【導讀】區(qū)別于其它流行自動反演軟件的明顯特征。你可以在IPI2WIN軟件中使用工作表輸入數(shù)據(jù)。差和供電電流數(shù)值，在VES模式下，*.dtg數(shù)據(jù)文件只能使用電阻率數(shù)據(jù)。至最右側線段水平而自動合并。IPI2WIN運行過程中沒有進一步的變化。作是非常有用的，它是非常簡單的QWSELN程序格式。格式是自由的，從.dat文件格式轉換成res2Dinv程序文件格式也是自由的。置在相同的新位置，刪除一個.res文件將導致丟失相應.dat文件的解釋結果。IPI2WIN程序利用五種不同類型的電極排列進行工作。性濾波器進行精確的電測深正演問題計算。第3行：3個整數(shù)和1個字符，之間用空格分割。包含VES-IP數(shù)據(jù)，第2個整數(shù)為1。第3個整數(shù)指定一個測深點中的最大可能數(shù)值，也就是說，字符是下列字符之一：S；V；W；D；N；U；L；Z；B。S——施倫貝爾熱；單極—偶極或者赤道偶極裝置。L——二維模型線性移動電極排列。Z——河道測量頂端排列。B——河道測量底端排列。對于施倫貝爾熱排列——移動電極之間距離的一半。

　　

【正文】 ，顯示 視電阻率 /視 充電 率 擬斷面圖對測深點沿剖面水平坐標的導數(shù)。 ρηρ％ 47 SDG 文件格式（ SDG File format） 數(shù)據(jù)文件；新建測深點 SDG 文件是一個帶 .SDT 擴展名和 具有 一定格式的普通文本文件，這種類型的文件對單個測深曲線的解釋工作是非常有用的。它可以將數(shù)個單獨測深曲線聯(lián)合到一個剖面中 （ 菜單 文件 填加文件 ）。 第 1 行和第 2 行（ 1st amp。 2nd lines）：任意文本。 第 3 行（ 3rd line）：裝置排列開關（整數(shù)）： 1—— 溫納 α裝置 。 2—— 施倫貝爾熱、單極 偶極、赤道偶極裝置 。 3—— 單極 單極雙電極排列裝置（ AM）。 5—— 溫納 β裝置。 第 4 行及 以 下： 測深曲線按兩列寫入，第 1 列是極距，第 2 列是視電阻率。 最后一行是“ 0 0”，作為數(shù)據(jù)結束的標記。 注意： SDG 格式文件中，數(shù)據(jù)可以帶重復（搭接）點。 ***************************************************************************************** SDG 示例文件 VES15 注釋 1｛ ment1｝ 注釋 2｛ ment2｝ 2 施倫貝爾熱排列｛ Schlumberger array｝ 2 17 極距 視電阻率｛ AB/2 ｝ 3 24 4 47 5 133 6 148 8 169 10 182 15 193 48 15 209 重復（搭接）點｛ verlapping point｝ 20 130 20 295 重復（搭接）點｛ Overlapping point｝ 25 228 30 196 35 190 40 161 50 141 60 164 70 192 80 226 80 198 100 289 100 262 120 287 150 307 175 472 200 547 數(shù)據(jù)結束標記｛ the end of data mark｝ 49 帶地形的文件格式 .DPR 示例文件 （ Examples of “ DPR” file） 地形文件 具有 *.DPR 擴展名和一定的結構，每行的數(shù)據(jù)格式除前 3 行之外是任意的。 第 1 行（ 1st line）：讀取 X 坐標的開關 ［ 及 長度單位 ］ ，如果所有測深點之間的距離（點距）是一個常數(shù)（恒量），開關 =1；如果點距是變量，則開關 =1。 長度單位既可以是乘以所有測深點點位坐標的系數(shù)，也可以是“ Km”，如果 X 坐標是公里的話。 第 2 行（ 2nd line）：如果 X 坐標開關 =1，那么它是一個數(shù)值 —— 點距；如果 X 坐標開關等于 1，那么它是所有測深點 點位 X坐標的數(shù)據(jù) 串 。 第 3 行（ 3rd line）：第 1 列是“ +” 字符，此字符意味著測深點點位 X坐標和 Z 坐標之間的分界。 第 4 行（ 4th line）：測深點點位高程開關［ 及 高程 單位 ］，此開關可以=0， 1 或 2，高程單位類似于 X坐標單位（參考第 1行）。 第 5 行（ 5th line）： 如果高程開關 =0，那么該行缺失并且所有測深點的高程被認為等于 0；如果高程開關 =1，那么該行是所有測深點點位高程坐標的數(shù)據(jù)竄；如果高程開關 =2，那么測量表面的地貌將由不規(guī)則的 分散 點位的 X和 Z 坐標確定， 其它所有需要的點位坐標將由線性內插計算得到， X 和 Z坐標將按照文件中一條剖面上一個點一個點的順序輸入 ，首先是 X，然后是 Z。 50 .DPR示例文件 （ Examples of “ DPR” file） 示例文件 1（ Example 1） 1 km 點距固定，以 Km 為單位 ｛ distances are fixed and written in km｝ 1 點距 =1Km ｛ distance between VES39。s = 1 km｝ + 分界標志 ｛ boundary mark｝ 1 100 高程以 100 米為單 位 ｛ altitudes measured in hundreds m｝ 3 4 5 5 3 1 1 0 剖面上所有測深點的高程｛ should be written for all locations｝ 示例文件 2（ Example 2） 1 1000 點距固定，以 Km 為單位 ｛ distances are fixed and written in 1000m｝ 1 2 4 6 7 8 剖面上所有測深點的 X 坐標（以 Km 為單位） ｛ Xcoordinates of VES locations in km｝ + 分界標志 ｛ boundary mark｝ 2 100 曲面由 X 和 Z 坐標確定，高程以 100 米為單位 0 4 X 坐標以 Km 為單位，高程以 100 米為單位 ｛ Xcoordinates in km and altitudes in hundreds m for separate locations｝ 2 8 1 9 0 51 .DAT示例文件 （ Example of “ DAT” file） Profile VES 注釋 1 {ment1} 注釋 2 {ment2} 3 0 11 S 測深點點數(shù)， IP 開關，最大極距數(shù)，裝置開關｛ Ves points, KeyIP, , Key_Array｝ 1 10 19 27 極距｛ AB/2 distances｝ 1d 測深點名稱 ｛ VES name｝ 11 極距數(shù) ｛ nAB_VES｝ 32 40 60 50 視電阻率 ｛ Rho_a｝ 2ves 測深點名稱｛ VES name｝ 9 極距數(shù)｛ nAB_VES｝ 50 60 視電阻率 ｛ Rho_a｝ 3 測深點名稱｛ VES name｝ 11 極距數(shù) ｛ nAB_VES｝ 60 視電阻率 ｛ Rho_a｝ 52 .DTG示例文件 （ Examples of “ DTG” file） ***************************************************************************************** 1. Apparent resistivity（視電阻 率） Profile VES ｛ ment1｝ 注釋 1 ｛ ment2｝ 注釋 2 1 0 17 1 4 S ｛ VES number, KeyIP, , number MN1, ArrayType, KeyArray｝ （ 測深點數(shù)量， IP 開關，最大極距數(shù) ，曲線上接頭點數(shù)量（測量極距數(shù)減 1），數(shù)據(jù) 類型，裝置開關 ） 9 有接頭的極距 順 序號 ｛ ordering number of distance for second MN｝ 1 10 測量極距列表（ MN 極距） ｛ MN distances｝ 供電 極距列表 ｛ AB/2 values｝ ｛ Name of VES｝ 17 本測深點的極距數(shù) ｛ nAB｝ number of distances for this VES 視電阻率 列表 ｛ app. resistivity in ｝ ***************************************************************************************** 2. Voltage（電位差） Profile VES 注釋 1 ｛ ment1｝ 注釋 2 ｛ ment2｝ 1 0 17 1 4 S ｛ VES number, KeyIP, , number MN1, ArrayType, KeyArray｝ （ 測深點數(shù)量， IP 開關，最大極距數(shù)，曲線上接頭點數(shù)量（測量極距數(shù)減 1），數(shù)據(jù)類型，裝置開關 ） 9 有接頭的極距順序號 ｛ ordering number of distance for second MN｝ 1 10 測量極距列表（ MN 極距） ｛ MN distances｝ 供電極距列表 ｛ AB/2 values｝ 58/4 測深點名稱 ｛ Name of VES｝ 16 本測深點的極距數(shù) ｛ nAB｝ number of distances for this VES 980 940 720 480 400 385 183 138 72 300 26 110 178 20 3 電位差 ｛ dUSP｝ 49 44 32 62 22 電流 ｛ I｝ ***************************************************************************************** 3. Overlaping by one point only（僅搭接一個點） Profile VES 注釋 1 ｛ ment1｝ 注釋 2 ｛ ment2｝ 2 0 12 +1 3 _S ｛ VES number, KeyIP, , number MN1, ArrayType, KeyArray｝ （ 測深點數(shù)量， IP 開關，最大極距數(shù)，曲線上接頭點數(shù)量（測量極距數(shù)減 1），數(shù)據(jù)類型，裝置開關 ） 8 有接頭的極距順序號 ｛ ordering number of distance for second MN｝ 測量極距列表（ MN 極距） ｛ MN distances｝ 53 5 10 20 30 40 50 供電極距列表 ｛ AB/2 values｝ 40 測深點名稱 ｛ Name of VES｝ 11 本測深點的極距數(shù) ｛ nAB｝ 視電阻率列表 ｛ app. resistivity in ｝ 50 測深點名稱 ｛ Name of VES｝ 12 本測深點的極距數(shù) ｛ nAB｝ 視電阻率列表 ｛ app. resistivity in ｝ 54 警告： 本軟件受法律保護，如果你喜歡使用，請與 Alexei Bobatchev 聯(lián)系，聯(lián)系電話（ 7095） 939 49 63 55 電導率計算（ Calculating conductance） 菜單 工具 電導率（ MenuToolsConductance） 要計