 0 功函數(shù)差對 CV特性曲線影響 理想 為 達到平帶狀態(tài)所需加的 電壓叫做 平帶電壓 VFB qWWVV smmsFB??? 如果 WmWs， 形成的 Vs0， 為使恢復(fù)平帶狀態(tài) ， 必須加一正向電壓 ， VG=－ Vs0， 這時 CV曲線是向右發(fā)生了移動 。 2． 絕緣層中離子的影響 可動離子： Na+， K+或 H+ 固定離子：通常位于 Si— SiO2界面附近的200197。范圍內(nèi) + + + + M I S E Ε外 C－ V曲線向左平移 0?sV能帶下彎 3．表面態(tài)的影響 (1) 受主表面態(tài) ● 在 N型半導(dǎo)體中 Ec Ev EF ? ?? + － E VS0，能帶上彎 電離受主 表面態(tài) ++ 176。 176。176。 176。 電離施主 空穴 使 N型表面反型 接受電子 , 帶負電 ● 在 P型表面 Vs0，能帶上彎 176。176。 176。176。176。 176。176。 電離受主 表面態(tài) 多子空穴 受主表面態(tài)存在P型半導(dǎo)體表面后 ，使半導(dǎo)體表面積累更多空穴 ， 成了強 p型材料 。 只要表面有受主態(tài)存在，都要形成由體內(nèi)向外的電場，使 VS0，能帶上彎，使 CV特性曲線向右平移了。 為使恢復(fù)平帶狀態(tài) ， 必須加一正向電壓 . (2) 施主表面態(tài) ● 存在于 N型表面時 Ec Ev EF ++ ++ + ? + － VS0，能帶下彎，在表面形成了強 N型。 正電荷：電離的施主表面態(tài) 負電荷：多子積累 E ● P型材料 Vs0，能帶下彎 正電荷：電離施主表面態(tài) 負電荷： 反型層中少子電子 耗盡層中電離的受主 表面出現(xiàn)了反型層 只要有施主表面態(tài) ， 總要形成指向內(nèi)部的電場 ， 在沒加電場時 ， 在表面就有電場 VS0， 能帶下彎 ， CV特性左移 為使恢復(fù)平帶狀態(tài) ， 必須加一反向電壓 . Ec Ev EF + － E 第八章 一、表面態(tài)、表面電場及效應(yīng) P型半導(dǎo)體表面空間電荷層的四種基本狀態(tài) VG變化 ?VS變化 ?能帶彎曲 ?電荷分布變化 VG0 VS0 VG=0 VG0 VG0 多子堆積 平帶 多子耗盡 反型少子堆積 N型半導(dǎo)體表面空間電荷層的四種基本狀態(tài) 二、理想的 MIS結(jié)構(gòu)的 CV特性 A B C D E F C0 CFB Cmin Cmin Vmin 1低頻 C0 2高頻 G H 0 0 +V MIS結(jié)構(gòu)的電容 電壓曲線 三、實際的 MIS結(jié)構(gòu)的 CV特性
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