模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課程教學(xué)輔助系統(tǒng)是助教型多媒體課-資料下載頁
2024-10-26 16:44本頁面
【導(dǎo)讀】是助教型多媒體課件，供教師上課使用。年獲國家教學(xué)成果二等獎?？紤]版權(quán)問題，在尚。面、編輯界面示意圖，以及一小部分課程內(nèi)容。供評審專家和教師審閱。在播動畫時，如提示有病毒，可按“確定”鍵播放。半導(dǎo)體三極管有兩大類型，個PN結(jié)組合而成，是一種CCCS器件。場效應(yīng)型半導(dǎo)體三極管僅由一種。載流子參與導(dǎo)電，是一種VCCS器件。二是場效應(yīng)半導(dǎo)體三極管。射極的箭頭代表發(fā)射極電流的實際方向。低，且集電結(jié)面積大。厚度一般在幾個微米至幾十個微米。濃度低并要制造得很薄，集電區(qū)摻雜濃度低，且集電結(jié)面積較大。若在放大工作狀態(tài)：發(fā)射結(jié)加正向電壓，集電結(jié)加反向電壓。運(yùn)動關(guān)系，見下圖。由以上分析可知，發(fā)射區(qū)摻雜濃度高，基區(qū)摻雜濃度低。種組態(tài)，如共發(fā)射極接法，也稱共發(fā)射極組態(tài)，簡稱共射組態(tài)，稱為共基極直流電流放大系數(shù)。它表示最后達(dá)到集電極的電子電流。ICN與IE相比，因ICN中沒有IEP和IBN，所以。的值小于1，但接近1。共基極接法，基極作為公共電極，用CB表示。
【正文】 工作頻率有關(guān)。由于結(jié)電容的影響，當(dāng)信號頻率增加時，三極管的 ?將會下降。當(dāng) ?下降到 1時所對應(yīng)的頻率稱為特征頻率，用 fT表示。 ? ? (3)極限參數(shù) ①集電極最大允許電流 ICM 如圖 ，當(dāng)集電極電流增加時， ? 就 要下降，當(dāng) ?值 下降到線性放大區(qū) ?值的 70～ 30％ 時，所對應(yīng)的集電極電流稱為集電極最大允許電 流 ICM。 至于 ?值 下降多少，不同型號的三極管， 不同的廠家的規(guī)定有 所差別?？梢?，當(dāng) IC＞ ICM時，并不表 示三極管 會損壞。 圖 值與 IC的關(guān)系 ②集電極最大允許功率損耗 PCM 集電極電流通過集電結(jié)時所產(chǎn)生的功耗， PCM= ICVCB≈ICVCE， 因發(fā)射結(jié)正偏，呈低阻，所以功耗主要集中 在集電結(jié)上。在計算時往往用 VCE取代 VCB。 ③反向擊穿電壓 反向擊穿電壓表示三極管電極間承受反向電 壓的能力，其測試時的原理電路如圖 。 圖 三極管擊穿電壓的測試電路 (BR)CBO—— 發(fā)射極開路時的集電結(jié)擊穿電壓。 下標(biāo) BR代表擊穿之意，是 Breakdown的字頭， CB 代表集電極和基極， O代表第三個電極 E開路。 (BR) EBO—— 集電極開路時發(fā)射結(jié)的擊穿電壓 。 (BR)CEO—— 基極開路時集電極和發(fā)射極間的 擊穿電壓。 對于 V(BR)CER表示 BE間接有電阻， V(BR)CES表示BE間是短路的。幾個擊穿電壓在大小上有如下關(guān)系 V(BR)CBO≈V(BR)CES＞ V(BR)CER＞ V(BR)CEO＞ V(BR) EBO 由 PCM、 ICM和 V(BR)CEO在輸出特性曲線上可以確定過損耗區(qū)、過電流區(qū)和擊穿區(qū)，見圖 。 圖 輸出特性曲線上的過損耗區(qū)和擊穿區(qū) 2020/11/29 半導(dǎo)體三極管的型號 國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體三極管的命名如下 : 3 D G 110 B 第二位： A鍺 PNP管、 B鍺 NPN管、 C硅 PNP管、 D硅 NPN管 第三位： X低頻小功率管、 D低頻大功率管、 G高頻小功率管、 A高頻大功率管、 K開關(guān)管 用字母表示材料 用字母表示器件的種類 用數(shù)字表示同種器件型號的序號 用字母表示同一型號中的不同規(guī)格 三極管 2020/11/29 表 雙極型三極管的參數(shù) 參 數(shù) 型 號 P C M mW I C M mA VR CBO V VR CEO V VR EBO V I C BO μ A f T MHz 3AX31D 125 125 20 12 ≤ 6 *≥ 8 3BX31C 125 125 40 24 ≤ 6 *≥ 8 3CG101C 100 30 45 100 3DG123C 500 50 40 30 3DD101D 5A 5A 300 250 4 ≤ 2mA 3DK100B 100 30 25 15 ≤ 300 3DKG23 250W 30A 400 325 8 注： *為 f?
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