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2025-05-03 18:25本頁面
【正文】 with heart 交叉串擾 ? 交叉串擾原因 : –水平方向 : 高 Gate amp。 Common line delay 。 Gate line amp。 S/D line Cross部 耦合作用強 。 C/F 側 Common delay 高 。 TFT amp。 C/F 對位 Misalign 高 –垂直 方向 : S/D line和 Pixel間耦合作用強 。 TFT Ioff 漏電流高 。 S/D line 電阻高 。 TFT amp。 C/F 對位 Misalign 高 舉例說明 FFS交叉串擾 : L255圖形下 ,FFS +LC電容最大 ,水平方向的 Gate/ Common line的 RC delay加大 ,影響到水平方向上的像素電壓 /液晶電壓變小 ,發(fā)暗 .同時 L255圖案所加信號電壓最強 ,由于數(shù)據(jù)線和像素間的耦合電容作用 ,影響到垂直方向上的像素電壓加大 ,發(fā)亮 . ? 交叉串擾對策 : –水平方向 : 降低 Gate line配線電阻 降低 Common line配線電阻 采用點反轉驅動 盒對位精度控制 –垂直 方向 : 采用點反轉驅動 拓寬 S/D和像素間距 盒對位精度控制 Change life with heart 交叉串擾 ? FFS交叉串擾小是因為 FFS Cst大引起耦合作用減小 .尤其是在垂直方向上 ,數(shù)據(jù)線和像素間電場方向與摩擦方向一致 ,耦合電容引起的噪音電壓不改變液晶分子排列狀態(tài) ,始終呈暗態(tài) ,因此畫面亮度不變 ,交叉串擾消失 .但在水平 Gate方向上仍有交叉串擾 .所以數(shù)據(jù)線側的 BM可以縮短到 18/16181。m,但柵線側的 BM仍然為 . Source BusLine ΔVp = (Cdp/CT) ΔVs CT (IPS) = Cst + CLC + Cgs CT (FFS) = Cst + CLC + Cgs ΔVp (IPS) ΔVp (FFS) ? Crosstalk下降 Common Electrode TFT Glass C/F Glass Pixel Electrode Common Electrode TFT Glass C/F Glass Pixel Electrode Source BusLine Effective E Effective E IPS FFS Noise Field Noise Field Change life with heart 響應速度快和低功耗 ? 響應時間 T是指上升時間 Tr (10%透光率的畫面轉換成 90%透光率所需時間 )加下降時間Tf(90%透光率的畫面轉換成 10%透光率所需時間 ). ? 提高響應速度的方法 : – 外加電壓提高 (ODC),電場強度增加 ,上升時間降低 – 盒厚減小 ,上下取向膜的錨定力效果明顯 ,下降時間降低 – 液晶低粘性 ,阻礙相鄰液晶運動的作用力減小 ,響應時間降低 – ?AFFS 正性液晶粘度 γ低 ,介電常數(shù)各向異性 ?ε大 ,盒厚 d=4181。m, – 響應速度可達到 25ms,甚至 16ms. Tr∝ γd2/[?ε(V2Vth2] Tf∝ γd2/(?εVth2) ? AFFS產品的驅動電壓 Vth低 ,飽和電壓 Vop低 ,功耗低 IPS/FFS公式 : Vth=πl(wèi)/d*(k22/ε0*?ε)1/2 ?AFFS技術中 l/d值小 (l/d1),+LC ?ε 絕對值大 ,因此驅動電壓低 . – 飽和電壓 (光透過率達最大值時的信號電壓 )Vop與 ?ε3成反比 , AFFS技術中 +LC ?ε 絕對值大 – 而且對于 AFFS技術 ,如果電壓過高時 ,液晶分子很容易發(fā)生傾斜 ,透光率反而降低 , ? AFFS技術的飽和電壓低于 IPS的飽和電壓 .
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