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硅片制備ppt課件-資料下載頁(yè)

2025-05-01 22:24本頁(yè)面
  

【正文】 ③ 硅片裝架的接觸位置 。 定位邊或定位槽的作用 硅片的制備 Dai Xianying 21 切片 (Wafer Sawing) 晶向標(biāo)記 定位槽 鋸條 冷卻液 硅錠 硅錠運(yùn)動(dòng)方向 金剛石覆層 硅片的制備 Dai Xianying 22 機(jī)械研磨 (Lapping) ? 粗拋光 ? 常規(guī)的使用研磨劑( Al2O SiC、ZrO、 SiO MgO)進(jìn)行漿料研磨 ? 去除大多數(shù)表面損傷 ? 獲得平整的表面 硅片拋光 硅片的制備 Dai Xianying 23 化學(xué)腐蝕 (Etch) ? 去除圓片表面的缺陷 ? HNO3(重量比濃度 79%)、 HF (重量比濃度 49%)和純 CH3COOH配成 4:1:3溶液 ? 腐蝕化學(xué)反應(yīng) 3Si+4HNO3+6HF→3H 2SiF6+4NO+8H2O 單晶 Si制備 硅片拋光 硅片的制備 Dai Xianying 24 化學(xué)機(jī)械拋光 (Chemical Mechanical Polishing: CMP) 單晶 Si制備 硅片的制備 硅片拋光 Dai Xianying 25 200mm硅圓片厚度和表面粗糙度的變化 鋸片后 倒角后 機(jī)械研磨后 化學(xué)腐蝕后 CMP后 單晶 Si制備
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