微細(xì)加工擴(kuò)散ppt課件-資料下載頁
2025-04-29 00:57本頁面
【正文】 xA q V???????? 擴(kuò)展電阻法 探針 SiO2中的擴(kuò)散 雜質(zhì)在 SiO2 中的擴(kuò)散系數(shù)也可表為 B、 P、 As、 Sb 等雜質(zhì)在 SiO2 中的擴(kuò)散系數(shù)很小 ， 因此可將 SiO2 層用作雜質(zhì)擴(kuò)散的掩蔽膜 。 2aSi O 0 e x pEDDkT???? ???? SiO2 掩蔽層厚度的確定 雜質(zhì)在 SiO2 層中的分布大部分按余誤差函數(shù)分布 2SSiO( ) e r f c2xN x NDt???????221Si O Si OS()2 e r f c Nxx D t A D tN???1S()2 e r f c NxAN?? 如果定義 N(x)/NS 的比值為 10–3 時對應(yīng)的 SiO2 厚度為能夠有效掩蔽雜質(zhì)的最小厚度 tmin ，則 2m in S iO4 .6t D t? 大規(guī)模集成電路中的 MOSFET 一般采用 硅柵自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu) 。SiO2 掩蔽層厚度的確定在對源 、 漏區(qū)和多晶硅柵進(jìn)行摻雜時 ，柵氧化層應(yīng)確保溝道區(qū)不被摻雜 。 SiPo ly ? 由于深亞微米 MOSFET 的柵氧化層厚度在 10nm 以下 ， 且溝道區(qū)的雜質(zhì)濃度僅為源 、 漏區(qū)和多晶硅柵的雜質(zhì)濃度的 104 以下 ， 所以這是一個嚴(yán)重問題 。 擴(kuò)散系統(tǒng)的種類很多 。 按所用雜質(zhì)源的形式來分 ， 有固態(tài)源擴(kuò)散 、 液態(tài)源擴(kuò)散 、 氣態(tài)源擴(kuò)散；按所用擴(kuò)散系統(tǒng)的形式來分 ， 有開管擴(kuò)散 、 閉管擴(kuò)散 、 箱法擴(kuò)散 、 “ 固 固擴(kuò)散 ” 等 。 擴(kuò)散系統(tǒng) 臥式擴(kuò)散爐 立式擴(kuò)散爐 擴(kuò)散技術(shù)的主要缺點(diǎn) 存在橫向擴(kuò)散 ， 影響擴(kuò)散后的圖形精度 。 難以對摻雜總量 、 結(jié)深 （ 特別是淺結(jié) ） 和雜質(zhì)濃度分布進(jìn)行精密的控制 ， 均勻性和重復(fù)性也較差 。 小結(jié) 本章回顧了擴(kuò)散的物理機(jī)制和擴(kuò)散的原子模型 。 介紹了反映擴(kuò)散規(guī)律的費(fèi)克第一定律和費(fèi)克第二定律 （ 即擴(kuò)散方程 ） ，給出了針對預(yù)淀積和推進(jìn)擴(kuò)散兩種情況的特解及其特點(diǎn) ， 討論了上述簡單理論結(jié)果在實(shí)際情況下的修正 。 介紹了檢驗(yàn)擴(kuò)散結(jié)果的方法 。 由于 B、 P、 As、 Sb 等在 SiO2 中的擴(kuò)散系數(shù)很小 ，因此可將 SiO2 層用作雜質(zhì)擴(kuò)散的掩蔽膜 。 最后對擴(kuò)散系統(tǒng)作了簡要介紹 。 習(xí) 題 在 1000℃ 下在硅片中進(jìn)行 20分鐘的磷的預(yù)淀積擴(kuò)散 ，然后在 1100℃ 下進(jìn)行推進(jìn)擴(kuò)散， 如果襯底濃度為 1017cm3，則為獲得 微米的結(jié)深， 推進(jìn)時間應(yīng)為多少？推進(jìn)后的表面濃度是多少？ ( ) 分別推導(dǎo)余誤差分布和高斯分布的濃度梯度表達(dá)式；假 設(shè)襯底雜質(zhì)濃度為 NB ，試分別推導(dǎo)余誤差分布和高斯分布的結(jié)深表達(dá)式。 假設(shè)擴(kuò)散系數(shù) D = 1015 cm2/s，余誤差分布的表面濃度 NS = 1019cm3，高斯分布的雜質(zhì)總量 QT = 1013cm2，試分別計(jì)算經(jīng) 60 分鐘幾種擴(kuò)散時間后余誤差分布的雜質(zhì)總量 QT 和高斯分布的表面濃度 NS 。 0 2 1 0 2 1003 . 9 c m s , 3 . 6 6 e V , 4 . 4 c m s ,aD E D? ? ?? ? ?2 2 1 204 . 0 e V , 4 4 . 0 c m s , 4 . 3 7 e VaaE D E? ? ? ?? ? ?
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1