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2024-10-24 16:43本頁面
【導(dǎo)讀】利用Temp、Force、Time三種參數(shù)進行的熱壓著方式.→現(xiàn)階段一般使用的Bonding方式.即除Temp、Force、Time三個要素以外,※Hole的直徑通常為Wire直徑的~.其數(shù)值決定了BallNeck部位的直徑.※Ball的直徑為內(nèi)切面的1~Bonding形狀的主要因素.選擇最適合FA&OR規(guī)格.管理安裝Capillary的長度,專用JIG.⑴確認空氣由V-COOL中噴出.
【正文】 l強 度 . 此 時 的 θ1 ≈90176。 根據(jù)前面的公式可以得出 :F1≈F?？梢暂^準確的對 Ball Neck部位的 Bonding 狀態(tài)作出判斷 . ⑵ Wire Span (1st 與 2nd 的中心位置 ) 為 了得到更加全面的、精度更高的 Pull Test結(jié) 果 ,采用 Wire Span Pull Test. 這時 的 Pull Test結(jié) 果會 綜 合 Wire Loop、Wire Length、Chip Height等種種因素 對 Wire Pull強 度的影響 ,從而得到更 為 精確的 結(jié) 果 . ⑶ Lead (在靠近 2nd Bonding處 ) 在 Lead Bond部位附近 進 行 Pull Test,用來 評 價 2nd Stitch Bond部位的 Pull強 度 . 此 時 的 θ2 ≈90176。 根據(jù)前面的公式可以得出 :F2≈F?？梢暂^準確的對 Ball Neck部位的 Bonding 狀態(tài)作出判斷 . 53. Pull Test的位置及各部位 Test的作用 61. 資材 (Chip電極、 L/F表面狀態(tài) ) ?Chip電 極 、L/F表面 不能 污 染、 變 色。 → 原 資 材不能 長時間 暴露在外 . →N2 Gas 中 保管 . →Chip Chipping amp。 L/F 變 形與否 → Cure Oven清 潔 狀 態(tài) .(Gas污 染 ) → 作 業(yè) 人 員 的 Mask、Finger Court的佩 帶 狀 態(tài) .(防止人 為污 染 ) 62. Au Wire amp。 Capillary 針對不同的 Device, 選擇最佳的 Au Wire 和 Capillary型號 . → Loop Height 由 Au Wire的特性決定 . 對于低 Loop要求的 Device, 需要在 Low Loop 模式下進行調(diào)整 . → Capillary Tip形狀最優(yōu)化 . Chamfer Diameter、 Inside Chamfer Angle、 Hole Diameter均直接影響 1st Bond狀態(tài) . Face Angle、 Outer Radius 影響 2nd Stitch Bond狀態(tài) . 6. Wire Bonding的安定化 → Capillary Life Time最優(yōu)化 . → Capillary Change標準化 . 專用 Torque Wrench amp。 Tool JIG 使用 . 確保 Capillary Tip部位超聲波振幅最優(yōu)化 . 63. Wire Bonder Bonding條件最優(yōu)化 → 選擇最適合的 US Power、 Weight、 Time、 Heater Block溫度條件 . Clamp專用化 → 根據(jù)不同的 L/F形狀 ,以及 Bonding部位的差異 ,選擇最適合的 Clamp. 如果 Bonding部位的 L/F固定不穩(wěn) ,將減弱 Ultrasonic Energy的傳遞 ,從而影響 Bonding的效果 (Ball強度 ,Ball Size). Spool或運輸時為防止由于沖撞而Wire自解 ,應(yīng)按如圖一樣的狀態(tài)放置 Case時右手抓住 Spool Case,左手抓 Spool Case蓋 Case打開時注意防止 Spool沖撞 Spool內(nèi)部孔穴里用手指從Spool Case抓 Spool Tape用Tweezab注意不能對Wire有損傷地小心挪出 Wire Bonder 的 Spool受到?jīng)_撞時 會出現(xiàn)如圖所示的現(xiàn)象 Tweezer去除 Start Tape時因不注意可能發(fā)生如圖所示的 Wire Damage Maker : HERAEU 30m() Gold Wire 保管 amp。 使用方法 注意事項
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