納米材料制備方法ppt課件-資料下載頁
2025-03-22 05:54本頁面
【正文】 納米管。他們首先在藍寶石基片上用氣相法生長單晶 ZnO 納米線陣列 , 然后用三甲基鎵和氨氣為前驅(qū)物 , 用 Ar 或 N2 作載氣 , 將反應(yīng)物輸送進系統(tǒng)中 , 再在這些 ZnO 納米線陣列上面氣相沉積 GaN( 600700℃ ) 。沉積結(jié)束后 , 在 600℃ 及含有 10% H2 的 Ar 中去除 ZnO 納米線模板 , 就可以獲得 GaN 納米管陣列 ( 見示意圖 7) 。 圖 7 ?? 外延模板法制備單晶 GaN 納米管的過程示意圖 一維納米材料制備的發(fā)展趨勢 ?如上所述 , 近 10 年來 , 人們在一維納米材料和納米結(jié)構(gòu) 納米線 ( 棒 ) 、納米管、納米帶、芯殼結(jié)構(gòu)納米線及其組裝體系等的研究方面已經(jīng)取得了大量舉世矚目的研究成果 , 并在器件化方面作了一些基礎(chǔ)性的探索。準一維納米材料研究的未來發(fā)展趨勢如何 ? 是非常值得關(guān)注也是十分重要的話題。 ? 簡單地說 , 可以這么概括 : 以性能為牽引 , 以器件為目標。也就是說 , 未來準一維納米材料的研究首先應(yīng)該確立一個思路 , 其過程應(yīng)該是 : 以制造實用器件為目標 , 從而確立材料應(yīng)有的結(jié)構(gòu)與性能 , 在此基礎(chǔ)上進行納米系統(tǒng)設(shè)計 , 然后再進行材料設(shè)計 , 最終確定制備方案。其中有兩個重要方面 : 材料設(shè)計和制備技術(shù) , 下面我們就此進行簡要論述。 材料設(shè)計 ? 在材料設(shè)計方面 , 包括兩方面內(nèi)容 : 成分設(shè)計與結(jié)構(gòu)設(shè)計。在成分設(shè)計上 , 一維納米材料的發(fā)展趨勢是 : 由“簡單體系”向“ 復(fù)合體系”發(fā)展 , 包括摻雜、有機與無機的復(fù)合及有生命與無生命的復(fù)合等。在結(jié)構(gòu)設(shè)計上 , 由“ 單一結(jié)構(gòu)”向“復(fù)合結(jié)構(gòu)”發(fā)展 , 包括納米線異質(zhì)結(jié)、超晶格結(jié)構(gòu)納米線、多層芯殼結(jié)構(gòu)納米線 ( 包括納米線的表面修飾 ) 及枝晶結(jié)構(gòu)或網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)納米線等。 制備技術(shù) ?制備技術(shù)的發(fā)展將主要致力于可控技術(shù)的發(fā)展 , 同時將著重發(fā)展簡單制備技術(shù)、實用制備技術(shù)以及低成本制備技術(shù)。將會由“隨機生長”向“可控生長” 發(fā)展 , 這是一個非常重要的研究方向 , 因為只有實現(xiàn)可控生長 , 才能獲得所需的結(jié)構(gòu)和性能 , 才能有的放矢地進行應(yīng)用。 ?內(nèi)容包括 : 尺寸可控、形貌可控、生長位置可控、生長方向可控以及結(jié)構(gòu)可控等。由“無序生長” 向“ 有序生長” 發(fā)展 , 進一步利用和發(fā)展模板技術(shù)進行各種有序結(jié)構(gòu)的可控生長 , 利用自組織生長制備各種理想的花樣結(jié)構(gòu)等。由“少量 ( 小面積 ) 生長”向“大量 ( 大面積 ) 生長”發(fā)展 , 為實用化、器件化打下基礎(chǔ)。
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