mosfet直流特性ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-05-05 18:16本頁(yè)面
【正文】 柵壓的變化量 *。 ?S的單位： V/dec ?S越小器件的開(kāi)關(guān)特性越好 )( )( lo g DSGSDSGSIddVIddVS ??亞閾值電流 （ 3） 測(cè)量得到的亞閾值電流數(shù)據(jù)。半對(duì)數(shù)坐標(biāo)系中的亞閾值電流為直線。直線斜率的倒數(shù) S定義為亞閾值斜率的倒數(shù)（簡(jiǎn)稱為亞閾值斜率） ?qTkCCqTkSBoxdB)1(???降低 S的方法： ? 降低 Tox。 降低 NB。增加 VSB。 降低界面陷阱密度 Dit oxitoxdCCCC ??? 1?亞閾值電流 （ 4） 理論上， S的最小值為 ： Smin=60 (mV/decade) 現(xiàn)代典型工藝 S值的范圍 ： 70～ 120 (mV/decade) 為什么要求 S?。? ?設(shè)計(jì)者需要用它來(lái)保證 MOST處在“關(guān)”態(tài)所需要的柵壓。通常， MOST處在“關(guān)”態(tài)的標(biāo)準(zhǔn)是當(dāng) VG=0時(shí)流過(guò)漏極的電流不超過(guò) VG=VT時(shí)漏極電流的 %(105) ?S給出了閾值電壓 VT的下限 * 亞閾值電流 （ 5） 模型的缺陷 前述模型的缺陷 ： 分段 計(jì)算漏電流，計(jì)算時(shí)： ?假定在亞閾值區(qū)（弱反型）只有擴(kuò)散電流 ?假定在線性區(qū)和飽和區(qū)（強(qiáng)反型區(qū)）只有漂移電流（且模型 不能自行飽和 ，需要人為的建立飽和區(qū)的特性） ?導(dǎo)致電流在弱反型區(qū)和強(qiáng)反型區(qū)不可能有一個(gè)平滑的過(guò)渡。 模型的缺陷（ 2） 解決的辦法 1：引入導(dǎo)通電壓 Von，當(dāng) VGSVon時(shí)，強(qiáng)反型方程有效，當(dāng) VGSVon時(shí)，弱反型方程有效。 qTkVV BTnon ???????????????????????D s a tDSTnGSDSTnGSD s a tDSonGSDSDSTnGSonGStonGSonDSVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVII,)1()(2,)()e x p (2??????DSIDSVonVTnVPaoSah 模型和薄層電荷模型 PaoSah Model和 Charge Sheet Model彌補(bǔ)了上述缺點(diǎn)，這兩種理論都可以計(jì)算亞閾值電流，也可以實(shí)現(xiàn)自行飽和。 PaoSah 模型是一個(gè)精確的電荷模型，薄層電荷模型可以看成是 PaoSah 模型的簡(jiǎn)化。 PaoSah Model: , SolidStateElectron.,9,pp927937 (1966) Charge Sheet Model: ,et al,SolidStateElectron.,21,pp345355 (1978) MOS亞閾值特性
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