電子探針顯微分析(2)-資料下載頁
2025-04-30 01:47本頁面
【正文】 Si(Li)探頭必須保持在低溫態(tài)，因此必須時(shí)時(shí)用液氮冷卻。 19 20 電子探針的分析方法和應(yīng)用 一是 定點(diǎn)分析 ，即對樣品表面選定微區(qū)作定點(diǎn)的全譜掃描，進(jìn)行定性或半定量分析，并對其所含元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)進(jìn)行定量分析； 二是 線掃描分析 ，即電子束沿樣品表面選定的直線軌跡進(jìn)行所含元素質(zhì)量分?jǐn)?shù)的定性或半定量分析； 三是 面掃描分析 ，即電子束在樣品表面作光柵式面掃描，以特定元素的 X射線的信號強(qiáng)度調(diào)制陰極射線管熒光屏的亮度，獲得該元素質(zhì)量分?jǐn)?shù)分布的掃描圖像。 電子探針 X射線波譜儀及能譜分析有三種基本的工作方法： 21 ? 下圖給出了 ZrO2(Y2O3)陶瓷析出相與基體定點(diǎn)成分分析結(jié)果，可見析出相（ t相） Y2O3含量低，而基體 (c相 )Y2O3含量高，這和相圖是相符合的。 ZrO2(Y2O3)陶瓷析出相與基體的定點(diǎn)分析 (圖中數(shù)字為 Y2O3mol%) 22 ? 下圖給出 BaF2晶界線掃描分析的例子，圖 (a)為 BaF2晶界的形貌像和線掃描分析的位置，圖 (b)為 O和 Ba元素沿圖 (a)直線位置上的分布，可見在晶界上有 O的偏聚。 BaF2晶界的線掃描分析 (a)形貌像及掃描線位置； (b)O及 Ba元素在掃描線位置上的分布 23 ? 下圖給出 ZnOBi2O3陶瓷試樣燒結(jié)自然表面的面分布分析結(jié)果，可以看出 Bi在晶界上有嚴(yán)重偏聚。 ? ZnOBi2O3陶瓷燒結(jié)表面的面分布成分分析 (a)形貌像； (b)Bi元素的 X射線面分布像
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