功率mosfet之基礎篇-資料下載頁
2025-07-18 11:47本頁面
【正文】 Cds：漏極與源極之間的電容 Cgd：柵極與漏極之間的電容 容量值越小， QG越小，開關速度越快，開關損耗就越小。 銳駿半導體 MOSFET的主要參數(shù) ? 電荷量 QG QGS QGD QG：柵極總的電荷量 QGS：柵極與源極間所需電荷量 QGD：柵極與漏極間所需電荷量 電荷量 Q=C*V 開關時間 t=Q/I 所以電荷量越大，所需開關時間 t就越長，開關損耗越大。 ? 以上為 MOS的主要參數(shù)，當然還有一些別的參數(shù)，例如開啟電壓 VGS(th）， MOS體內二極管的一些參數(shù)，漏電流等參數(shù)咱們將在后邊的 延伸篇中加以詳細解釋。 ? 后面介紹下 MOSFET的封裝型式 銳駿半導體 MOSFET的常規(guī)封裝 ? SOT233 銳駿半導體 MOSFET的常規(guī)封裝 ? SO8 銳駿半導體 MOSFET的常規(guī)封裝 ? TO252 銳駿半導體 MOSFET的常規(guī)封裝 ? TO220 銳駿半導體 MOSFET的常規(guī)封裝 ? TO263 銳駿半導體 MOSFET的常規(guī)封裝 ? TO247 銳駿半導體
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