納米材料制備方法ppt課件-文庫吧在線文庫
【正文】 為三大類 :氣相法、液相法和模板法。這種合成方法為制備具有良好結(jié)構(gòu)可控性的準一維納米材料提供了極大的便利。 瑞典大學的 Bjrk等人也用 Au作催化劑成功地利用 VLS機制生長出了InAsInP 超晶格納米線 ( 圖 3( c) ) 。 ?研究發(fā)現(xiàn) , 在 VS 生長機制中 , 氣相的過飽和度決定著晶體生長的主要形貌。這種方法生長的納米線為多晶或近單晶結(jié)構(gòu) , 納米線的尺寸分布范圍較寬。Sun 等人利用聚乙烯吡咯烷酮 ( PVP) 作為包敷劑制備出晶態(tài) Ag 納米線 。理論上來說 , 利用這種方法可以制備出任意材料的納米線。圖中 MO 表示不穩(wěn)定的或主族金屬氧化物 , 而 MXn 代表不穩(wěn)定的或主族金屬鹵化物 ? 1997 年 , 清華大學范守善小組 , 基于 Lieber 小組的上述策略 , 用類似的方法 , 即利用碳納米管的限域反應 , 成功地合成出了 GaN 納米線 , 從而將碳納米管作模板制備一維納米材料的技術(shù)擴展到氮化物系列 , 同時他們也給出了這一方法適用于氮化物納米線制備的普適公式 :MO( g) + C( 納米管 ) + NH3 )MN( 納米棒 ) + H2O+ CO+ H2此后 , 這一方法得到了廣泛應用 , 進一步擴展用于氧化物、金屬等納米線的制備。其中有兩個重要方面 : 材料設計和制備技術(shù) , 下面我們就此進行簡要論述。由“少量 ( 小面積 ) 生長”向“大量 ( 大面積 ) 生長”發(fā)展 , 為實用化、器件化打下基礎。 制備技術(shù) ?制備技術(shù)的發(fā)展將主要致力于可控技術(shù)的發(fā)展 , 同時將著重發(fā)展簡單制備技術(shù)、實用制備技術(shù)以及低成本制備技術(shù)。 圖 7 ?? 外延模板法制備單晶 GaN 納米管的過程示意圖 一維納米材料制備的發(fā)展趨勢 ?如上所述 , 近 10 年來 , 人們在一維納米材料和納米結(jié)構(gòu) 納米線 ( 棒 ) 、納米管、納米帶、芯殼結(jié)構(gòu)納米線及其組裝體系等的研究方面已經(jīng)取得了大量舉世矚目的研究成果 , 并在器件化方面作了一些基礎性的探索。 ?采用多孔模板 , 結(jié)合電化學沉積、溶膠凝膠、化學沉積、氣相沉積、金屬氧化或硫化等眾多方法 , 人們已經(jīng)制備了大量的準一維納米材料及其微陣列體系 , 表 1 給出了目前采用多孔模板法制備納米線所取得的一些進展 。至今其生長過程機理尚不清楚。 而在 SLS 機制生長過程中 , 所需的原料是從溶液中提供的。 Yang 等采用VS 機制與碳熱還原法合成了 ZnO、 MgO等納米線 。 ?另外 , 值得一提的是 , 最近 , 在利用 VLS 機制生長一維納米結(jié)構(gòu)的研究中 , 一些
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