復旦大學(微電子)半導體器件第五章pn結-全文預覽
【正文】 子濃度變化的過程，稱為擴散電容： ? ?1 / 202rT A DD r A Dqd Q N NCd V V V N N?????? ??????T Drx??0?DANN ? ?1 / 202 ???? ????DDAVVxqN??2??FnDDBqIdQCd V k T?勢壘寬度 PN結雪崩擊穿 ? 強電場下 載流子倍增： ? 對突變結， 擊穿電壓： e ffcrBR NEqV202???Ec = 2~5?105 V/cm 隧道擊穿 ? 反向電壓使 P區(qū)價帶 和 N區(qū)導帶重疊。 ? 因為外電壓全部加在勢壘區(qū)，所以選擇勢壘區(qū)邊界計算電流。 注意： P區(qū)電子的勢能高于 N區(qū)，空穴的勢能正好相反，電勢 N區(qū)高于 P。 空間電荷區(qū)的電場和電勢 普通物理講過泊松方程 ? ?00? ? ?rrExdEEdx?? ?? ? ? ?電 場 和 空 間 電 荷 密 度 之 間 的 關 系 是 ： ，? ?2 2200? ? ? ? ?rrVxdVVdx?? ?? ? ? ?電 勢 和 空 間 電 荷 密 度 分 布 之 間 的 關 系 是 ： ， 只要知道空間電荷分布 ρ就可以用泊松方程計算電場 和電勢分布，還可以計算出勢壘高度和寬度。 ? 在空間電荷的區(qū)內有載流子的漂移流和擴散流，平衡情況下凈電流為零。在該區(qū)域：導帶、價帶和費米能級之間的相對位置保持原樣。 從何入手計算伏安特性 ? 假設理想情況包括：低摻雜的突變結、忽略勢壘區(qū)復合、外加電壓全部加在勢壘區(qū)、小注入。 載流子流動情況 nj漂nj擴nj擴pj 擴pj 擴pj 漂? ?ppnx??? ?nnpx?外 電 場注意：圖中 j是粒子流密度而不是電流密度 勢壘兩邊的少子擴散流密度 ? ? 00e x p fp p p pBqVn x n nkT??? ? ? ?????? ? 00e x p fn n n nBqVp x p
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