復(fù)旦大學(xué)(微電子)半導(dǎo)體器件第五章pn結(jié)-資料下載頁
2025-04-29 05:53本頁面
【正文】 在表面態(tài)密度很大的時，金屬和半導(dǎo)體接觸的表面勢取決于表面態(tài)的費(fèi)米能級位置和金屬功函數(shù)無關(guān)。 鏡象效應(yīng)和隧道效應(yīng) ? 鏡象效應(yīng) ? 隧道效應(yīng) 平衡異質(zhì)結(jié)能帶圖 應(yīng)用舉例 ? 提高發(fā)射系數(shù)： 1 210 2012e xp 1pf nnppnD qVDj q p nL L k T?? ?? ??? ? ??? ?? ????????211101e x p ginDEnpN k T??? ? ?????222202e x p gipAEnnN k T??? ? ?????21e x p ????? ????ggnpEEjj k TH EM T??遷 移 率 高低 溫 工 作?高電子遷移率晶體管 重點(diǎn)內(nèi)容 ? Ek能帶圖 (本征特性 )， E能帶圖（均勻半導(dǎo)體雜質(zhì)缺陷能級）， Ex能帶圖（非均勻半導(dǎo)體，包括同質(zhì)結(jié)、異質(zhì)結(jié)等。常見于半導(dǎo)體器件中） ? 平衡態(tài)：電子、空穴費(fèi)米能級統(tǒng)一、水平。 ? 勢壘電容和擴(kuò)散電容的表達(dá)式。 ? 理想 PN結(jié)伏安特性、成立的條件及實(shí)際非理想因素影響。 ? 隧道擊穿和雪崩擊穿的機(jī)制及發(fā)生的條件。 ? 提高 PN結(jié)二極管開關(guān)特性的途徑。 ? 金－半肖特基二極管的突出優(yōu)點(diǎn)：正向閾值電壓低、沒有非平衡載流子儲存效應(yīng)（沒有擴(kuò)散電容）。 ? 采用異質(zhì) PN結(jié)提高發(fā)射系數(shù)的原理。 ? 用二維電子氣制造高電子遷移率晶體管的突出優(yōu)點(diǎn)： 減少散射、可在低溫下工作。 習(xí)題 ? 試用窄勢壘模型推導(dǎo)出 PN結(jié)的伏安特性： ? 以上結(jié)果成立的條件有那些？對 N+P結(jié)上式可以簡化成？ ? 如果 N區(qū)足夠厚，那么勢壘邊界非平衡空穴的擴(kuò)散電流密度應(yīng)該和 N區(qū)非平衡空穴的復(fù)合率有關(guān)，試?yán)迷撽P(guān)系計(jì)算擴(kuò)散電流密度。 ? 試比較 PN結(jié)、金－半結(jié)、異質(zhì)結(jié)。 )()()( npnnn xJxJxJ ?? ?????? ??????????????? ?? 1e x p00 TkqVnLDpLDqBfpnnnpp
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