單晶制備張成智ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-05-02 12:08本頁(yè)面
【正文】 熱不受坩堝熔點(diǎn)限制 ， 可以生長(zhǎng)熔點(diǎn)極高材料 。 生長(zhǎng)出的晶體沿軸向有較小的組分不均勻性 ， 在生長(zhǎng)過(guò)程中容易觀察等 ?？梢陨L(zhǎng)搞純度的晶體 。 浮區(qū)法晶體生長(zhǎng)過(guò)程中 ， 熔區(qū)的穩(wěn)定是靠表面張力與重力的平衡來(lái)保持 ， 因此 ， 材料要有較大的表面張力和較小的熔態(tài)密度 。 浮區(qū)法對(duì)加熱技術(shù)和機(jī)械傳動(dòng)裝置的要求都比較嚴(yán)格 。 23 焰熔法 焰熔法 （ 火焰法 ， Verneuil method)， 是一種最簡(jiǎn)單的無(wú)坩堝生長(zhǎng)方法 ， 十九世紀(jì)就被用來(lái)進(jìn)行寶石的生長(zhǎng) ， 并且 ， 一直到現(xiàn)在 ， 其基本原理 都沒(méi)有什么改變 。 焰熔法主要用來(lái) 生長(zhǎng)寶石 （ 氧化鋁 ） 、 尖晶石 、 氧 化鎳等高熔點(diǎn)晶體 ， 其原理是利用 氫氣和氧氣在燃燒過(guò)程中產(chǎn)生的高 溫 ， 使一種疏松的原料粉末通過(guò)氫 氧焰撒下熔融 ， 并落在一個(gè)冷卻的 結(jié)晶桿上結(jié)成單晶 。 24 焰熔法的 優(yōu)點(diǎn) 是： 不用坩堝 ， 無(wú)坩堝污染問(wèn)題 。 可以生長(zhǎng)高熔點(diǎn)氧化物晶體 。 生長(zhǎng)速度快 ， 可生長(zhǎng)較大尺寸的晶體 。 設(shè)備簡(jiǎn)單 ， 適用于工業(yè)生產(chǎn) 。 焰熔法的 缺點(diǎn) 是： 火焰溫度梯度大 ， 生長(zhǎng)的晶體缺陷多 。 易揮發(fā)或易被氧化的材料不宜使用 。 生長(zhǎng)過(guò)程中 ， 原料的損失嚴(yán)重 25 補(bǔ)充： 結(jié)晶長(zhǎng)大 ? 熔體：需要一定的過(guò)冷度才能結(jié)晶 ? 溶液：需要一定的過(guò)飽和濃度 ? 氣體到液體：需要一定的過(guò)飽和蒸汽壓 Thank You for your attention ! Do you have any questions? 謝謝 大家 Make Presentation much more fu
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