【正文】 體生長設備已有四十余年的歷史，具有較強的科研實力，是國內(nèi)單晶爐生產(chǎn)的主導廠家及晶體生長設備研制、開發(fā)重要科研基地?，F(xiàn)有職工239人,其中各類專業(yè)技術人員80余人，有各類機加設備600余臺，各類儀表300余臺，具有年產(chǎn)50余臺套大型單晶爐的能力，每年銷售收入在3000萬元左右。西安理工大學晶體生長設備研究所工廠以生產(chǎn)6英寸單晶爐設備為主，近年又投資1000萬元開發(fā)8″單晶爐設備，年產(chǎn)10—15臺，為國家節(jié)約外匯500萬美元以上，對中國半導體電子工業(yè)的發(fā)展起到強有力的推動作用。自1961年研制成中國第一臺單晶爐以來，累計產(chǎn)量近千臺，產(chǎn)值近2億元，已定型生產(chǎn)了四大系列、五十余個品種的晶體生長設備。它涉及了半導體、光學、化合物、氧化物、氟化物等晶體材料、合金材料及高純金屬等高科技領域。其中TDR系列單晶爐中的80型、70型、62型和TDL系列激光爐中的J60型、J50型等設備的性能已接近和達到國際同類產(chǎn)品水平，多項產(chǎn)品榮獲國家、部、省級科技成果獎。產(chǎn)品的國內(nèi)覆蓋面積達95%以上，并有四個品種、二十余臺設備遠銷歐、美等地。(2) 主要產(chǎn)品1) 直拉硅單晶(CZ－Si)——TDR－40A、7DR－50、TDR－60、TDR－62CP、TDR－40A(B)、TDR－80、TDR－70A(B)型單晶爐 2)磁場硅單晶(MCZ－Si)——TDR－50AC型單晶爐 3)直拉鍺單晶(CZ－Ge)——TDR－60CP、TDR－62CPA、TDR－Z50、TDR－Z80型單晶爐 4) 區(qū)熔硅單晶(FZ－Si)——TDR－FZ35型區(qū)熔單晶爐(3) 產(chǎn)品研發(fā)目前正進行TDR－120大型單晶爐(CZ法，投料量150kg，晶體直徑12″)、TDR－GY60型高壓單晶爐(LEC法、GaAs晶體直徑4″～6″)，具有上稱重等徑控制系統(tǒng)的大型激光晶體爐等具有世界先進水平的新爐型研制、開發(fā)。中國電子科技集團第四十五研究所(1) 企業(yè)概況原電子部45所于1966年建所, 是從事各類電子專用設備研究、開發(fā)和制造的綜合性研究所，是國內(nèi)主要從事光學微細加工設備研究與生產(chǎn)的科研單位。該所為中國國防工業(yè)電子元器件及其他行業(yè)研制各類設備300多項，為各行業(yè)提供大型關鍵高技術設備3000余臺，取得科研成果300多項，其中100多項分別是獲得國家和省部級科技進步獎?，F(xiàn)有職工1400余人，其中各類專業(yè)技術人員700余人,。第四十五所已形成以超大規(guī)模集成電路關鍵工藝設備和電子元件生產(chǎn)設備為主導的兩大產(chǎn)品門類。該所研制的分步投影光刻機分辨率從2微米、為中國IC研制和打破國外禁運起到了重要作用。研制的SB－401A雙面曝光機、TZ－109B型自動探針測試臺、HP－602精密自動劃片機、QP－613型大直徑切片機、WY－155型絲網(wǎng)印刷機、集成電路切筋打彎機等均為填補國內(nèi)空白的首創(chuàng)成果。四十五所在燕郊開發(fā)區(qū)投資7000萬元興建的燕郊信息產(chǎn)業(yè)園發(fā)展有限公司正在建設中。生產(chǎn)能力將達到光刻機配套的光學系統(tǒng)100套、微電子設備60臺、光電設備40臺。(2) 主要產(chǎn)品1) 光刻設備：分步投影光刻機，接觸/接近式單面、雙面曝光機2) IC后封裝設備：自動劃片機，激光、油墨印字機3) 中測設備：探針測試臺4) 材料加工設備：內(nèi)圓切片機、外圓切割機5) 清洗設備：自動沖洗甩干機6) 電子元件設備：各類元器件編帶機，片鉭電容粘接、編帶機，陶瓷濾波器焊裝機7) 晶體振蕩器生產(chǎn)設備：自動帶式多刀切割機，點膠機、中間測試機等(3) 產(chǎn)品研發(fā)該所計劃加大研制集成電路設備的投入，把目標瞄準8英寸劃片機、測試臺、切片機等集成電路設備，~、各型號探針測試臺等產(chǎn)品生產(chǎn)規(guī)模。目前，45所正在開發(fā)集成電路后工序中用最大的設備——鍵合機，它將成為該所的另一經(jīng)濟增長點。中國電子科技集團第四十八所(1) 企業(yè)概況電子科技集團第四十八研究所建于1964年，是以“三束”(電子束、離子束、分子束)為主的半導體微細加工設備研究開發(fā)的綜合性研究所，是國內(nèi)具備較強電子專用設備研發(fā)力量的單位之一。全所現(xiàn)有職工900余人,科技人員占職工總數(shù)的50%以上，全所占地面積140000平方米,固定資產(chǎn)2000多萬。四十八所主要從事大規(guī)模集成電路及各類電子元器件關鍵工藝設備的研發(fā)和生產(chǎn)，目前開發(fā)和生產(chǎn)的專用設備主要有三大系列：一是微電子專用設備，主要包括離子注入機、電子束曝光機、擴散—氧化系統(tǒng)、外延系統(tǒng)、蝕刻與鍍膜設備等；二是用于磁性材料、陶瓷、PDP、粉末冶金生產(chǎn)的電子工業(yè)窯爐等高溫燒結(jié)設備；三是用于彩管、發(fā)光二極管及超大容量電容器等生產(chǎn)的電子元器件設備。2002年第四十八所研制的七項產(chǎn)品通過了信息產(chǎn)業(yè)部主持的設計定型鑒定會，鑒定委員會認為，這七項產(chǎn)品均代表了目前國內(nèi)同類產(chǎn)品的先進水平，其中鐘罩式氮氣氛保護燒結(jié)爐屬國內(nèi)首創(chuàng)，性能上達到了國際先進水平。根據(jù)國家微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展目標，四十八所相繼研制開發(fā)了3英寸、4英寸、6英寸、8英寸硅片用擴散系統(tǒng)。為了完善擴散技術需求，四十八所還研制出了磷、硼固態(tài)、液態(tài)源擴散系統(tǒng)和鋅的雙溫區(qū)隱埋擴散系列設備；為適應氧化工藝上的技術進步，四十八所研制的濕氧、氫氧合成氧化系統(tǒng)已成系列。(2) 主要產(chǎn)品1) 亞微米電子束曝光機 －2) 中束流離子注入機 注片尺寸為4＂,能量20－200Kev,－3) 強流離子注入機 注片尺寸為3＂，能量5－160Kev,束流5mA4) 強流氧離子注入機 注入尺寸4＂－6＂能量20－200Kev,束流5mA5) 高能離子注入機6) 立式雙功能TEOS－CVD系統(tǒng) 加工基片尺寸3＂－4＂7) 液相外延系統(tǒng)8) 汽相外延系統(tǒng)9) 高溫擴散系統(tǒng)10) 鐘罩式高溫燒結(jié)爐11) 臥式真空爐12) 發(fā)光二級管自動封裝機13) 離子束蝕刻設備14) 離子束鍍膜設備(3) 產(chǎn)品研發(fā)第四十八所研制的LC1LC14型強流氧離子注入機，是研制生產(chǎn)SOI材料的關鍵設備，能夠使中國快速成為少數(shù)采用SIMOX法制備SOI材料的國家之一，該所研制的LC15大束流離子注入機具有束流大、自動化程度和生產(chǎn)效率高、潔凈度好的特點。四十八，在國內(nèi)首次實現(xiàn)直寫功能且生產(chǎn)效率可滿足實用化要求。北京七星華創(chuàng)電子股份公司(1) 企業(yè)概況北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司(簡稱“七星華創(chuàng)”)成立于2001年9月，是由北京七星華電科技集團有限責任公司和北京吉樂電子集團有限公司為主發(fā)起人，集中部分優(yōu)良資產(chǎn)整合重組成立的高新技術企業(yè)。七星華創(chuàng)總部位于中關村高科技產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)的電子城科技園，占地面積50127平方米。公司下設八個分公司、四個子公司，現(xiàn)有職工1163人。北京七星華創(chuàng)電子股份公司微電子設備分公司(700廠)，由原北京建中機器廠微電子分公司改制而成，是一家集微電子專用設備的設計、開發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務為一體的實業(yè)公司。公司擁有四個專業(yè)設計研究所和一個凈化制造車間，強大的科研實力與精良的制造工藝使公司成為了國內(nèi)微電子專用設備研制重點企業(yè)。七星華創(chuàng)主導產(chǎn)品涉及微電子專用設備、微組裝、和微電子元器件等領域，包括片式元件、微電子器件、晶體器件等新型電子元器件，以及與現(xiàn)代微電子制造組裝技術密切相關的專用設備、儀器。微電子專用設備產(chǎn)品是七星華創(chuàng)的核心業(yè)務之一，能夠提供擴散爐、清洗機、CVD、刻蝕機等產(chǎn)品，這些產(chǎn)品是集成電路前工序關鍵設備，此外微電子專用設備產(chǎn)品還廣泛應用于半導體分立器件、光電子、電力電子、太陽能電池等領域。多年來，微電子專用設備產(chǎn)品的質(zhì)量、種類、技術在國內(nèi)處于領先地位，在市場競爭中確立了重要地位。2002年北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司與韓國從事磁控濺射系統(tǒng)、清洗設備研發(fā)和生產(chǎn)的A－Tech公司簽署產(chǎn)品代理合同及合資合作意向書，標志著七星華創(chuàng)正式進入磁控濺射設備市場領域。(2) 主要產(chǎn)品1) 微控擴散系統(tǒng)、程控擴散系統(tǒng)：應用于大規(guī)模集成電路、分立器件、光電子器件、電力電子器件、太陽能電池等領域，適用4”～6”硅片退火、氧化、擴散、預沉積等工藝2) 臥式熱壁型等離子增強化學氣相淀積系統(tǒng)(PECVD) ：供6”硅片淀積Poly－Si、Si3N4或SiO2薄膜用。3) 平板型等離子增強化學氣相淀積系統(tǒng)(PECVD)：用于2”～6”硅片淀積SiOSi3N4等工藝。4) 低壓化學氣相淀積系統(tǒng)(LPCVD)L4380：用于4”硅片Poly－Si、SiOPSG、BPSG等薄膜生長工藝。5) M－RIE金屬刻蝕系統(tǒng)：用于6”、可刻蝕Al、Ti、TiN等金屬。6) 四探針測試儀(D41－11A)：主要用于測量硅片的薄層電阻和電阻率，也能測量其他半導體片、膜的薄層電阻和電阻率，且可對擴散、外延、離子注入等工藝設置進行監(jiān)測和評估。 7) 筒式等離子去膠機：用于半導體集成電路、太陽能電池以及功率器件等刻蝕、去膠工藝，刻蝕方式為等離子體各向同性刻蝕。8) 全自動清洗機：設備用于6”硅片的半導體清洗過程中，去除工件表面的油污及其它有機物、除膠、去金屬離子等。9) 石英管清洗機：為浸泡式清洗機，用于擴散爐等設備的石英管、碳化硅管清洗10) 臺面腐蝕機：用于半導體工藝中4”、5”硅片周邊進行濕法化學腐蝕形成均勻一致的斜角。11) 顯影機：用于半導體工藝中對硅片進行顯影和定影。適用4”、5” 硅片 12) 凈化存儲柜：該設備為高潔凈度通風保管柜，適用于半導體生產(chǎn)工藝過程中存放成品、半成品和材料等，凈化級別：100級，裝片能力：50片/批。13) 雙人凈化臺：提供局部高潔凈度區(qū)域的雙人標準凈化工作臺。(3) 產(chǎn)品研發(fā)隨著技術的發(fā)展，該公司自主研發(fā)的8英寸立式擴散/氧化爐已經(jīng)進入實質(zhì)性階段。8英寸立式擴散/氧化爐擁有完全自主知識產(chǎn)權，在國內(nèi)處于領先水平。七星華創(chuàng)正在研制的8英寸硅片多工位清洗腐蝕機也是擁有先進技術、擁有完全自主知識產(chǎn)權產(chǎn)品，處于國際先進水平。北京北儀創(chuàng)新真空技術有限責任公司(1) 企業(yè)概況北京儀器廠創(chuàng)建于1954年，于2002年1月完成有限責任公司的改制，正式更名為北京北儀創(chuàng)新真空技術有限責任公司。北京儀器廠是全國真空設備行業(yè)重點骨干廠，1998年通過ISO9001－1994質(zhì)量體系認證。北儀創(chuàng)新真空技術現(xiàn)有員工500余人。該公司主要生產(chǎn)低真空——高真空——超高真空獲得設備、真空應用設備、真空測量和膜厚監(jiān)控儀器以及大型真空成套工程項目30多個系列160多個品種的產(chǎn)品，在微電子制造用鍍膜設備和干法微細刻蝕設備，光學鍍膜設備，裝飾鍍膜設備，刀具硬化膜鍍膜設備，太陽能集成管鍍膜設備，熱反射玻璃鍍膜設備等方面始終處于市場優(yōu)勢地位，并已形成了自己的特色，鍍膜機總銷售量占全國銷售量三分之一以上。北儀真空集團目前正在加緊建設新的廠房，廠房位于北京市大興區(qū)的電子城。廠區(qū)總用地面積為31064平方米，總建筑面積為45504平方米。一號廠房的建筑面積為12321平方米，二號廠房的建筑面積為21420平方米，三號廠房的建筑面積為11340平方米。北儀真空總體發(fā)展目標是：到2005年十五規(guī)劃末期，建成國內(nèi)重要的、國際上有影響的真空設備和產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)基地。(2) 主要產(chǎn)品1) ZZST－480型超高真空鍍膜機2) JCKL－700A半連續(xù)磁控濺射臺3) ZZSX系列電子束鍍膜機4) 多功能磁控濺射鍍膜機5) JTR－700型集熱管鍍膜機6) LDH系列多弧離子鍍膜機7) ZJF－400A型晶體壓封機8) XJPB－2200型磁控濺射平板玻璃生產(chǎn)線9) JDS－800型磁控濺射(3) 產(chǎn)品研發(fā)北京北儀創(chuàng)新真空技術有限責任公司(北京儀器廠)近幾年來不斷加大產(chǎn)品結(jié)構調(diào)整的力度，增加技術投入。進入新世紀，在產(chǎn)品開發(fā)、技術提升、高新技術應用方面取得了較好的成績。近幾年，每年研發(fā)的新產(chǎn)品平均20個以上，新產(chǎn)品的銷售收入占全部銷售收入的比例達40%以上。中國科學院光電技術研究所(簡稱成都光電所) (1) 企業(yè)概況中國科學院光電技術研究所始建于1970年，是中國科學院在西南地區(qū)規(guī)模最大的研究所。是中國科學院首批定位于科研基地型研究所之一。1999年光電所通過ISO 9001質(zhì)量體系認證，三個國家級重點實驗室進入中科院知識創(chuàng)新工程試點。2001年全所整體進入中科院知識創(chuàng)新工程試點。建所28年來,光電所已獲得300余項科研成果，其中重大成果120余項。全所科研和工程技術人員1100余人。中國科學院光電技術研究所于七十年代末開展了超大規(guī)模集成電路專用設備研究，同時在國內(nèi)開拓了自適應光學技術研究，八十年代又全面系統(tǒng)地開展了光束控制技術與系統(tǒng)研究。九十年代相繼建立了“微細加工光學技術國家重點實驗室”、“國家863計劃自適應光學重點實驗室”、“國家863計劃光束控制重點實驗室”，同時建立了“中國科學院成都幾何量及光電精密機械測試實驗室”。 微細加工光學技術國家重點實驗室是1991年由國家計委批準，通過世界銀行貸款建設起來的國家重點實驗室。1993年12月經(jīng)國家計委和中科院批準對外開放。主要研究內(nèi)容是微光學研究及應用、折衍混合光學技術和系統(tǒng)、微電子光學關鍵技術原理和方法研究。1997年以來，實驗室瞄準國家在該領域的戰(zhàn)略需求和高技術前沿研究，承擔了多項國家自然科學基金項目、國家863項目、部委以及中科院重大項目，取得了多項重要科研成果，形成了具有自主知識產(chǎn)權的微細加工光學技術平臺，開拓了星敏感器、微透鏡列陣與紅外焦平面探測器集成芯片、半導體激光器列陣微光學整形模塊、生物芯片儀器以及深刻蝕光刻曝光等一系列應用領域。－2微米實用型分步重復投影光刻機,首次在中國完成CMOS2000門門陣電路工藝考核,成品率大于50%。－1微米光刻機于97年在中科院微電子中心生產(chǎn)線上完成工藝考核,成品率大于80%。 －,達到國際九十年代初先進水平。為北京正負電子對撞機配套的同步輻射軟X射線光刻機等等。以上成果對打破西方國家禁運,為中國微電子設備的發(fā)展作出了重大貢獻。(2) 微電子專用設備成果及技術水平1) 米實用型分步重復投影光刻機(DSW):－1微米,實用型全自動,成功地作出了硅柵CMOS2000門門陣列電路芯片,成品率大于50